目的:研究大鼠戊四唑点燃癫痫诱发记忆障碍的发病机制,并探讨内源性组胺对此类记忆障碍的作用。方法:大鼠隔日腹腔注射亚惊厥剂量(35 m g/kg)的戊四唑,直至完全点燃。采用穿梭箱被动回避试验测定大鼠的记忆能力。化学荧光法测定脑内组...目的:研究大鼠戊四唑点燃癫痫诱发记忆障碍的发病机制,并探讨内源性组胺对此类记忆障碍的作用。方法:大鼠隔日腹腔注射亚惊厥剂量(35 m g/kg)的戊四唑,直至完全点燃。采用穿梭箱被动回避试验测定大鼠的记忆能力。化学荧光法测定脑内组胺含量。大鼠脑病理切片采用HE染色,在光学显微镜下计数海马完整神经元。结果:大鼠戊四唑点燃后记忆能力明显下降,表现为穿梭箱内被动回避反应潜时缩短,而腹腔内注射组胺前体物质组氨酸则阻断了被动回避反应潜时的缩短。戊四唑点燃后大鼠海马、丘脑和下丘脑组胺含量明显下降,同时点燃使海马CA 1区和CA 3区完整神经元数目分别减少至对照组的72.7%和78.9%。结论:戊四唑点燃癫痫可导致大鼠记忆能力下降,可能与癫痫造成的组胺能神经活性降低和海马神经元丢失有关。展开更多
目的:建立脑表面大体摄影结合图像分析的方法,观察小鼠局灶性脑缺血后24 h内血脑屏障通透性的变化。方法:采用线栓法诱导小鼠局灶性脑缺血,于缺血后10、30 m in和1、3、6、12、24 h取脑,用数码相机拍摄全脑及脑切片照片,观察脑表面和切...目的:建立脑表面大体摄影结合图像分析的方法,观察小鼠局灶性脑缺血后24 h内血脑屏障通透性的变化。方法:采用线栓法诱导小鼠局灶性脑缺血,于缺血后10、30 m in和1、3、6、12、24 h取脑,用数码相机拍摄全脑及脑切片照片,观察脑表面和切面的出血和伊文思蓝(EB)渗出,以及血脑屏障通透性变化;并用荧光法测定脑内EB含量,以干湿重法检测脑水分含量。结果:脑表面图像分析显示,缺血后3 h开始出现明显的出血和EB渗出,与脑切片的结果一致,具有较好的相关性;荧光法显示缺血后30 m in缺血侧脑组织EB含量开始增高,缺血后1 h脑水分含量开始增加。结论:脑表面大体摄影结合图像分析,可对局灶性脑缺血后血脑屏障通透性的变化进行半定量评价,还发现脑缺血后早期血脑屏障的通透性就有增加。展开更多
文摘目的:研究大鼠戊四唑点燃癫痫诱发记忆障碍的发病机制,并探讨内源性组胺对此类记忆障碍的作用。方法:大鼠隔日腹腔注射亚惊厥剂量(35 m g/kg)的戊四唑,直至完全点燃。采用穿梭箱被动回避试验测定大鼠的记忆能力。化学荧光法测定脑内组胺含量。大鼠脑病理切片采用HE染色,在光学显微镜下计数海马完整神经元。结果:大鼠戊四唑点燃后记忆能力明显下降,表现为穿梭箱内被动回避反应潜时缩短,而腹腔内注射组胺前体物质组氨酸则阻断了被动回避反应潜时的缩短。戊四唑点燃后大鼠海马、丘脑和下丘脑组胺含量明显下降,同时点燃使海马CA 1区和CA 3区完整神经元数目分别减少至对照组的72.7%和78.9%。结论:戊四唑点燃癫痫可导致大鼠记忆能力下降,可能与癫痫造成的组胺能神经活性降低和海马神经元丢失有关。
文摘目的:观察内环境因素(pH和甘氨酸及离子浓度)对依达拉奉抗神经元缺血性损伤作用的影响。方法:大鼠原代培养皮质神经元,在不同的实验溶液(模拟缺血后脑内环境的变化)以缺氧缺糖(oxygen-g lucose deprivation,OGD)3 h和再灌12 h诱导皮质神经元损伤,以噻唑蓝(MTT)还原反应和乳酸脱氢酶(LDH)释放观察损伤变化。观察不同实验溶液对抗脑缺血药物依达拉奉抗缺血性损伤作用的影响。结果:在弱碱性(pH 7.8)或含甘氨酸(10μm o l/L)的实验溶液中,OGD损伤加重;在弱酸性(pH 6.5)或高M g2+(1.8 mm o l/L)条件下,OGD损伤减轻。依达拉奉(1μm o l/L)能逆转在pH 6.1、7.4、7.8或含甘氨酸溶液中OGD损伤;而对pH 6.5、高M g2+或低Ca2+溶液中的OGD损伤未显示保护作用。结论:内环境因素改变可影响缺血性损伤程度和依达拉奉抗损伤作用。
文摘目的:建立脑表面大体摄影结合图像分析的方法,观察小鼠局灶性脑缺血后24 h内血脑屏障通透性的变化。方法:采用线栓法诱导小鼠局灶性脑缺血,于缺血后10、30 m in和1、3、6、12、24 h取脑,用数码相机拍摄全脑及脑切片照片,观察脑表面和切面的出血和伊文思蓝(EB)渗出,以及血脑屏障通透性变化;并用荧光法测定脑内EB含量,以干湿重法检测脑水分含量。结果:脑表面图像分析显示,缺血后3 h开始出现明显的出血和EB渗出,与脑切片的结果一致,具有较好的相关性;荧光法显示缺血后30 m in缺血侧脑组织EB含量开始增高,缺血后1 h脑水分含量开始增加。结论:脑表面大体摄影结合图像分析,可对局灶性脑缺血后血脑屏障通透性的变化进行半定量评价,还发现脑缺血后早期血脑屏障的通透性就有增加。
