低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

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作者 刘冰 李宁 《山东电子》 1998年第2期35-36,共2页

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。

关键词 钝化 淀积 腐蚀 复合纯化膜 半导体器件 PECVD法

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功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究 被引量：2

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作者 赵志桓 姜维宾 +3 位作者 韩希方 张礼 李惠军 李东华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期693-696,共4页

依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能... 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平。 展开更多

关键词 功率 优化 仿真 工艺参数 可制造性设计 验证

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提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路 被引量：1

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作者 王继春 卞岩 +2 位作者 谢嘉慧 李学信 程尧海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期13-15,共3页

分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图安排不合理导致芯片中心区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路。理论分析与实际应用均证明，把发射区... 分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图安排不合理导致芯片中心区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路。理论分析与实际应用均证明，把发射区安排在基区引线条周边的新设计，可显著改善双极型功率晶体管抗二次击穿特性。 展开更多

关键词 功率晶体管 击穿 管芯温度 相关性

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δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文） 被引量：1

4

作者 郑卫民 黄海北 +4 位作者 李素梅 丛伟艳 王爱芳 李斌 宋迎新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1373-1379,共7页

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工... 三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。 展开更多

关键词 共振隧穿 重空穴和轻空穴 GaAs/AlAs多量子阱 电流-电压特征 δ-掺杂

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一种单片机控制的大功率铅酸电池充电器设计 被引量：1

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作者 祁小辉 郭绪阳 周凤荣 《电子技术应用》 北大核心 2007年第7期144-146,150,共4页

介绍了一种单片机控制的实用大功率铅酸电池充电器的设计方法。在大功率铅酸电池充电器的设计中,主电路采用功率因数校正(PFC)+移相全桥的拓扑结构,提高了电源效率,保证了足够的输出功率;输出控制引入智能单片机,实时检测铅酸电池的状态... 介绍了一种单片机控制的实用大功率铅酸电池充电器的设计方法。在大功率铅酸电池充电器的设计中,主电路采用功率因数校正(PFC)+移相全桥的拓扑结构,提高了电源效率,保证了足够的输出功率;输出控制引入智能单片机,实时检测铅酸电池的状态,并且充电过程按照经验的优化曲线进行,保护了电池,又延长了电池的使用寿命。 展开更多

关键词 功率因数校正(PFC)移相全桥 智能单片机 优化曲线

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FMEA在宇航元器件质量风险管控中的应用 被引量：3

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作者 张斌 张庆猛 +2 位作者 朱猛 王芝 王婷 《中国航天》 2020年第S01期35-41,共7页

在新产品设计开发时使用DFMEA与PFMEA,能够有效减少新产品的设计缺陷。产品量产后,FMEA可持续应用于质量风险点的发现及预防,通过采取预防措施,可以不断降低质量隐患问题的发生率,从而有效提升产品质量。本文将介绍FMEA在设计开发中的应... 在新产品设计开发时使用DFMEA与PFMEA,能够有效减少新产品的设计缺陷。产品量产后,FMEA可持续应用于质量风险点的发现及预防,通过采取预防措施,可以不断降低质量隐患问题的发生率,从而有效提升产品质量。本文将介绍FMEA在设计开发中的应用,并重点讲解FMEA在质量风险管控中的应用方法。 展开更多

关键词 DFMEA PFMEA 风险管控 设计开发 预防

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基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计

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作者 宋迎新 马捷 +4 位作者 侯杰 孙德福 刘进松 李泽宏 任敏 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期352-356,共5页

为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优... 为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优化表面电场,实现了终端电场更加均衡,提高了击穿电压及减少结终端尺寸。利用仿真软件对提出的新型终端结构进行仿真,对新结构的电场分布、击穿电流电压曲线、击穿电压随终端JTE区注入剂量变化和击穿电压随表面固定电荷Qf变化四个方面进行分析,结果表明:相比传统JTE终端,本文设计的新型终端尺寸缩短16%,耐压提升约20%,同时可靠性也有所提升。 展开更多

关键词 结终端扩展 埋层 高能离子注入 金属场板 击穿电压

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超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计

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作者 王迎春 马捷 +4 位作者 侯杰 刘进松 罗蕾 任敏 李泽宏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期965-971,共7页

雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中... 雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移。结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响。将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案。通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性。 展开更多

关键词 超结 雪崩耐量 元胞 终端区 击穿电压

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两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法 被引量：1

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作者 张聪 李东华 陈守迎 《电子产品可靠性与环境试验》 2016年第1期40-43,共4页

首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进。结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐... 首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进。结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用。 展开更多

