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题名一种新型低压功率MOSFET结构分析
被引量：6
- 1
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作者
姚丰
何杞鑫
方邵华
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机构
浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期53-56,共4页
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基金
宁波市工业科研攻关计划项目(2004B100017)
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文摘
介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。
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关键词
垂直双扩散型金属氧化物半导体
沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
器件仿真
导通电阻
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Keywords
VDMOS
trench MOSFET
device simulation
on-resistance
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名单片同步整流芯片中功率MOSFET分析及电路仿真
被引量：1
- 2
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作者
姚丰
孙林军
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机构
浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2006年第3期143-145,149,共4页
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文摘
同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术。遵循转换效率最高原则,使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析,并得出选择建议。同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析,得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构。
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关键词
同步整流
WFET
死区时间控制
过零检测
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Keywords
Synchronous rectifier, Conversion efficiency, Power MOSFET, Dead time control
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
TN624
[电子电信—电路与系统]
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