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几种低压气相沉积技术制备立方氮化硼膜的新进展
被引量:
2
1
作者
邱东江
郝天亮
石成儒
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2000年第1期1-5,共5页
介绍了 c-BN的优异特性及应用前景。评述了 c-BN膜的几种低压物 理气相沉积(PVD)和低压化学气相沉积(CVD)制备方法,分析其成膜特点及对c- BN形成有显著影响的工艺参数。介绍了当前c-BN膜研究取得的成果,对...
介绍了 c-BN的优异特性及应用前景。评述了 c-BN膜的几种低压物 理气相沉积(PVD)和低压化学气相沉积(CVD)制备方法,分析其成膜特点及对c- BN形成有显著影响的工艺参数。介绍了当前c-BN膜研究取得的成果,对如何提 高成膜质量提出了自己的一些看法。
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关键词
PVD
CVD
氮化硼薄膜
低压气相沉积
薄膜
镀膜
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职称材料
混胺丙二酸合铂(Ⅱ)混配配合物的合成、表征、X射线指标化及抗肿瘤活性的初步研究
被引量:
1
2
作者
张金超
龚钰秋
+2 位作者
郑小明
陈林深
吕光烈
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
2000年第3期249-252,共4页
在制得三个前体配合物 cis-Pt(CH3NH2 ) 2 I2 、[Pt(CH3NH2 ) I2 ]2 和 cis-Pt(NH3) (CH3NH2 ) I2 的基础上 ,成功地获得一种新的混胺丙二酸合铂 ( )类配合物 (NH3) (CH3NH2 ) Pt[(O2 C) 2 CH2 ]· 0 .5 H2 O。用元素分析、红外光...
在制得三个前体配合物 cis-Pt(CH3NH2 ) 2 I2 、[Pt(CH3NH2 ) I2 ]2 和 cis-Pt(NH3) (CH3NH2 ) I2 的基础上 ,成功地获得一种新的混胺丙二酸合铂 ( )类配合物 (NH3) (CH3NH2 ) Pt[(O2 C) 2 CH2 ]· 0 .5 H2 O。用元素分析、红外光谱、紫外光谱、氢核磁共振谱及摩尔电导等方法对其进行了性质表征 ,通过 Dicvol91指标化程序对配合物的 X射线粉末图进行了指标化 ,确定该晶本属单斜晶系 ,晶胞参数 :a=8.744 0 ,b=1 1 .5 90 2 ,c=4.40 96 ,β=96.2 3 3°,z=2。同时采用 MTT法测定了配合物对人的三种白血病细胞 HL-60、K5 62和 U93 7的抗癌活性。
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关键词
配合物
抗肿瘤活性
混胺丙二酸合铂
合成
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职称材料
纳米锐钛矿相二氧化钛中的晶格畸变
3
作者
叶锡生
金玉仁
+1 位作者
吕光烈
焦正宽
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000年第z2期597-599,共3页
借助精确的X射线衍射(XRD)测量,对不同晶粒度纳米锐钛矿相二氧化钛(n-A-TiO2)样品的晶粒微结构进行了细致研究,给出了标明晶面指数(hkl)和晶面间距dhkl值的系列XRD谱,并得到了晶面间距、晶格常数、轴比、晶胞体积等参数数值及其相对常...
借助精确的X射线衍射(XRD)测量,对不同晶粒度纳米锐钛矿相二氧化钛(n-A-TiO2)样品的晶粒微结构进行了细致研究,给出了标明晶面指数(hkl)和晶面间距dhkl值的系列XRD谱,并得到了晶面间距、晶格常数、轴比、晶胞体积等参数数值及其相对常规粗晶的变化情况,从而初步揭示出该样品晶粒微结构的尺寸效应.作者首次发现,纳米锐钛矿相二氧化钛样品中存在着非单调的备向异性晶格畸变.
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关键词
纳米锐钛矿相二氧化钛
晶格畸变
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职称材料
基于多β晶体管的三值全功能触发器及其应用
4
作者
周选昌
吴训威
《杭州大学学报(自然科学版)》
CSCD
1999年第1期47-53,共7页
本文在分析多β晶体管工作原理的基础上,提出了利用多β晶体管结合ECL构成三值开关,并以此为基础设计了三值D型锁存器和三值主从型D触发器.本文还设计了三值全功能触发器,并讨论了三值全功能触发器的逻辑功能及其激励函数,最...
本文在分析多β晶体管工作原理的基础上,提出了利用多β晶体管结合ECL构成三值开关,并以此为基础设计了三值D型锁存器和三值主从型D触发器.本文还设计了三值全功能触发器,并讨论了三值全功能触发器的逻辑功能及其激励函数,最后应用全功能触发器对时序电路的实例进行了设计,实例设计表明应用该触发器可以简化电路结构,提高电路的工作速度.
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关键词
多Β晶体管
锁存器
T门
触发器
全功能触发器
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职称材料
影片长度及画面幅数测定装置
5
作者
汪霖
杜金潮
+1 位作者
吴剑钟
沈剑峰
《浙江大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
1999年第2期38-41,共4页
影片剪辑机上需要一个计数器,以随时显示当时影片的长度和第几个画面.本文介绍由作者研制的一种装置,它采用非接触式检测原理,能准确地测定影片的长度和画面的幅数.
