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氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究 被引量：3
1
作者 龚灿锋 杨德仁 +3 位作者 王晓泉 席珍强 汪雷 阙端麟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期613-616,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中... 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在P型直拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现: 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中少子寿命,同时多晶硅太阳电池的开路电压有少量提高,短路电流普遍 提高了1mA/cm2,电池效率提高了2％。实验结果表明:氮化硅薄膜不仅具有表面钝化作用,也有良好的体钝化 作用。 展开更多
关键词 硅 氮化硅 PECVD 太阳电池 少子寿命
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单晶硅材料机械性能研究及进展 被引量：13
2
作者 李东升 杨德仁 阙端麟 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期100-104,共5页
本文综述了硅材料的机械性能研究进展和相应的研究方法。利用高温拉伸、抗弯测试和显微压痕测试等研究手段 ,指出硅材料表面状况、位错和杂质是其机械性能的主要影响因素。表面损伤将降低硅单晶的拉伸屈服强度和抗弯强度 ;而位错的产生... 本文综述了硅材料的机械性能研究进展和相应的研究方法。利用高温拉伸、抗弯测试和显微压痕测试等研究手段 ,指出硅材料表面状况、位错和杂质是其机械性能的主要影响因素。表面损伤将降低硅单晶的拉伸屈服强度和抗弯强度 ;而位错的产生和滑移也可降低单晶的机械性能 ,但杂质对位错的钉扎将起到强化单晶机械性能的作用。 展开更多
关键词 单晶硅 机械性能 拉伸性能 硬度 抗弯强度
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UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象 被引量：2
3
作者 吴贵斌 崔继锋 +1 位作者 黄靖云 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期161-163,共3页
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的... 本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。 展开更多
关键词 超高真空化学气相沉积法 锗硅合金 偏析现象 二次离子质谱仪 X射线光电子谱
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深亚微米集成电路用硅单晶材料 被引量：3
4
作者 杨德仁 阙端麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期1-4,71,共5页
由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大... 由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展。综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的300毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度。最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势。 展开更多
关键词 集成电路 缺陷 金属杂质 半导体材料 氮 掺杂 控制技术 硅单晶
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新颖的硅基光电材料 被引量：3
5
作者 叶志镇 黄靖云 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第1期11-13,共3页
光电集成是未来信息技术发展的重要方向之一,硅基光电集成具有巨大的应用前景,在硅基材料及集成方面源头创新空间很大。论述了新颖的硅基材料研究现状及应用前景。
关键词 光电集成 硅基光电材料 硅基异质结构
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一维硅纳米材料的研究进展 被引量：3
6
作者 卢晓敏 汪雷 +1 位作者 杨青 杨德仁 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第9期72-75,共4页
作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点。从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,... 作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点。从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,并提出今后的研究方向。 展开更多
关键词 微电子 纳米硅 光电子 半导体材料 磁性器件 组装 纳米结构 研究进展 国际 综述
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钙钛矿/晶硅叠层太阳电池关键材料与技术研究进展 被引量：2
7
作者 李梓进 王维燕 +2 位作者 李红江 黄金华 徐清 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第21期21061-21071,共11页
