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表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb^(3+)离子荧光寿命的影响 被引量:1
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作者 胡翔 李东升 +2 位作者 程培红 袁志钟 杨德仁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期684-688,共5页
利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响。实验结果表明氮化硅中Tb3+离子的光致荧光最强... 利用等离子增强化学气相沉积和离子注入方法,制备了铽掺杂的氮化硅薄膜,然后利用磁控溅射和热处理工艺在薄膜上沉积了不同颗粒尺寸的银薄膜来研究表面等离激元共振对铽离子荧光寿命的影响。实验结果表明氮化硅中Tb3+离子的光致荧光最强峰在547 nm,而银薄膜的存在会明显降低稀土离子Tb3+的荧光寿命,其寿命的改变是由于银薄膜的表面等离激元改变了电磁场的分布,从而影响了系统的局域光模密度(PMD),理论计算的结果也验证了这一点。 展开更多
关键词 光致荧光 荧光寿命 表面等离激元共振
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扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光性能 被引量:1
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作者 李斯 高宇晗 +2 位作者 梁峰 李东升 杨德仁 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期625-628,共4页
采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰... 采用扩散法制备了两种掺杂浓度的硅pn结二极管,对它们的室温近红外电致发光性能进行了研究。结果表明,轻掺硅pn结二极管室温电致发光谱中只有带边峰(1.1eV),而重掺硅pn结二极管在较大的注入电流下,除带边峰外还有0.78eV发光峰,该发光峰的强度随注入电流增加呈指数增长。在低温光致发光谱中没有出现与缺陷相关的发光峰,在高分辨截面透射电镜照片中也没有发现位错或位错环等缺陷。0.78eV发光峰可能是由于大量硼扩散进入硅晶格内产生的应力造成带隙变化,注入的载流子在此处进行辐射复合产生的。 展开更多
关键词 扩硼 硅pn结发光二极管 近红外电致发光
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晶相形成对TiSi_2薄膜光学性能的影响 被引量:2
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作者 杜军 杜丕一 +4 位作者 韩高荣 翁文剑 汪建勋 郝鹏 黄燕飞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1185-1190,共6页
通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜,用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2;薄膜的电阻率直接由晶相的形成决... 通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜,用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2;薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定,受晶相颗粒大小和晶相致密度控制,TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400—750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比,薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区,薄膜电阻率越小,对红外辐射的反射比越高,且随着波长增加至25000nm,TiSi2薄膜的反射比逐渐上升到约0.95。 展开更多
关键词 常压化学气相沉积 硅化钛 薄膜 电阻率
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添加Ni元素对新型高强度低Cu中温铝合金钎料腐蚀性能的影响 被引量:4
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作者 王丽腾 罗伟 +1 位作者 宫海龙 王琪明 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期516-521,共6页
为研究添加Ni元素对Al-10Si-15Cu合金钎料耐腐蚀性能的影响,本文采用三电极方法测量了Al-10Si-15Cu和Al-10Si-15Cu-4Ni合金钎料在0.5MNaCl盐溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱,并利用XRD、SEM和EDS等技术分析腐蚀前后的表面成分和形... 为研究添加Ni元素对Al-10Si-15Cu合金钎料耐腐蚀性能的影响,本文采用三电极方法测量了Al-10Si-15Cu和Al-10Si-15Cu-4Ni合金钎料在0.5MNaCl盐溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱,并利用XRD、SEM和EDS等技术分析腐蚀前后的表面成分和形貌。结果表明,Al-10Si-15Cu-4Ni合金中主要含有α-Al、Si相、Al2Cu相及Al3(Cu,Ni)2相。在Al-10Si-15Cu钎料合金的基础上添加4wt.%Ni后,自腐蚀电流密度icorr从10.18μA cm-2降低到3.42μA cm-2,极化电阻RP提高近3倍,合金耐腐蚀性提高,而临界点蚀电位EPit4Ni负移,ΔE(=EPit-Ecorr)变小,点蚀倾向加剧。Al-10Si-15Cu-4Ni合金钎料中部分Cu元素固溶在粗大耐腐蚀相Al3Ni2中,抑制了腐蚀相Al2Cu相的生成;同时由于Ni的添加耐腐蚀块状Si相转变为片状结构,Al2Cu相聚集,从而增大了基体α-Al的相对面积,这两个方面均有利于钎料合金的耐腐蚀性的提高。 展开更多
关键词 铝合金 钎料 耐腐蚀性 点蚀
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纳米CaCO_3负载过渡金属CVD法制备多壁碳纳米管的研究 被引量:1
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作者 罗志强 张孝彬 +5 位作者 程继鹏 李昱 刘芙 陶新永 印万忠 韩跃新 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1879-1884,共6页
以纳米碳酸钙粉体为载体 ,用浸渍法制备了可用于化学气相沉积 ( CVD)法制备碳纳米管的高产率催化剂 .应用 FESEM,HRTEM,TEM,XRD和激光拉曼谱对产物进行了表征 .结果表明 ,由于纳米碳酸钙具有较大的比表面积 ,可高密度地承载催化剂活性组... 以纳米碳酸钙粉体为载体 ,用浸渍法制备了可用于化学气相沉积 ( CVD)法制备碳纳米管的高产率催化剂 .应用 FESEM,HRTEM,TEM,XRD和激光拉曼谱对产物进行了表征 .结果表明 ,由于纳米碳酸钙具有较大的比表面积 ,可高密度地承载催化剂活性组分 .在碳纳米管生长初期 ,处于缓慢分解状态的纳米碳酸钙才能有效地起到载体作用 ,且反应温度为 70 0~ 75 0℃时 ,碳纳米管的产率较高 .Fe-Co双金属催化剂在 70 0℃ ,催化生长 60 min后 ,可增重 1 0倍 ,而且产物中无定形碳含量极少 .纳米碳酸钙载体易于提纯 ,用质量分数为 3 0 %的硝酸超声提纯粗产品 1 h,可使纯度提高到 97% 。 展开更多
关键词 纳米碳酸钙负载过渡金属催化剂 多壁碳纳米管 化学气相沉积 制备 乙炔 裂解
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