-
题名SiC颗粒化学镀铜工艺研究
被引量：4
- 1
-
-
作者
吴开霞
王博
-
机构
四川大学锦城学院机械工程系
济南玫德铸造有限公司
-
出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期636-639,共4页
-
文摘
化学镀铜在生产中应用比较广泛,但是在化学镀铜过程中的活化工艺所需试剂有毒,并且价格较为昂贵。探讨了取消化学镀铜过程中的活化工艺后,其他工艺条件对SiC镀铜效果的影响规律。经实验分析,获得了化学镀铜实验优化工艺参数为：化学镀铜溶液温度为35℃,溶液p H值用氢氧化钠调节至12~13,硫酸铜加入量为12 g/L,甲醛加入量为28 ml/L,酒石酸钾钠加入量为40 g/L,经过一定时间在碳化硅表面得到了良好的铜镀层。通过X射线衍射仪及扫描电镜检测,结果表明：取消了活化工艺后,在碳化硅表面仍然得到了较好的铜包覆层。
-
关键词
碳化硅
化学镀铜
活化工艺
-
Keywords
silicon carbide
electroless copper plating
activation process
-
分类号
TB333
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
