硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响 被引量：6

1

作者 张溪文 沈大可 韩高荣 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第1期30-33,16,共5页

以硅烷 (SiH4 )和硼烷 (B2 H6)为气相反应先驱体 ,采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)制备出轻掺硼非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明 ,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率 ,降低了非晶氢硅薄... 以硅烷 (SiH4 )和硼烷 (B2 H6)为气相反应先驱体 ,采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)制备出轻掺硼非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明 ,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率 ,降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比 ,并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长。红外吸收谱研究预示了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体 ,仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 硼掺杂 半导体 等离子增强化学气相沉积 微结构 光电性能

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特种化学气相沉积法制备大面积纳米硅薄膜的微结构和电学性能研究 被引量：2

2

作者 张溪文 韩高荣 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期381-385,共5页

采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜。高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明 ,成膜温度对薄膜微结构有关键影响 ,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的长大。 6 ... 采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜。高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明 ,成膜温度对薄膜微结构有关键影响 ,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的长大。 6 6 0℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为 8～ 12nm ,晶态率为 5 0 %的纳米Si晶粒 ,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征。用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明 ,随成膜温度的升高 ,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低 ,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系。研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响 ,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率 。 展开更多

关键词 纳米硅薄膜 暗电导率 化学气相沉积 制备 电学性能 晶态率

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单晶硅中氮杂质研究进展 被引量：2

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作者 阙端麟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期3-,共1页

氮在硅单晶中有特殊的作用 ,它对于硅性能的影响正在被深入地研究 ,目前正成为硅单晶科学技术发展的前沿之一。1 .Ⅴ族元素磷、砷、锑和Ⅲ族元素硼、铟、铝等分别分为硅半导体的施主和受主。而氮作为5族元素在硅中不是施主杂质不取替代... 氮在硅单晶中有特殊的作用 ,它对于硅性能的影响正在被深入地研究 ,目前正成为硅单晶科学技术发展的前沿之一。1 .Ⅴ族元素磷、砷、锑和Ⅲ族元素硼、铟、铝等分别分为硅半导体的施主和受主。而氮作为5族元素在硅中不是施主杂质不取替代位置。( 1 )一般认为氮是以双原子氮对形式存在于硅晶体中 ,具体的微观结构有各种不同的观点 ,有待进一步研究。( 2 )硅中氮对单晶的电学性能有影响 ,研究发现了氮对氧施主的影响 ,氮对热施主的微弱影响和对新施主的抑制作用。含氮硅单晶经 6 5 0～ 80 0℃热处理又发现新的施主效应 ,称之为氮关施主。研究发现了消除氮关施主的技术。低温远红外和光热电离谱确认了氮关施主的浅能级 ;深能级谱表明氮不在硅中引入深能级。磁场直拉 (MCZ)降低了硅中氧含量、即消除了氮关施主。结果支持了氮氮氧复合体的理论观点。2 .氮杂质有增强硅片机械强度的作用 ,在FZ法生长单晶中已成为专利技术。但对含氧CZ硅已有了氧的增强作用 ,微量氮是否有明显增强作用有重要意义。最近用引入压痕热处理观察位错滑移的方法 ,证明氮在CZ硅中也有好的增强作用。3.硅单晶用于集成电路制造对晶体完整性的要求不断提高。一方面在晶体生长技术上精益求精。一方面采用缺陷工程的方法 ,即用吸除技术在硅片? 展开更多

关键词 硅单晶 掺氮 引上法晶体生长

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硅中的氮氧复合物及其施主行为

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作者 张锦心 刘培东 李立本 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 2000年第6期660-664,共5页

含氮 CZ硅的电学性能完全有别于含氮的 FZ硅和无氮的 CZ硅 .研究表明 ,含氮 CZ硅能形成一种与氮有关的新施主 ,它随氮氧复合物的形成而形成 ,随氮氧复合物的消失而消失 .文章进一步研究了氮 -新施主的形成和消除与热处理条件的关系 。

