为了减弱因巨大介电常数差异而引发的界面问题,将介电常数处于PMN-PT和PVDF之间的BT引入薄膜内部,形成过渡。制备具有核-壳结构的BT@dopa和PMN-PT@dopa颗粒,并将两者作为双组分填料共同引入PVDF基体中,制备具有高介电性能和储能效率的...为了减弱因巨大介电常数差异而引发的界面问题,将介电常数处于PMN-PT和PVDF之间的BT引入薄膜内部,形成过渡。制备具有核-壳结构的BT@dopa和PMN-PT@dopa颗粒,并将两者作为双组分填料共同引入PVDF基体中,制备具有高介电性能和储能效率的复合薄膜。研究结果表明:相对于单组分的BT@dopa/PVDF薄膜和PMN-PT@dopa/PVDF薄膜,由BT@dopa颗粒和PMN-PT@dopa颗粒与PVDF基体构成的双组分复合薄膜的介电性能和储能性能得到显著提高;在100 Hz时,BT@dopa+PMN-PT@dopa/PVDF体积分数为10%的双组分复合薄膜的介电常数为17.9,是BT@dopa/PVDF复合薄膜的1.77倍;当BT@dopa和PMN-PT@dopa体积分数为3%时,双组分复合薄膜击穿场强达到350 k V/mm,同时双组分复合薄膜储能密度达到10.01 J/cm3,放电效率为50.5%。展开更多
文摘为了减弱因巨大介电常数差异而引发的界面问题,将介电常数处于PMN-PT和PVDF之间的BT引入薄膜内部,形成过渡。制备具有核-壳结构的BT@dopa和PMN-PT@dopa颗粒,并将两者作为双组分填料共同引入PVDF基体中,制备具有高介电性能和储能效率的复合薄膜。研究结果表明:相对于单组分的BT@dopa/PVDF薄膜和PMN-PT@dopa/PVDF薄膜,由BT@dopa颗粒和PMN-PT@dopa颗粒与PVDF基体构成的双组分复合薄膜的介电性能和储能性能得到显著提高;在100 Hz时,BT@dopa+PMN-PT@dopa/PVDF体积分数为10%的双组分复合薄膜的介电常数为17.9,是BT@dopa/PVDF复合薄膜的1.77倍;当BT@dopa和PMN-PT@dopa体积分数为3%时,双组分复合薄膜击穿场强达到350 k V/mm,同时双组分复合薄膜储能密度达到10.01 J/cm3,放电效率为50.5%。