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常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究
1
作者
孟祥森
马青松
+1 位作者
葛曼珍
杨辉
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2000年第2期19-21,共3页
我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40％，并具有良好的抗高温氧化性，这...
我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40％，并具有良好的抗高温氧化性，这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景。
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关键词
氮氧化硅
APCVD
高温氧化
改性
陶瓷薄膜
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职称材料
题名
常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究
1
作者
孟祥森
马青松
葛曼珍
杨辉
机构
浙江大学材料系硅材料科学国家重点实验室
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2000年第2期19-21,共3页
基金
国家自然科学基金
浙江省151人才工程资助
文摘
我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40％，并具有良好的抗高温氧化性，这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景。
关键词
氮氧化硅
APCVD
高温氧化
改性
陶瓷薄膜
Keywords
Silicon oxynitride APVCD hardness oxidation at high temperature surface modification
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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作者
出处
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1
常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究
孟祥森
马青松
葛曼珍
杨辉
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
2000
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