太阳电池要成为常规能源需不断提高光电转换效率、降低电池成本。叠层太阳电池采用不同禁带宽度的材料吸收太阳光,可减少高于带隙的高能量太阳光的热化损失,以及低于带隙的低能量太阳光不能被吸收的损失,提高电池光电转换效率。近几年,... 太阳电池要成为常规能源需不断提高光电转换效率、降低电池成本。叠层太阳电池采用不同禁带宽度的材料吸收太阳光,可减少高于带隙的高能量太阳光的热化损失,以及低于带隙的低能量太阳光不能被吸收的损失,提高电池光电转换效率。近几年,钙钛矿/晶硅叠层太阳电池因具有带隙匹配、光电转换效率高、工艺简单等特性,成为新兴的研究热点。经过近五年的发展,钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的光电转换效率已被快速提升至28%。要实现高效的钙钛矿/晶硅叠层太阳电池,关键材料与结构的发展必不可少。钙钛矿/晶硅叠层电池主要包括四端和两端结构。其中两端叠层电池,因仅需要一个透明电极,有利于减少寄生吸收、降低成本,成为主流钙钛矿/晶硅叠层电池结构。除了结构改进外,开发高质量的关键材料对高效叠层电池也十分重要。首先,钙钛矿顶电池的金属电极需要替换成透明电极,使得透过顶电池的太阳光能被底电池吸收。目前主流的体系为透明导电氧化物。其次,钙钛矿顶电池的理想带隙为1.7~1.8 eV,因此需要开发高质量的宽带隙钙钛矿电池,以实现开路电压的增益。最后,两端叠层电池的中间界面层起复合载流子和调控光传输的双重作用,需要探寻具有优异光电特性的界面层材料。目前主流的中间界面层体系包括氧化铟锡、掺杂纳米硅以及含纳米硅的氧化硅薄膜等。虽然通过关键材料和结构的发展,叠层电池光电转换效率已经达到28%,但距43%的极限效率还有一定的差距,需进一步提高叠层电池的短路电流密度、开路电压等光伏特性参数。为提高叠层电池的短路电流密度,需降低载流子传输层、透明电极、中间界面层的寄生吸收损失,同时通过绒面结构、减反层、折射率匹配的界面层等光管理手段降低界面的反射损失。提高叠层电池开路电压的关键是提高宽带隙钙钛矿电池的开路电压。通过上述光电管理协同作用,叠层电池光电转换效率有望突破30%。本文以钙钛矿/晶硅叠层太阳电池性能发展为主线,首先简要介绍了叠层电池的结构及光电性能发展历史;然后介绍叠层电池的关键材料,重点包括透明电极、中间界面层、宽带隙钙钛矿电池;在此基础上,分析叠层电池光电转换效率制约因素及提升途径;最后对叠层电池的高效化、大面积、稳定性的未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 钙钛矿/晶硅叠层太阳电池 透明电极 中间界面层 宽带隙钙钛矿电池 光管理
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太阳能电池材料CuInS_2的研究现状 被引量：16
8
作者 汤会香 严密 +1 位作者 张辉 杨德仁 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第8期30-32,共3页
综述了CuInS_2太阳能电池的研究现状,介绍了CuInS_2材料的结构性质、光学性质、电学性质及制备方法,讨论了Na与Ga对其性质的影响,并提出了目前存在的问题及其发展趋势。
关键词 材料 GuInS2 太阳电池 制备 化合物半导体 铜铟硫三元化合物
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气敏材料的研究进展 被引量：12
9
作者 宁文生 杜丕一 +2 位作者 翁文剑 韩高荣 沈鸽 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第8期45-47,共3页
从气敏材料种类、制备方法、改善气敏材料缺陷的手段等方面介绍了气敏材料的研究进展,论述了气敏材料研究中的新动向,展望了它的未来发展。
关键词 研究进展 气敏材料 制备方法 性能 气敏元件 缺陷
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热压法制备Bi_2Te_3基热电材料的组织与性能 被引量：11
10
作者 卢波辉 赵新兵 +1 位作者 倪华良 吉晓华 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2004年第3期13-16,共4页
采用真空单轴热压(HUP)方法制备了Bi_2Te_3基热电材料。结果表明,HUP试样的密度在原始区熔材料的97％以上。所有HUP试样的剪切强度都在21MPa以上,与区熔Bi_2Te_3基材料(001)解理面的强度相比,提高4倍左右。电学性能测试发现,HUP试样的... 采用真空单轴热压(HUP)方法制备了Bi_2Te_3基热电材料。结果表明,HUP试样的密度在原始区熔材料的97％以上。所有HUP试样的剪切强度都在21MPa以上,与区熔Bi_2Te_3基材料(001)解理面的强度相比,提高4倍左右。电学性能测试发现,HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化。实验发现,相对于区熔试样,p型HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而n型HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动。 展开更多
关键词 真空单轴热压 基热电材料 BI2TE3 组织 性能 半导体材料
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太阳能光电材料CuInSe_2的研究进展 被引量：8
11
作者 张辉 马向阳 杨德仁 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第5期11-13,共3页
综述了太阳能光电材料CuInSe_2的研究历史和现状,主要讨论了CuInSe_2的光学性质、电学性质、及其掺杂对禁带宽度的影响,介绍了薄膜的制备方法特别是硒化法,最后综述了目前存在的问题及其发展趋势。
关键词 光电材料 太阳能电池 制备方法 材料 铜 铟 硒 三元化合物半导体 硒化法
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β-FeSi_2热电材料的研究进展 被引量：7
12
作者 李伟文 赵新兵 周邦昌 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第5期14-16,共3页
综述了β-FeSi_2热电材料晶体学和电子学的基本性质,介绍了通过掺杂和改变微观结构以改善β-FeSi_2热电性能这两种常用方法,并指出其存在问题和研究方向。
关键词 研究进展 Β-FESI2 热电材料 功能材料 热电性能 晶体学 电子学 微观结构 电子结构
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纳米晶铜块体材料电化学腐蚀行为研究 被引量：5
13
作者 罗伟 钱聪 +1 位作者 吴希俊 严密 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1587-1590,共4页
针对纳米晶(NC)单质金属材料的腐蚀特性,研究了块体纳米晶铜的耐蚀性能.利用电化学方法,结合XRD、EDS和SEM表面分析技术,比较分析了惰性气体沉积原位温压法(IGCWC)制备的块体纳米晶铜和多晶铜在0.1 mol/L CuSO4和0.05 mol/L H2SO4混合... 针对纳米晶(NC)单质金属材料的腐蚀特性,研究了块体纳米晶铜的耐蚀性能.利用电化学方法,结合XRD、EDS和SEM表面分析技术,比较分析了惰性气体沉积原位温压法(IGCWC)制备的块体纳米晶铜和多晶铜在0.1 mol/L CuSO4和0.05 mol/L H2SO4混合溶液中的腐蚀行为.结果表明,纳米晶铜的腐蚀呈均匀的表面溶解并伴随有不均匀的局部腐蚀,而多晶铜呈沿晶界均匀分布的晶界点蚀.纳米晶铜表面原子和晶界原子具有更高的表面活性,钝化能力大大提高,同时钝化膜的溶解速度加大.纳米试样制备过程中产生的微孔隙缺陷降低了纳米晶铜的耐蚀性.与多晶铜相比,纳米晶铜耐蚀性降低. 展开更多
关键词 纳米晶铜 腐蚀行为 晶粒尺寸 缺陷
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稀土硫氧化物发光材料的制备技术 被引量：3
