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N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
1
作者
蔡文浩
黄建浩
+1 位作者
李东升
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期132-134,共3页
采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后...
采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。
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关键词
富硅氮化硅
N2O等离子体
光致发光
电致发光
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职称材料
半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用
被引量：
3
2
作者
栾庆彬
皮孝东
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第21期1-7,共7页
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到...
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。
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关键词
薄膜晶体管
有源层
半导体
纳米晶体
硒化镉
碲化汞
硒化铅
锗
硅
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职称材料
SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合
3
作者
任常瑞
胡翔
+1 位作者
李东升
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期139-141,共3页
本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+...
本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。
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关键词
SiNx:Tb^3+薄膜
银岛膜
衰减时间
表面等离激元
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职称材料
题名
N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
1
作者
蔡文浩
黄建浩
李东升
杨德仁
机构
浙江大学
硅
材料
国家
重点
实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期132-134,共3页
基金
"973计划"基金资助项目(2007CB613403)
教育部"长江学者和创新团队发展计划资助"项目(IRT0651)
文摘
采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。
关键词
富硅氮化硅
N2O等离子体
光致发光
电致发光
Keywords
silicon-rich silicon nitride
N2O plasma
photoluminescence
electroluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用
被引量：
3
2
作者
栾庆彬
皮孝东
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第21期1-7,共7页
基金
国家自然科学基金委员会优秀青年科学基金(61222404)
文摘
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。
关键词
薄膜晶体管
有源层
半导体
纳米晶体
硒化镉
碲化汞
硒化铅
锗
硅
Keywords
thin film transistor
active layer
semiconductor nanocrystals
CdSe
HgTe
PbSe
PbTe
Ge
Si
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合
3
作者
任常瑞
胡翔
李东升
杨德仁
机构
浙江大学
硅
材料
国家
重点
实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期139-141,共3页
基金
自然科学基金资助项目60606001
"973计划"资助项目(2007CB613403)
教育部"长江学者和创新团队发展计划资助"项目(IRT0651)
文摘
本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。
关键词
SiNx:Tb^3+薄膜
银岛膜
衰减时间
表面等离激元
Keywords
SiNx
Tb^3＋ film
Silver island film
decay time
surface plasmon polarition
分类号
Q484.4 [生物学—生理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响
蔡文浩
黄建浩
李东升
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用
栾庆彬
皮孝东
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
SiN_x:Tb^(3+)薄膜中Tb^(3+)与银表面等离激元耦合
任常瑞
胡翔
李东升
杨德仁
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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