关键词
影片长度
画面幅数
计数器
影片剪辑机
测定装置
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职称材料
题名
几种低压气相沉积技术制备立方氮化硼膜的新进展
被引量:
2
1
作者
邱东江
郝天亮
石成儒
机构
浙江大学西溪校区中心实验室
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2000年第1期1-5,共5页
基金
浙江省自然科学基金
文摘
介绍了 c-BN的优异特性及应用前景。评述了 c-BN膜的几种低压物 理气相沉积(PVD)和低压化学气相沉积(CVD)制备方法,分析其成膜特点及对c- BN形成有显著影响的工艺参数。介绍了当前c-BN膜研究取得的成果,对如何提 高成膜质量提出了自己的一些看法。
关键词
PVD
CVD
氮化硼薄膜
低压气相沉积
薄膜
镀膜
Keywords
C-BN films PVD CVD
分类号
TQ128.1 [化学工程—无机化工]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
混胺丙二酸合铂(Ⅱ)混配配合物的合成、表征、X射线指标化及抗肿瘤活性的初步研究
被引量:
1
2
作者
张金超
龚钰秋
郑小明
陈林深
吕光烈
机构
浙江大学
西
溪
校
区
化学系
浙江大学西溪校区中心实验室
出处
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
2000年第3期249-252,共4页
基金
浙江省自然科学基金!资助项目 (编号 2 980 6 8)
文摘
在制得三个前体配合物 cis-Pt(CH3NH2 ) 2 I2 、[Pt(CH3NH2 ) I2 ]2 和 cis-Pt(NH3) (CH3NH2 ) I2 的基础上 ,成功地获得一种新的混胺丙二酸合铂 ( )类配合物 (NH3) (CH3NH2 ) Pt[(O2 C) 2 CH2 ]· 0 .5 H2 O。用元素分析、红外光谱、紫外光谱、氢核磁共振谱及摩尔电导等方法对其进行了性质表征 ,通过 Dicvol91指标化程序对配合物的 X射线粉末图进行了指标化 ,确定该晶本属单斜晶系 ,晶胞参数 :a=8.744 0 ,b=1 1 .5 90 2 ,c=4.40 96 ,β=96.2 3 3°,z=2。同时采用 MTT法测定了配合物对人的三种白血病细胞 HL-60、K5 62和 U93 7的抗癌活性。
关键词
配合物
抗肿瘤活性
混胺丙二酸合铂
合成
Keywords
mixed amine
platinum
complexes
antitumor activity
分类号
TQ463.6 [化学工程—制药化工]
R979.1 [医药卫生—药品]
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职称材料
题名
纳米锐钛矿相二氧化钛中的晶格畸变
3
作者
叶锡生
金玉仁
吕光烈
焦正宽
机构
西
北核技术研究所
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000年第z2期597-599,共3页
基金
西北核技术研究所高新技术研究项目(No.012069901).
文摘
借助精确的X射线衍射(XRD)测量,对不同晶粒度纳米锐钛矿相二氧化钛(n-A-TiO2)样品的晶粒微结构进行了细致研究,给出了标明晶面指数(hkl)和晶面间距dhkl值的系列XRD谱,并得到了晶面间距、晶格常数、轴比、晶胞体积等参数数值及其相对常规粗晶的变化情况,从而初步揭示出该样品晶粒微结构的尺寸效应.作者首次发现,纳米锐钛矿相二氧化钛样品中存在着非单调的备向异性晶格畸变.
关键词
纳米锐钛矿相二氧化钛
晶格畸变
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
基于多β晶体管的三值全功能触发器及其应用
4
作者
周选昌
吴训威
机构
浙江大学西溪校区中心实验室
浙江大学
西
溪
校
区
电子工程系
出处
《杭州大学学报(自然科学版)》
CSCD
1999年第1期47-53,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文在分析多β晶体管工作原理的基础上,提出了利用多β晶体管结合ECL构成三值开关,并以此为基础设计了三值D型锁存器和三值主从型D触发器.本文还设计了三值全功能触发器,并讨论了三值全功能触发器的逻辑功能及其激励函数,最后应用全功能触发器对时序电路的实例进行了设计,实例设计表明应用该触发器可以简化电路结构,提高电路的工作速度.
关键词
多Β晶体管
锁存器
T门
触发器
全功能触发器
Keywords
multiple β transistor latch T gate flip flop
分类号
TN783 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
影片长度及画面幅数测定装置
5
作者
汪霖
杜金潮
吴剑钟
沈剑峰
机构
浙江大学西溪校区中心实验室
出处
《浙江大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
1999年第2期38-41,共4页
文摘
影片剪辑机上需要一个计数器,以随时显示当时影片的长度和第几个画面.本文介绍由作者研制的一种装置,它采用非接触式检测原理,能准确地测定影片的长度和画面的幅数.
关键词
影片长度
画面幅数
计数器
影片剪辑机
测定装置
Keywords
film length
number of frames
sensing unit
counter
分类号
TB855 [一般工业技术—摄影技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
几种低压气相沉积技术制备立方氮化硼膜的新进展
邱东江
郝天亮
石成儒
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
2000
2
在线阅读
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职称材料
2
混胺丙二酸合铂(Ⅱ)混配配合物的合成、表征、X射线指标化及抗肿瘤活性的初步研究
张金超
龚钰秋
郑小明
陈林深
吕光烈
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
纳米锐钛矿相二氧化钛中的晶格畸变
叶锡生
金玉仁
吕光烈
焦正宽
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
基于多β晶体管的三值全功能触发器及其应用
周选昌
吴训威
《杭州大学学报(自然科学版)》
CSCD
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
影片长度及画面幅数测定装置
汪霖
杜金潮
吴剑钟
沈剑峰
《浙江大学学报(理学版)》
CAS
CSCD
1999
0
在线阅读
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职称材料
已选择
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