期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅基前体在先进集成电路制造中的应用与技术进展
1
作者
刘见华
袁振军
+4 位作者
常欣
赵喜哲
万烨
余学功
杨德仁
《化工进展》
北大核心
2025年第9期5255-5264,共10页
随着集成电路制造技术的发展,特别是进入28nm/14nm/7nm等先进制程,对晶体管器件、工艺和材料提出了新的要求。硅基前体材料因其高纯度和特定性能参数,在晶圆制造的外延工艺、光刻工艺、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中扮演着关键...
随着集成电路制造技术的发展,特别是进入28nm/14nm/7nm等先进制程,对晶体管器件、工艺和材料提出了新的要求。硅基前体材料因其高纯度和特定性能参数,在晶圆制造的外延工艺、光刻工艺、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中扮演着关键角色。文章重点分析和讨论了几种主要的硅基前体材料在先进集成电路制造中的应用现状、研究进展以及合成和提纯工艺技术,包括五氯乙硅烷(PCDS)、新戊硅烷(NPS)、二甲基二甲氧基硅烷(DMDMOS)、二乙氧基甲基硅烷(DEMS)、二异丙胺基硅烷(DIPAS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、正硅酸乙酯(TEOS)、一氯硅烷(MCS)、三甲硅烷基胺(TSA)和双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)等。
展开更多
关键词
硅基前体
先进集成电路
化学气相沉积
原子层沉积
合成工艺
提纯技术
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
硅基前体在先进集成电路制造中的应用与技术进展
1
作者
刘见华
袁振军
常欣
赵喜哲
万烨
余学功
杨德仁
机构
浙江大学材料科学与工程学院和硅及先进半导体材料全国重点实验室
洛阳中
硅
高科技有限公司
中国恩菲
工程
技术有限公司
硅
基
材料
制备技术国家
工程
研究中心
出处
《化工进展》
北大核心
2025年第9期5255-5264,共10页
基金
工信部产业基础再造和制造业高质量发展专项(TC230A076-228)。
文摘
随着集成电路制造技术的发展,特别是进入28nm/14nm/7nm等先进制程,对晶体管器件、工艺和材料提出了新的要求。硅基前体材料因其高纯度和特定性能参数,在晶圆制造的外延工艺、光刻工艺、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中扮演着关键角色。文章重点分析和讨论了几种主要的硅基前体材料在先进集成电路制造中的应用现状、研究进展以及合成和提纯工艺技术,包括五氯乙硅烷(PCDS)、新戊硅烷(NPS)、二甲基二甲氧基硅烷(DMDMOS)、二乙氧基甲基硅烷(DEMS)、二异丙胺基硅烷(DIPAS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、正硅酸乙酯(TEOS)、一氯硅烷(MCS)、三甲硅烷基胺(TSA)和双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)等。
关键词
硅基前体
先进集成电路
化学气相沉积
原子层沉积
合成工艺
提纯技术
Keywords
silicon-based precursors
advanced integrated circuits
CVD
ALD
synthesis process
purification technology
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅基前体在先进集成电路制造中的应用与技术进展
刘见华
袁振军
常欣
赵喜哲
万烨
余学功
杨德仁
《化工进展》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
