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p型TOPCon晶体硅太阳电池局域硼重掺杂发射极的光电性能研究
1
作者
林文杰
王皓正
+2 位作者
余学功
王永谦
邱开富
《太阳能学报》
北大核心
2025年第6期238-244,共7页
该文研究硼重掺杂发射极的表面形貌和硼扩散工艺对光照钝化区域和金属接触区域的钝化性能、接触性质和寄生吸收以及电池性能的影响。对比抛光样品,制绒样品具有更低接触电阻测试值(2.5~3.2 mΩ·cm^(2))才能实现高效局域p++接触的pT...
该文研究硼重掺杂发射极的表面形貌和硼扩散工艺对光照钝化区域和金属接触区域的钝化性能、接触性质和寄生吸收以及电池性能的影响。对比抛光样品,制绒样品具有更低接触电阻测试值(2.5~3.2 mΩ·cm^(2))才能实现高效局域p++接触的pTOPCon电池设计。采用3000 s的硼扩推进时间和更低接触电阻的新AgAl栅线接触(0.5 mΩ·cm^(2)),权衡金属接触区域的接触性能、光照区域的光电特性和生产成本的影响,将局域p++接触的p-TOPCon电池模拟效率提高至24.62%。
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关键词
太阳电池
晶体硅
光电设计
TOPCon
硼重扩散
局域接触
模拟计算
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职称材料
效率27%的局域钝化接触HJT太阳电池的光电设计
2
作者
林文杰
王皓正
+2 位作者
王永谦
邱开富
余学功
《太阳能学报》
2025年第9期611-617,共7页
采用Sunsolve光学模拟和Quokka3器件模拟,研究电池膜层结构、膜层材料和膜层厚度、正面接触电阻、硅片电阻率和正面细栅中心间距对HJT太阳电池光电性能的影响。基于常规的HJT太阳电池,背面采用MgFx/Ag背反射器,同时正背面ITO的厚度减薄...
采用Sunsolve光学模拟和Quokka3器件模拟,研究电池膜层结构、膜层材料和膜层厚度、正面接触电阻、硅片电阻率和正面细栅中心间距对HJT太阳电池光电性能的影响。基于常规的HJT太阳电池,背面采用MgFx/Ag背反射器,同时正背面ITO的厚度减薄至12 nm,提高背面的长波反射,降低背面寄生吸收。正面将高寄生吸收的nc-Si:H(n)/ITO设置在栅线下方,非栅线区域采用高透明的SiNx/SiOx叠层减反膜,显著降低正面寄生吸收和前表面反射,电池短路电流提高1.63 mA/cm^(2),达到41.75 mA/cm^(2)。采用模拟优化的正面细栅中心间距为1.25 mm,电阻率为1Ω·cm,正面接触电阻为0.2 mΩ·cm^(2)的设计,实现效率27%的局域钝化接触HJT太阳电池的设计。对比常规的HJT太阳电池,效率提高0.97%,同时正背面减薄的ITO设计降低了HJT太阳电池的制备成本。
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关键词
太阳电池
晶体硅
异质结
光电设计
局域接触
模拟计算
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职称材料
题名
p型TOPCon晶体硅太阳电池局域硼重掺杂发射极的光电性能研究
1
作者
林文杰
王皓正
余学功
王永谦
邱开富
机构
浙江
大学硅及先进半导体材料全国重点实验室
浙江爱旭太阳能科技有限公司
出处
《太阳能学报》
北大核心
2025年第6期238-244,共7页
基金
国家自然科学基金(62025403,U23A20354)
浙江省科技厅领雁计划(2022C01215,2024C01092)。
文摘
该文研究硼重掺杂发射极的表面形貌和硼扩散工艺对光照钝化区域和金属接触区域的钝化性能、接触性质和寄生吸收以及电池性能的影响。对比抛光样品,制绒样品具有更低接触电阻测试值(2.5~3.2 mΩ·cm^(2))才能实现高效局域p++接触的pTOPCon电池设计。采用3000 s的硼扩推进时间和更低接触电阻的新AgAl栅线接触(0.5 mΩ·cm^(2)),权衡金属接触区域的接触性能、光照区域的光电特性和生产成本的影响,将局域p++接触的p-TOPCon电池模拟效率提高至24.62%。
关键词
太阳电池
晶体硅
光电设计
TOPCon
硼重扩散
局域接触
模拟计算
Keywords
solar cell
crystalline silicon
optoelectronic design
TOPCon
heavy boron diffusion
local contact
simulated calculation
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
效率27%的局域钝化接触HJT太阳电池的光电设计
2
作者
林文杰
王皓正
王永谦
邱开富
余学功
机构
浙江
大学硅及先进半导体材料全国重点实验室
出处
《太阳能学报》
2025年第9期611-617,共7页
基金
国家自然科学基金(62025403,U23A20354)
浙江省科技厅领雁计划项目(2022C01215,2024C01092)。
文摘
采用Sunsolve光学模拟和Quokka3器件模拟,研究电池膜层结构、膜层材料和膜层厚度、正面接触电阻、硅片电阻率和正面细栅中心间距对HJT太阳电池光电性能的影响。基于常规的HJT太阳电池,背面采用MgFx/Ag背反射器,同时正背面ITO的厚度减薄至12 nm,提高背面的长波反射,降低背面寄生吸收。正面将高寄生吸收的nc-Si:H(n)/ITO设置在栅线下方,非栅线区域采用高透明的SiNx/SiOx叠层减反膜,显著降低正面寄生吸收和前表面反射,电池短路电流提高1.63 mA/cm^(2),达到41.75 mA/cm^(2)。采用模拟优化的正面细栅中心间距为1.25 mm,电阻率为1Ω·cm,正面接触电阻为0.2 mΩ·cm^(2)的设计,实现效率27%的局域钝化接触HJT太阳电池的设计。对比常规的HJT太阳电池,效率提高0.97%,同时正背面减薄的ITO设计降低了HJT太阳电池的制备成本。
关键词
太阳电池
晶体硅
异质结
光电设计
局域接触
模拟计算
Keywords
solar cells
silicon
heterojunction
optoelectronic design
local contact
simulated calculation
分类号
TM914.41 [电气工程]
TK514 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
p型TOPCon晶体硅太阳电池局域硼重掺杂发射极的光电性能研究
林文杰
王皓正
余学功
王永谦
邱开富
《太阳能学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
效率27%的局域钝化接触HJT太阳电池的光电设计
林文杰
王皓正
王永谦
邱开富
余学功
《太阳能学报》
2025
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职称材料
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