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UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究: 1; 作者王亚东黄靖云 +3 位作者叶志镇汪雷马德群赵炳辉《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期33-35,共3页; 本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了... 展开更多; 关键词超高真空化学气相沉积硅外延硼掺杂半导体材料生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

电光相位调制器谐波响应对光纤陀螺的影响被引量：14: 2; 作者王冬云毛彩虹 +2 位作者朱辉牟旭东杨国光《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1053-1055,共3页; 从电光相位调制器的谐波响应出发 ,对干涉型光纤陀螺信号零偏、零漂的产生来源进行了探讨用干涉理论和正弦波调制解调分析从原理上指出调制器的振幅与相位两种谐波可产生陀螺信号的零偏和零漂根据调制器典型数据所做的模拟与人为加... 展开更多; 关键词干涉型光纤陀螺电光相位调制器谐波响应零偏零漂; 在线阅读下载PDF 职称材料

电弧放电法制备大面积高纯单壁碳纳米管薄膜被引量：5: 3; 作者李振华姜源 +3 位作者赵沛尚学府杨辉王淼《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2395-2398,共4页; 介绍了一种制备大面积高纯度单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜的新方法. 利用改进的电弧放电法, 在真空放电室内分别安装两枚石墨极板, 使之形成一个球冠型电容器. 使用这种新型装置, 可以在两枚球冠型石墨极板之间产生一个合适的附加电场和成... 展开更多; 关键词单壁碳纳米管薄膜电弧放电法球冠形电容器拉曼光谱热重分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米碳管制备的新进展被引量：5: 4; 作者王新庆李振华 +1 位作者何少龙王淼《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期100-102,共3页; 本文讨论了有关纳米碳管制备的方法及工艺要求。; 关键词纳米碳管制备方法电弧放电法催化裂解法; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究: 1; 作者王亚东黄靖云叶志镇汪雷马德群赵炳辉; 机构浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心; 出处《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期33-35,共3页; 基金浙江省计划项目资助; 文摘本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17～ 10 18cm-3 。; 关键词超高真空化学气相沉积硅外延硼掺杂半导体材料生长; Keywords UHV/CVD Real time B doped Si epilayer; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学] TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电光相位调制器谐波响应对光纤陀螺的影响被引量：14: 2; 作者王冬云毛彩虹朱辉牟旭东杨国光; 机构浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江大学微系统研究与开发中心; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1053-1055,共3页; 基金 86 3资助项目; 文摘从电光相位调制器的谐波响应出发 ,对干涉型光纤陀螺信号零偏、零漂的产生来源进行了探讨用干涉理论和正弦波调制解调分析从原理上指出调制器的振幅与相位两种谐波可产生陀螺信号的零偏和零漂根据调制器典型数据所做的模拟与人为加入温漂时所得的试验结果相当吻合从而证实调制器谐波响应是产生陀螺信号偏移和漂移的主要原因。; 关键词干涉型光纤陀螺电光相位调制器谐波响应零偏零漂; Keywords I FOG Harmonic response Electro optic phase modulator Signal bias Bias stability; 分类号 TN253 [电子电信—物理电子学] O318 [理学—一般力学与力学基础]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电弧放电法制备大面积高纯单壁碳纳米管薄膜被引量：5: 3; 作者李振华姜源赵沛尚学府杨辉王淼; 机构浙江大学力学系沈阳工业大学物理系浙江大学物理系浙江大学微系统研究与开发中心; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2395-2398,共4页; 基金浙江省自然科学基金(Y1080543 Y107394)资助项目~~; 文摘介绍了一种制备大面积高纯度单壁碳纳米管(SWCNT)薄膜的新方法. 利用改进的电弧放电法, 在真空放电室内分别安装两枚石墨极板, 使之形成一个球冠型电容器. 使用这种新型装置, 可以在两枚球冠型石墨极板之间产生一个合适的附加电场和成膜基板, 通过控制放电时间, 可在阴极的球冠型石墨极板上制备出厚度从数微米至 1 毫米不等的 SWCNT 薄膜.场发射扫描电子显微镜(FESEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱和热重分析(TGA)的表征结果表明, 这个方法可以高效地制备具有高纯度的 SWCNT 薄膜.; 关键词单壁碳纳米管薄膜电弧放电法球冠形电容器拉曼光谱热重分析; Keywords Single-walled carbon nanotube Film Arc-discharge method Capacitor of spherical cap Raman spectrum Thermogravimetric analysis; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米碳管制备的新进展被引量：5: 4; 作者王新庆李振华何少龙王淼; 机构浙江大学物理系浙江大学微系统研究与开发中心浙江大学力学系; 出处《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期100-102,共3页; 文摘本文讨论了有关纳米碳管制备的方法及工艺要求。; 关键词纳米碳管制备方法电弧放电法催化裂解法; Keywords carbon nanotubes(CNTs) synthesis method newt development; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料