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碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展
被引量：
3
1
作者
李国峰
陈泓谕
+5 位作者
杭伟
韩学峰
袁巨龙
皮孝东
杨德仁
王蓉
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第11期1907-1921,共15页
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC...
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC衬底加工过程中引入的表面/亚表面损伤均严重影响材料性能、同质外延薄膜性质,以及器件性能和可靠性。本文将重点介绍4H-SiC晶片在切片、减薄、研磨、抛光等各个加工环节中表面/亚表面损伤的形成和去除机制,基于4H-SiC晶圆表面/亚表面损伤的检测方法,综述亚表面损伤的形貌和表征参量,并简单介绍三种常见的亚表面损伤的消除方法,分析其技术优势和发展瓶颈,对去除亚表面损伤工艺的发展趋势进行了展望。
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关键词
半导体
4H-SIC
衬底晶圆
表面/亚表面损伤
晶圆加工
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职称材料
题名
碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展
被引量：
3
1
作者
李国峰
陈泓谕
杭伟
韩学峰
袁巨龙
皮孝东
杨德仁
王蓉
机构
浙江
工业
大学
超精密加工研究中心
浙江大学
杭州国际科创中心
浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室&材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第11期1907-1921,共15页
基金
国家自然科学基金(62274143,U22A2075,12204161,U20A20293)
浙江省“尖兵”“领雁”研发计划(2022C01021)
+2 种基金
国家重点研发计划(2018YFB2200101)
中央高校基本科研经费(2018XZZX003-02)
国家自然科学基金创新群体(61721005)。
文摘
表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料,在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛光和清洗,在4H-SiC衬底加工过程中引入的表面/亚表面损伤均严重影响材料性能、同质外延薄膜性质,以及器件性能和可靠性。本文将重点介绍4H-SiC晶片在切片、减薄、研磨、抛光等各个加工环节中表面/亚表面损伤的形成和去除机制,基于4H-SiC晶圆表面/亚表面损伤的检测方法,综述亚表面损伤的形貌和表征参量,并简单介绍三种常见的亚表面损伤的消除方法,分析其技术优势和发展瓶颈,对去除亚表面损伤工艺的发展趋势进行了展望。
关键词
半导体
4H-SIC
衬底晶圆
表面/亚表面损伤
晶圆加工
Keywords
semiconductor
4H-SiC
substrate wafer
surface/subsurface damage
wafer processing
分类号
TQ163.4 [化学工程—高温制品工业]
O786 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展
李国峰
陈泓谕
杭伟
韩学峰
袁巨龙
皮孝东
杨德仁
王蓉
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
3
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