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12英寸硅单晶生长过程中熔液面位置控制方法研究 被引量:2
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作者 朱亮 周旗钢 +3 位作者 戴小林 张果虎 曹建伟 邱敏秀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1343-1347,1352,共6页
集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置。传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展。本文提出并实现了一种采用CC... 集成电路用12英寸硅单晶生长过程中,为满足晶体生长界面附近温度梯度的要求,需要测量并控制晶体生长过程中硅熔体液面位置。传统的设定坩埚上升速度和激光测距的方法有时不能适应直拉硅单晶生长技术的发展。本文提出并实现了一种采用CCD图像捕捉和测量液面位置的方法,结合调节坩埚上升速度来控制液面高度,最终可以满足生长集成电路用12英寸硅单晶的需要。 展开更多
关键词 直拉法 硅单晶 液面位置
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450 kg泡生法蓝宝石晶体成功生长 被引量:3
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作者 欧阳鹏根 张俊 +3 位作者 宋建军 付春雷 曹建伟 石刚 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第6期990-991,共2页
采用自主研制的泡生法长晶炉,成功生长出全球最大的450kg蓝宝石晶体,可加工形成615mm×415mm大尺寸蓝宝石面板,气泡度达到A级以上。该晶体可产出6000mm长、4inch直径的LED级晶棒,单位毫米成本相比150kg晶体下降45%以上。
关键词 蓝宝石晶体 泡生法 蓝宝石面板 LED
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环形金刚石线锯开方单晶硅棒试验研究 被引量:2
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作者 高红刚 郑丽霞 《工具技术》 北大核心 2021年第6期89-93,共5页
通过环形金刚石线锯开方单晶硅棒试验,分析了影响环形金刚线锯切割能力的因素及其切割硅棒的能力和切割失效机理,结果表明:相同跑线方式下,相比于冷却水流量10L/min工况下,在20L/min时更有利于维持环形金刚石线锯切割能力;在张力100N、... 通过环形金刚石线锯开方单晶硅棒试验,分析了影响环形金刚线锯切割能力的因素及其切割硅棒的能力和切割失效机理,结果表明:相同跑线方式下,相比于冷却水流量10L/min工况下,在20L/min时更有利于维持环形金刚石线锯切割能力;在张力100N、线速度30m/s、进刀速度20mm/min的工况下,环形金刚石线锯总开方深度为2635mm,其失效形式主要为磨粒磨损与镀层磨损。在金刚线切割过程中,受张力以及切割时硅棒的反作用力影响,易导致金刚石磨粒和镀层开裂、磨粒脱落;同时,因导轮处反复折弯换向,钢线出现松散,最终引起环形金刚石线锯韧性断裂;随着切割深度的增加,环形金刚线锯开方后的硅棒表面粗糙度呈现先降后升的趋势,但变化幅度不大,表面粗糙度的数值均小于1μm,表面质量良好。 展开更多
关键词 环形金刚石线锯 单晶硅 切割失效机理 冷却 表面粗糙度
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定拉速生长对Φ300 mm直拉硅单晶生长影响分析 被引量:2
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作者 高宇 朱亮 +1 位作者 张俊 娄中士 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第5期811-814,823,共5页
作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态。恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少。本研究实现了... 作为集成电路制备的衬底材料,对硅单晶的均匀性以及微缺陷的尺寸、密度要求极高。传统直拉法生长硅单晶过程中,通过拉速变化控制晶体直径,因此拉速始终处于波动状态。恒定拉速对晶体均匀性及缺陷密度、尺寸的影响研究较少。本研究实现了在35±0.7 mm/h的拉速范围内生长出直径300 mm硅单晶,对晶体片间和片内电阻率分布以及FPD缺陷分布进行了检测,结果显示,在更小拉速波动阶段,晶体的电阻率均匀性得到改善,FPD缺陷密度降低。 展开更多
关键词 硅单晶 直拉法 提拉速度
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基于自适应反演的超细金刚线张力控制系统 被引量:7
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作者 周锋 郑丽霞 +1 位作者 沈烨超 金波 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第24期2995-3000,3007,共7页
针对多线切割机张力控制系统存在库仑摩擦和摆角耦合等较强非线性特征,以及收放卷轮直径变化引起的参数不确定问题,提出了一种基于自适应反演的非线性补偿控制方法。该方法结合实验辨识和自适应参数控制器设计方法分别对多线切割机的多... 针对多线切割机张力控制系统存在库仑摩擦和摆角耦合等较强非线性特征,以及收放卷轮直径变化引起的参数不确定问题,提出了一种基于自适应反演的非线性补偿控制方法。该方法结合实验辨识和自适应参数控制器设计方法分别对多线切割机的多轴电机同步运动控制系统和不确定系统参数进行简化分析和在线估计,使用李雅普诺夫稳定性理论保证了系统全局渐近稳定性以及系统状态的有界性。仿真和实验结果表明,所设计的自适应控制器可以实现多轴同步运动,并将张力摆角控制在较小的范围内,获得更高的张力控制精度。 展开更多
