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碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
1
作者
张序清
刘晓双
+6 位作者
张玺
朱如忠
高煜
吴琛
王蓉
杨德仁
皮孝东
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期9-13,共5页
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分...
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差。
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关键词
碳化硅
晶片加工
表面质量
各向异性
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职称材料
题名
碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
1
作者
张序清
刘晓双
张玺
朱如忠
高煜
吴琛
王蓉
杨德仁
皮孝东
机构
浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室/材料科学与工程学院
浙江大学
杭州国际科创中心
先进
半导体
研究院/
浙江
省宽禁带功率
半导体
材料
与器件
重点
实验室
浙江大学
物理
学院
浙江
机电职业技术
学院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期9-13,共5页
基金
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01021)
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200101)
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(91964107)。
文摘
碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺,衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析,发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层,提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性,C面材料韧性相对较差,加工过程中发生脆性断裂的程度更大,导致C面材料去除速率较快,表面形貌和粗糙度相对较差。
关键词
碳化硅
晶片加工
表面质量
各向异性
Keywords
4H-SiC
Wafer processing
Surface quality
Anisotropy
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅单晶加工对晶片表面质量的影响
张序清
刘晓双
张玺
朱如忠
高煜
吴琛
王蓉
杨德仁
皮孝东
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
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