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功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究被引量：2: 1; 作者赵志桓姜维宾 +3 位作者韩希方张礼李惠军李东华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期693-696,共4页; 依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能... 展开更多; 关键词功率优化仿真工艺参数可制造性设计验证; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路被引量：1: 2; 作者王继春卞岩 +2 位作者谢嘉慧李学信程尧海《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期13-15,共3页; 分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图安排不合理导致芯片中心区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路。理论分析与实际应用均证明，把发射区... 展开更多; 关键词功率晶体管击穿管芯温度相关性; 在线阅读下载PDF 职称材料

2007～2008年《地质学报》载文的统计分析被引量：1: 3; 作者怀东王爱敏《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1854-1858,共5页; 运用文献计量学的方法,对《地质学报》2007～2008年发表的论文进行统计,基于统计结果,对其载文量、作者合作度、合作率,作者职称学历及工作系统、地区分布、论文受资助情况等指标进行了分析。; 关键词科技期刊引证报告载文分析作者分析文献计量学地质学报; 在线阅读下载PDF 职称材料

δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）被引量：1: 4; 作者郑卫民黄海北 +4 位作者李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1373-1379,共7页; 三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工... 展开更多; 关键词共振隧穿重空穴和轻空穴 GaAs/AlAs多量子阱电流-电压特征 δ-掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

PSG钝化膜密化工艺研究被引量：1: 5; 作者王继春史保华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期38-40,共3页; 作者对半导体芯片的PSG钝化膜进行了密化处理,对密化膜的质量作了多方面的分析,并且对应用该工艺的器件可靠性进行了考核,证实密化工艺对PSG钝化膜之下的金属化层无不良影响,密化后的PSG更加致密,具有优良的抗潮热、抗沾污能力,从而具... 展开更多; 关键词 PSG 钝化膜密化工艺半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计: 6; 作者王迎春马捷 +4 位作者侯杰刘进松罗蕾任敏李泽宏《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期965-971,共7页; 雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中... 展开更多; 关键词超结雪崩耐量元胞终端区击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于积分分离PID控制的交流伺服系统被引量：17: 7; 作者郭绪阳祁小辉田李庄《现代电子技术》 2007年第19期163-164,共2页; 将PD控制和PID控制相结合应用于交流伺服系统的控制。在系统误差较大时,取消积分环节,可以避免由于积分累积引起系统较大的超调;当误差较小时,引入积分环节,可以消除系统静差,从而使系统的静态和动态性能指标较为理想。实验结果表明,基... 展开更多; 关键词积分分离 PD控制 PID控制交流伺服系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制: 8; 作者王继春谢嘉慧 +2 位作者卞岩李学信程尧海《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期30-32,26,共4页; ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥８００Ｖ，耗散功率Ｐ＿Ｄ＝２０Ｗ，特征频率ｆ＿Ｔ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点、设计思... 展开更多; 关键词 PNP 晶体管大功率硅晶体管研制; 在线阅读下载PDF 职称材料

δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）: 9; 作者郑卫民黄海北 +4 位作者李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1240-1246,共7页; 在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱... 展开更多; 关键词掺杂剂量 δ-掺杂 GaAs/AlAs量子阱受主的扩散分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究被引量：2: 1; 作者赵志桓姜维宾韩希方张礼李惠军李东华; 机构济南市半导体元件实验所山东大学信息科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期693-696,共4页; 文摘依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平。; 关键词功率优化仿真工艺参数可制造性设计验证; Keywords power optimization simulation process parameter design for manufacturability （DFM） verification; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路被引量：1: 2; 作者王继春卞岩谢嘉慧李学信程尧海; 机构济南市半导体元件实验所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期13-15,共3页; 文摘分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图安排不合理导致芯片中心区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路。理论分析与实际应用均证明，把发射区安排在基区引线条周边的新设计，可显著改善双极型功率晶体管抗二次击穿特性。; 关键词功率晶体管击穿管芯温度相关性; 分类号 TN323.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名2007～2008年《地质学报》载文的统计分析被引量：1: 3; 作者怀东王爱敏; 机构中国海洋大学海洋地球科学学院济南市半导体元件实验所; 出处《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1854-1858,共5页; 文摘运用文献计量学的方法,对《地质学报》2007～2008年发表的论文进行统计,基于统计结果,对其载文量、作者合作度、合作率,作者职称学历及工作系统、地区分布、论文受资助情况等指标进行了分析。; 关键词科技期刊引证报告载文分析作者分析文献计量学地质学报; Keywords Citation Report of Scientific Journal article analysis author analysis bibliometrics Acta Geologica Sinica; 分类号 G353.1 [文化科学—情报学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）被引量：1: 4; 作者郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新; 机构山东大学(威海)空间科学与物理学院山东大学化学与化学工程学院山东大学(威海)机电与信息工程学院中国科学院上海技术物理研究所济南市半导体元件实验所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1373-1379,共7页; 基金 Supported by Shandong Province Natural Science Foundation(ZR2017MF018) National Natural Science Foundation of China(61675223)~~; 文摘三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。; 关键词共振隧穿重空穴和轻空穴 GaAs/AlAs多量子阱电流-电压特征 δ-掺杂; Keywords resonant tunneling heavy-and light-holes Ga As/Al As multiple quantum wells current-voltage characteristics δ-doped; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PSG钝化膜密化工艺研究被引量：1: 5; 作者王继春史保华; 机构济南半导体元件实验所西安电子科技大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期38-40,共3页; 文摘作者对半导体芯片的PSG钝化膜进行了密化处理,对密化膜的质量作了多方面的分析,并且对应用该工艺的器件可靠性进行了考核,证实密化工艺对PSG钝化膜之下的金属化层无不良影响,密化后的PSG更加致密,具有优良的抗潮热、抗沾污能力,从而具有更理想的钝化效果。; 关键词 PSG 钝化膜密化工艺半导体; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计: 6; 作者王迎春马捷侯杰刘进松罗蕾任敏李泽宏; 机构济南市半导体元件实验所电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期965-971,共7页; 基金国家重点研发计划资助项目(2006ZYGQ0204)。; 文摘雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标。寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点。通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移。结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响。将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案。通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性。; 关键词超结雪崩耐量元胞终端区击穿电压; Keywords superjunction avalanche tolerance cell terminal region breakdown voltage; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于积分分离PID控制的交流伺服系统被引量：17: 7; 作者郭绪阳祁小辉田李庄; 机构济南半导体元件实验所; 出处《现代电子技术》 2007年第19期163-164,共2页; 文摘将PD控制和PID控制相结合应用于交流伺服系统的控制。在系统误差较大时,取消积分环节,可以避免由于积分累积引起系统较大的超调;当误差较小时,引入积分环节,可以消除系统静差,从而使系统的静态和动态性能指标较为理想。实验结果表明,基于积分分离PID控制的交流伺服系统具有响应速度快、稳态精度高等特点。; 关键词积分分离 PD控制 PID控制交流伺服系统; Keywords integral partition PD control PID control AC servo system; 分类号 TP273 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制: 8; 作者王继春谢嘉慧卞岩李学信程尧海; 机构济南半导体元件实验所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期30-32,26,共4页; 文摘ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥８００Ｖ，耗散功率Ｐ＿Ｄ＝２０Ｗ，特征频率ｆ＿Ｔ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点、设计思路及推广应用前景。; 关键词 PNP 晶体管大功率硅晶体管研制; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）: 9; 作者郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新; 机构山东大学(威海)空间科学与物理学院墨尔本大学化学院山东大学(威海)信息工程学院中国科学院上海技术物理研究所济南市半导体元件实验所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1240-1246,共7页; 基金 Supported by Shandong Province Natural Science Foundation(ZR2017MF018) National Natural Science Foundation of China(61675223)~~; 文摘在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。; 关键词掺杂剂量 δ-掺杂 GaAs/AlAs量子阱受主的扩散分布; Keywords doping levels δ-doped GaAs/AlAs quantum wells acceptor diffused profiles; 分类号 O471.5 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究	赵志桓姜维宾韩希方张礼李惠军李东华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路	王继春卞岩谢嘉慧李学信程尧海	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	2007～2008年《地质学报》载文的统计分析	怀东王爱敏	《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）	郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PSG钝化膜密化工艺研究	王继春史保华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1992	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计	王迎春马捷侯杰刘进松罗蕾任敏李泽宏	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于积分分离PID控制的交流伺服系统	郭绪阳祁小辉田李庄	《现代电子技术》	2007	17	在线阅读下载PDF 职称材料
8	LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制	王继春谢嘉慧卞岩李学信程尧海	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）	郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料