14
作者 黄秋平 洪樟连 +2 位作者 张朋越 樊先平 王民权 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期9-11,20,共4页
稀土硫氧化物是一类重要的发光体基质材料,有着广阔的应用前景。主要介绍了国内外制备稀土硫氧化物材料的常用方法,如固相反应法、固-气反应法、醇溶液热合成法和微波辐射法,并对各种方法的优缺点进行了评述。在此基础上,还对处于研究... 稀土硫氧化物是一类重要的发光体基质材料,有着广阔的应用前景。主要介绍了国内外制备稀土硫氧化物材料的常用方法,如固相反应法、固-气反应法、醇溶液热合成法和微波辐射法,并对各种方法的优缺点进行了评述。在此基础上,还对处于研究前沿的稀土硫氧化物纳米材料制备技术进行了详细的介绍,并分析了先驱物硫化法和氧化物硫化法各自的特点。最后展望了该类材料制备技术的发展趋势。 展开更多
关键词 稀土硫氧化物 发光材料 纳米晶
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ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展 被引量：5
15
作者 唐海平 马权 +2 位作者 何海平 叶志镇 Park Ji-Yong 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第15期44-46,共3页
随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一。主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向。
关键词 ZNO 纳米材料 P型掺杂
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ZnO基纳米电子材料研究进展 被引量：5
16
作者 胡幸鸣 袁国栋 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期620-624,共5页
纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛应用。ZnO是一种同时具有半导体和压电双重特性的材料。运用不同的工艺,目前已生长出纳米线(棒)、纳米带、纳米环、四角形纳米结构、纳米笼、纳米螺旋等多种特殊形态的纳米ZnO。... 纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛应用。ZnO是一种同时具有半导体和压电双重特性的材料。运用不同的工艺,目前已生长出纳米线(棒)、纳米带、纳米环、四角形纳米结构、纳米笼、纳米螺旋等多种特殊形态的纳米ZnO。由这些许多独特的形态,可以看出纳米ZnO是纳米材料家族中可以生长出的结构最多样的成员之一。这些纳米结构在光电、传导、传感以及生化等不同领域有很多潜在的新颖的应用前景。 展开更多
关键词 纳米ZNO 特性 器件 电子材料
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氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响 被引量：5
17
作者 倪贤锋 叶志镇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第11期9-12,共4页
氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素。目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点。扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命。并简要介绍... 氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素。目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点。扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响:非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命。并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法。 展开更多
关键词 氮化镓材料 物理性能 位错 GAN 半导体材料
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《半导体材料》课程改革 被引量：2
18
作者 杨德仁 陈鹏 皮孝东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期108-109,118,共3页
根据《半导体材料》课程的自身特点,对该课程在教学内容、教学形式和教学考核上进行了综合改革。改革目的在于探索培养高素质半导体材料人才的教学方法,提升学生的自我学习能力、资料收集和整合能力以及在半导体材料领域的创新能力。
关键词 半导体材 料教学改革 教学考核
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SiC材料及其在功率器件方面应用研究进展 被引量：2
19
作者 张昊翔 叶志镇 《材料科学与工程》 CSCD 1998年第3期37-41,72,共6页
ＳｉＣ材料具有高电流击穿场、高饱和电子漂移速率、高热导率等特性，使得ＳｉＣ材料在功率器件领域具有巨大的潜力。本文简单介绍了ＳｉＣ晶体特征和材料的制备及各种ＳｉＣ功率器件结构、性能及当前发展情况，同时亦指出ＳｉＣ器件进... ＳｉＣ材料具有高电流击穿场、高饱和电子漂移速率、高热导率等特性，使得ＳｉＣ材料在功率器件领域具有巨大的潜力。本文简单介绍了ＳｉＣ晶体特征和材料的制备及各种ＳｉＣ功率器件结构、性能及当前发展情况，同时亦指出ＳｉＣ器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。 展开更多
关键词 功率器件 碳化硅 晶体结构 材料特性
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GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展 被引量：1
20
作者 陈伟华 叶志镇 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第1期1-5,共5页
ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ是发兰光的关键材料，是目前光电子材料中最引人注目、必须攻克的课题。本文综述了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料的研究现状，重点介绍了ＧａＮ及ＡｌｘＧａ１－ｘＮ材料近年来在性能评价。
关键词 薄膜 氮化镓 光电子材料
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