期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响
被引量：
2
1
作者
王矜奉
陈洪存
+6 位作者
王文新
苏文斌
臧国忠
亓鹏
王春明
赵春华
高建鲁
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期685-686,689,共3页
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1m...
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
展开更多
关键词
氧化银
二氧化锡
势垒
电学非线性
掺杂
压敏电阻
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响
被引量：
2
1
作者
王矜奉
陈洪存
王文新
苏文斌
臧国忠
亓鹏
王春明
赵春华
高建鲁
机构
山东大学物理与微
电子
学院晶体材料国家重点实验室
滨州师范专科学校物理系
济南安太电子研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期685-686,689,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(50072013)
文摘
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2·6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
关键词
氧化银
二氧化锡
势垒
电学非线性
掺杂
压敏电阻
Keywords
silver oxide
tin oxide
barrier
electrical nonlinearity
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响
王矜奉
陈洪存
王文新
苏文斌
臧国忠
亓鹏
王春明
赵春华
高建鲁
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
