期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
新型VBO接口芯片静电放电防护器件
被引量：
4
1
作者
徐泽坤
沈宏宇
+2 位作者
胡涛
李响
董树荣
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期794-800,共7页
为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及...
为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试(TLP)方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性.栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28Ω,相较于传统二极管降低了38.8%.面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%.测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护.
展开更多
关键词
静电放电(ESD)
VBO
可控硅整流器(SCR)
面积效率
触发电压
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
新型VBO接口芯片静电放电防护器件
被引量：
4
1
作者
徐泽坤
沈宏宇
胡涛
李响
董树荣
机构
浙江大学微电子学院esd实验室
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期794-800,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(U1613202
U1609210)
文摘
为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试(TLP)方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性.栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28Ω,相较于传统二极管降低了38.8%.面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%.测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护.
关键词
静电放电(ESD)
VBO
可控硅整流器(SCR)
面积效率
触发电压
Keywords
electrostatic discharge(ESD)
VBO
silicon controlled rectifier(SCR)
area efficiency
trigger voltage
分类号
TN335 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型VBO接口芯片静电放电防护器件
徐泽坤
沈宏宇
胡涛
李响
董树荣
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
