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大直径单晶生长中稳定真空度和优化气流控制的改进措施
被引量：
1
1
作者
蒋科坚
许真知
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期1-3,共3页
随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现。大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求。本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以...
随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现。大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求。本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质。
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关键词
大直径单晶
直拉法
真空稳定性
气流控制
半导体
硅单晶
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职称材料
题名
大直径单晶生长中稳定真空度和优化气流控制的改进措施
被引量：
1
1
作者
蒋科坚
许真知
机构
浙江大学杭州海纳半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期1-3,共3页
文摘
随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现。大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求。本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质。
关键词
大直径单晶
直拉法
真空稳定性
气流控制
半导体
硅单晶
Keywords
Czhralski
major diameter crystal
vacuum stabilized
gas flow optimized
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大直径单晶生长中稳定真空度和优化气流控制的改进措施
蒋科坚
许真知
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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