关键词 多线切割机 非线性 自适应控制 多轴同步 张力控制
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液压推进型水下机器人的运动控制方法研究 被引量:5
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作者 田烈余 周锋 +1 位作者 张培豪 陈宗恒 《机电工程》 CAS 北大核心 2018年第7期694-697,共4页
针对液压推进型水下机器人的定向控制问题,对液压推进器的比例滞环、机器人多自由度运动模型、控制器设计等方面进行了研究,提出了液压推进器转速PI控制与ROV定向PID控制相结合的控制方法;在Matlab/Simulink中建立了海马号水下机器人的... 针对液压推进型水下机器人的定向控制问题,对液压推进器的比例滞环、机器人多自由度运动模型、控制器设计等方面进行了研究,提出了液压推进器转速PI控制与ROV定向PID控制相结合的控制方法;在Matlab/Simulink中建立了海马号水下机器人的六自由度动力学模型,并设计了带螺旋桨转速PI闭环的定向控制器;该定向控制器包括控制手柄输入、定向PID控制器、推力分配及合成矩阵、螺旋桨转速PI控制器等,利用仿真试验模型对控制器进行了抗干扰测试。仿真结果表明:所提出的复合PID控制器可显著减小由于液压推进器推力不一致引起的定向角度控制误差,具有比常规PID控制器更好的控制性能。 展开更多
关键词 液压推进器 PID控制 转速闭环 运动控制
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高能喷丸304不锈钢应力腐蚀敏感性试验研究 被引量:4
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作者 黄六一 钟丰平 +3 位作者 王学斌 高红刚 张宏亮 卢志明 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第6期670-674,共5页
高能喷丸(HESP)处理具有比普通机械喷丸更高的能量,因此表面强化效果更好。笔者对304不锈钢板状试样进行高能喷丸强化处理,采用X射线洐射(XRD)方法分析了试样表层的金相组织和晶粒大小。对经高能喷丸处理的试样进行了慢应变速率拉伸腐... 高能喷丸(HESP)处理具有比普通机械喷丸更高的能量,因此表面强化效果更好。笔者对304不锈钢板状试样进行高能喷丸强化处理,采用X射线洐射(XRD)方法分析了试样表层的金相组织和晶粒大小。对经高能喷丸处理的试样进行了慢应变速率拉伸腐蚀试验(SSRT),研究了喷丸压力和喷丸时间等工艺参数对304不锈钢应力腐蚀敏感性的影响。结果表明:304不锈钢板试样经高能喷丸处理后,在含氯离子溶液中的抗应力腐蚀开裂性能明显提高,随着喷丸压力增大(或喷丸时间的增加),试样应力腐蚀敏感性指数呈现先减小后增大的变化趋势。 展开更多
关键词 304不锈钢 高能喷丸 X射线衍射 应力腐蚀敏感性
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高频加热线圈台阶对区熔炉磁场的影响 被引量:2
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作者 曹建伟 傅林坚 +6 位作者 沈文杰 朱亮 张俊 石刚 欧阳鹏根 叶欣 邱敏秀 《机电工程》 CAS 2013年第11期1397-1400,共4页
区熔法是生长单晶硅的重要方法之一,针对区熔法生长单晶硅过程因多晶硅熔化表面热量不均匀而出现"冷针"的问题,利用有限元法对生长区熔硅单晶进行了数值模拟。区熔法生长单晶硅采用高频感应加热,高频加热线圈是区熔炉最为关... 区熔法是生长单晶硅的重要方法之一,针对区熔法生长单晶硅过程因多晶硅熔化表面热量不均匀而出现"冷针"的问题,利用有限元法对生长区熔硅单晶进行了数值模拟。区熔法生长单晶硅采用高频感应加热,高频加热线圈是区熔炉最为关键的部件之一,线圈的结构、尺寸直接影响到磁场及焦耳热的分布及熔区形状。基于此,建立了有台阶线圈和无台阶线圈下的两种模型,对比了两种模型下熔区附近磁场分布和焦耳热分布,着重分析了高频加热线圈的台阶对磁场及焦耳热分布的影响。研究结果表明,高频加热线圈的结构会直接影响到熔区附近磁场的分布,进而影响熔区生成的焦耳热分布,线圈台阶可使磁场在熔区附近分布得更均匀,从而有效地解决了"冷针"问题。 展开更多
关键词 区熔法 线圈台阶 数值模拟
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反射环对区熔炉温度场的影响 被引量:1
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作者 傅林坚 曹建伟 +6 位作者 沈文杰 朱亮 张俊 石刚 欧阳鹏根 叶欣 邱敏秀 《机电工程》 CAS 2014年第1期62-66,共5页
针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,... 针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,得到了两种模型下的单晶温度分布图,并对比分析了两种模型下的单晶外表面温度分布及纵向温度梯度分布。研究结果表明,反射环可改善温度场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并有效解决了生长过程中单晶硅易出现裂纹的问题。 展开更多
关键词 悬浮区熔法 反射环 数值模拟 温度场
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