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一种新型低压功率MOSFET结构分析
被引量：
6
1
作者
姚丰
何杞鑫
方邵华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期53-56,共4页
介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。
关键词
垂直双扩散型金属氧化物半导体
沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
器件仿真
导通电阻
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职称材料
题名
一种新型低压功率MOSFET结构分析
被引量：
6
1
作者
姚丰
何杞鑫
方邵华
机构
浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期53-56,共4页
基金
宁波市工业科研攻关计划项目(2004B100017)
文摘
介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。
关键词
垂直双扩散型金属氧化物半导体
沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
器件仿真
导通电阻
Keywords
VDMOS
trench MOSFET
device simulation
on-resistance
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
一种新型低压功率MOSFET结构分析
姚丰
何杞鑫
方邵华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
6
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