关键词 氮-氧复合物 氮-新施主 CZ硅 半导体材料 热处理

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硅片中金属镍的沉淀和稳定

5

作者 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第1期57-59,共3页

金属镍是大规模集成电路中常被发现的杂质，它的沉淀严重影响着集成电路的性能。本文阐述了在集成电路工艺中镍沾污的可能途径，镍在硅中的基本性质，说明了镍的沉淀性质和与硅材料扩散长度的关系，也说明了镍沉淀的稳定性。

关键词 杂质 镍 硅片 沉淀 稳定性 集成电路

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激光辐照对CdSe/PMMA纳米复合材料光致发光的影响 被引量：4

6

作者 徐飞 马向阳 +1 位作者 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期223-225,199,共4页

本文用共混法制备CdSe/PMMA纳米复合材料,用荧光光谱(PL)研究了该复合材料的发光性质。通过延长激光照射时间并进行原位PL跟踪测试,我们发现了该复合材料中有机物基体发光不断减弱而CdSe纳米粒子发光不断增强且稍许红移的现象。我们对... 本文用共混法制备CdSe/PMMA纳米复合材料,用荧光光谱(PL)研究了该复合材料的发光性质。通过延长激光照射时间并进行原位PL跟踪测试,我们发现了该复合材料中有机物基体发光不断减弱而CdSe纳米粒子发光不断增强且稍许红移的现象。我们对于这一现象的起因做出了初步的解释。 展开更多

关键词 CDSE PMMA PL 纳米复合材料

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超大规模集成电路硅片的内吸杂 被引量：2

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作者 汤艳 杨德仁 +3 位作者 马向阳 李东升 樊瑞新 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期73-75,81,共4页

介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。

关键词 超大规模集成电路 硅片 内吸杂工艺 金属 氧 杂质 热处理

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重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示 被引量：2

8

作者 方敏 杨德仁 +1 位作者 马向阳 阙端麟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期212-214,共3页

本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。

关键词 直拉单晶硅 重掺硼 FPD

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高分子缓蚀剂的合成及其在钢筋混凝土中的应用 被引量：4

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作者 林薇薇 王胜先 +2 位作者 张鉴清 袁骏 季振国 《电化学》 CAS CSCD 1999年第1期43-48,共6页

合成了硫脲二乙烯三胺缩聚物（ＥＴ），用动电位极化曲线及电化学阻抗谱研究其在混凝土孔隙模拟液及混凝土中对钢筋腐蚀的抑制作用．结果表明，这是一种混合型缓蚀剂，对钢筋的点蚀也有较好的抑制作用．在模拟液中添加１％该缓蚀剂... 合成了硫脲二乙烯三胺缩聚物（ＥＴ），用动电位极化曲线及电化学阻抗谱研究其在混凝土孔隙模拟液及混凝土中对钢筋腐蚀的抑制作用．结果表明，这是一种混合型缓蚀剂，对钢筋的点蚀也有较好的抑制作用．在模拟液中添加１％该缓蚀剂就可以使氯子的容忍度从０．０２ｍｏｌ／Ｌ提高到０．１０ｍｏｌ／Ｌ，并与ＮａＮＯ２有较好的协同作用．既能吸附于钢筋表面，还能提高混凝土的密实度，减缓电解质渗透．对于钢筋混凝土的腐蚀防护具有一定的应用前景． 展开更多

关键词 钢筋混凝土 腐蚀 缓蚀剂 聚合物

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Ge(111)表面氯自组装系统的近边X射线吸收精细结构理论研究

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作者 曹松 唐景昌 +1 位作者 汪雷 李攀峰 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期270-273,共4页

利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸... 利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸附系统的局域结构 ;Cl吸附在Ge(111)面的顶位 ,吸附高度是 0 2 15± 0 0 0 5nm ,Cl在Ge(111)表面自组装形成了一个单分子层。这些结果和广延X射线吸收精细结构 (EXFAS) 展开更多

关键词 Ge(111)表面 氯自组装系统 半导体 锗(111) 表面自组装 多重散团簇方法 近边X射线吸收精细结构

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Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究 被引量：1

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作者 沈少来 唐景昌 +1 位作者 曹松 汪雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1054-1058,共5页

利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0... 利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。 展开更多

关键词 近边X射线吸收精细结构 CI/GaAs(111) 吸附表面 多重散射团簇方法 砷化镓 半导体

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