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微型薄膜气敏元件的热功耗分析
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作者 吕红浪 兰怀迎 +1 位作者 李东华 刘文利 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1201-1204,共4页
为了提出微型薄膜气敏元件热功耗的计算公式,通过实验,研究了元件引线的散热量、金属网罩和元件底座的平均温度、芯片的传热系数随芯片散热面尺寸和工作温度的变化规律.利用所给出的热功耗公式,对微型薄膜气敏元件的热功耗进行了计算,... 为了提出微型薄膜气敏元件热功耗的计算公式,通过实验,研究了元件引线的散热量、金属网罩和元件底座的平均温度、芯片的传热系数随芯片散热面尺寸和工作温度的变化规律.利用所给出的热功耗公式,对微型薄膜气敏元件的热功耗进行了计算,结果与实验一致. 展开更多
关键词 薄膜 气敏元件 热功耗 传热系数
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悬挂式气敏元件的热功耗和超低热功耗元件探讨 被引量:2
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作者 曲鲁 兰怀迎 +2 位作者 刘文利 刘建同 刘东红 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期34-36,共3页
通过理论和实验相结合的方法提出了一个适用于悬挂式气敏元件的热功耗Ph/mW与工 作温度T0,环境温度Tr及芯片尺寸S的关系式 Ph={5.67×10-11[(T0) 4-(T0)4]×0.85+0.21(T0-T0)}S (T0=aT0+bTr, a≈0.135, b≈1.0) 并指出采用S... 通过理论和实验相结合的方法提出了一个适用于悬挂式气敏元件的热功耗Ph/mW与工 作温度T0,环境温度Tr及芯片尺寸S的关系式 Ph={5.67×10-11[(T0) 4-(T0)4]×0.85+0.21(T0-T0)}S (T0=aT0+bTr, a≈0.135, b≈1.0) 并指出采用Si微电子薄膜技术可设计出功耗在10 mW以下的气敏元件. 展开更多
关键词 气敏器件 微电子技术 温度 热功耗 微型薄膜
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铂-镍硅化物/硅接触肖特基势垒的形成方法 被引量:3
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作者 杨碧梧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期18-21,共4页
本工作研究了低温固相反应形成铂-镍硅化物/硅接触肖特基势垒的方法。介绍了用磁控溅射方法淀积金属薄膜和溅射工艺过程应注意的问题及其对肖特基势垒特性的影响。讨论了H_2气氛中退火以形成优良肖特基势垒接触的方法与实验结果。
关键词 金属硅化物 硅接触 磁控溅射 肖特基势垒
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机动车辆运行状态自动跟踪管理网络系统
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作者 许萍 赵华 王克亮 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期376-378,共3页
介绍一种机动车运行状态自动跟踪管理网络系统 ,并对该系统中实现收费公路的无等待自动登记收费、区域车辆流动状态统计。
关键词 机车车辆 运行状态 自动跟踪管理网络系统
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粉末溅射SnO_2/CeO_2薄膜气敏元件的性能
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作者 兰怀迎 曲鲁 +2 位作者 刘建同 刘文利 李蕾 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期37-39,共3页
通过对粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件性能的测试和探讨,总结出反应升温 Δtrea与气体浓度C存在关系Δtrea=(ACn)/(1+BCm) (其 中A ,B>0,n>m>0),同时发现:湿度对灵敏度的影响很大而对相对灵敏度影响不大;为确保 测量的可靠性应避... 通过对粉末溅射SnO2/CeO2薄膜气敏元件性能的测试和探讨,总结出反应升温 Δtrea与气体浓度C存在关系Δtrea=(ACn)/(1+BCm) (其 中A ,B>0,n>m>0),同时发现:湿度对灵敏度的影响很大而对相对灵敏度影响不大;为确保 测量的可靠性应避免用于测量高浓度气体,同时注意稳定测试电压,如用相对灵敏度进行测 量,则可以减小湿度对测量结果(测量值) 展开更多
关键词 气敏器件 氧化锡 氧化铈 薄膜 粉末溅射
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我国企业会计准则的完善思路
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作者 张晓勤 王秋霞 杨秀泉 《济南金融》 2000年第5期55-56,共2页
关键词 企业 会计准则 中国 会计目标 会计要素
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增强型高性能场效应管
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作者 马瑞芬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期62-62,29,共2页
1 引言 近年来我国火灾报警器产量猛增,目前年产量已达40万~50万探头,仅亚运村用量就以千计。报警器是有社会效益和经济效益的产品,一次准确报警可为国家节约大量财富。场效应管在报警器中起弱电流放大作用,是关键部件。它的性能直接... 1 引言 近年来我国火灾报警器产量猛增,目前年产量已达40万~50万探头,仅亚运村用量就以千计。报警器是有社会效益和经济效益的产品,一次准确报警可为国家节约大量财富。场效应管在报警器中起弱电流放大作用,是关键部件。它的性能直接影响报警的准确率。直到1991年DATA手册尚未出现高BV_Gs、高BV_Ds、高g_m同时具备的器件。本文研制的国产LY732场效应管其性能达到并在某些参数上超过了美国先进器件WM214的水平。 展开更多
关键词 场效应管 性能 增强型
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模拟大规模集成电路测试及测试系统
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作者 王芬 周舟 +1 位作者 李刚 孙玉珍 《电子测量与仪器学报》 CSCD 1991年第3期51-58,共8页
近几年来,随着IC技术和计算机技术的迅猛发展,一些大型的IC测试系统不断被研制出来,并投入市场,成为大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)生产中不可缺少的重要设备.对于数字型大规模集成电路的测试及测试系统,近几年来国内的... 近几年来,随着IC技术和计算机技术的迅猛发展,一些大型的IC测试系统不断被研制出来,并投入市场,成为大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)生产中不可缺少的重要设备.对于数字型大规模集成电路的测试及测试系统,近几年来国内的一些杂志和学习班都有比较详细的讨论和论述,而对模拟大规模集成电路的测试及测试系统的论述却不多见.本文主要叙述了模拟IC测试仪的发展概况,模拟IC的测试原理,模拟大规模集成电路CAT系统的构成及各主要部分的作用,并对模拟LSI的AC(交流)、DC(直流)测试系统进行了比较和分类,最后对模拟LSI和VLSI测试系统的发展进行了展望. 展开更多
关键词 集成电路 LSI 测试系统
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