关键词 肖特基二级管 扩散势垒 多层金属化 反向耐压 高温性能 可靠性

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δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）

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作者 郑卫民 黄海北 +4 位作者 李素梅 丛伟艳 王爱芳 李斌 宋迎新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1240-1246,共7页

在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱... 在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。 展开更多

关键词 掺杂剂量 δ-掺杂 GaAs/AlAs量子阱 受主的扩散分布

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Si基Al/ZnO/Ag肖特基二极管的研制及其光电特性

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作者 秦海英 王婷 +1 位作者 宋迎新 宋传利 《信息技术与信息化》 2013年第3期55-58,共4页

ZnO薄膜是以Si作为基底,利用射频磁控溅射和高温度退火技术制备而成的。分析ZnO薄膜结构特征时,使用X射线衍射显示ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向;用电子显微镜扫描样品,表面光洁、平整。在制备ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃基底上制备Al... ZnO薄膜是以Si作为基底,利用射频磁控溅射和高温度退火技术制备而成的。分析ZnO薄膜结构特征时,使用X射线衍射显示ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向;用电子显微镜扫描样品,表面光洁、平整。在制备ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃基底上制备Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器。对该器件进行电流测试显示:在室温下,Ag与ZnO已经形成肖特基接触,Al/ZnO/Ag肖特基二极管探测器具有明显的光电响应特性。 展开更多

关键词 AL ZNO Ag肖特基二极管 制备 光电特性

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大型工业厂房建筑钢结构施工的技术问题分析 被引量：3

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作者 管仁东 孙晋龙 圣茂建 《门窗》 2016年第9期116-116,共1页

随着社会经济迅猛发展,大量钢结构材料被应用到建筑行业中,极大地促进刚结构发展。钢结构工业厂房施工技术提高了厂房抗震效果,提高了钢结构厂房施工质量。因此,本文作者从不同角度入手客观探讨了大型工业厂房刚结构施工技术问题与优化... 随着社会经济迅猛发展,大量钢结构材料被应用到建筑行业中,极大地促进刚结构发展。钢结构工业厂房施工技术提高了厂房抗震效果,提高了钢结构厂房施工质量。因此,本文作者从不同角度入手客观探讨了大型工业厂房刚结构施工技术问题与优化措施。 展开更多

关键词 大型 工业厂房 钢结构 施工技术 问题 分析

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《供应大功率三极管芯片在检测中应注意的问题及三极管放大倍数在电老化试验前后的变化率分析》

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作者 安建华 巩旭 《信息技术与信息化》 2014年第6期218-225,215,共9页

文章对某晶体管厂寻找三个不同放大倍数范围的三极管芯片的七次供货中的相关数据进行了分析,提出了大功率三极管芯片在检测中应注意的问题,并对三极管芯片放大倍数在电老化试验前后的变化率进行了简单分析。

关键词 三极管芯片 放大倍数 变化率

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增强芯片可靠性的方法研究

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作者 张聪 陈守迎 汤德勇 《中国新通信》 2015年第20期17-18,共2页

研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理,结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺,使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强。多层金属化结构利用几种... 研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理,结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺,使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强。多层金属化结构利用几种金属各自的优点相互取长补短,提高了器件的抗热疲劳性能。在电极金属和硅化物层之间形成的扩散势垒可以有效阻止肖特基势垒高度ФB值及理想因子n值发生变化。 展开更多

关键词 扩散势垒 多层金属化 反向耐压 高温性能 可靠性

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集成电路封装技术的发展与山东省的对策

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作者 潘荔玮 胡秀丽 +2 位作者 刘红云 孙玉珍 马艳 《山东电子》 1998年第4期38-39,共2页

本文介绍了当前集成电路封装技术的现状及今后的主要发展趋势，并就我省集成电路业的发展提出了建议。

关键词 IC 封装 集成电路 制造工艺

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移动代理技术及工业管理应用

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作者 马遥 《信息技术与信息化》 2006年第3期56-57,96,共3页

本文详细介绍了移动代理的定义、移动代理的构成、代理的移动方式及移动代理的安全性问题,由于目前移动代理技术的飞速发展,已经在很多的领域得到了应用,本文分析了如何应用移动代理技术服务于工业管理。

关键词 移动代理 管理 安全

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肖特基二极管反向脉冲能量测试仪

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作者 陈守迎 韩建军 《山东电子》 1998年第3期26-26,16,共2页

本文叙述了肖特基二极管及反向脉冲能量测试仪的设计思想及工作原理。

关键词 肖特基二极管 反向脉冲能量 测试仪

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