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UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究
1
作者
王亚东
黄靖云
+3 位作者
叶志镇
汪雷
马德群
赵炳辉
《材料科学与工程》
CSCD
北大核心
2001年第2期33-35,共3页
本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了...
本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17～ 10 18cm-3 。
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关键词
超高真空化学气相沉积
硅
外延
硼
掺杂
半导体材料
生长
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职称材料
题名
UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究
1
作者
王亚东
黄靖云
叶志镇
汪雷
马德群
赵炳辉
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心
出处
《材料科学与工程》
CSCD
北大核心
2001年第2期33-35,共3页
基金
浙江省计划项目资助
文摘
本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17～ 10 18cm-3 。
关键词
超高真空化学气相沉积
硅
外延
硼
掺杂
半导体材料
生长
Keywords
UHV/CVD
Real time B doped
Si epilayer
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究
王亚东
黄靖云
叶志镇
汪雷
马德群
赵炳辉
《材料科学与工程》
CSCD
北大核心
2001
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职称材料
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