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X射线与半导体探测器相互作用过程的仿真研究
被引量：
1
1
作者
谢利平
何江华
+1 位作者
王良厚
邹士亚
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期849-851,共3页
采用MCNP4B仿真了能量为1-100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程。仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升高,沉积能量增大,但是在探测器的整个能量段,沉积能量并非线...
采用MCNP4B仿真了能量为1-100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程。仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升高,沉积能量增大,但是在探测器的整个能量段,沉积能量并非线性增加,而是有一定的涨落,经检验,5个探测器在其工作能段范围内探测效率呈正态分布。
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关键词
X射线光子
MCNP4B
硅半导体探测器
光电效应
康普顿散射
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职称材料
题名
X射线与半导体探测器相互作用过程的仿真研究
被引量：
1
1
作者
谢利平
何江华
王良厚
邹士亚
机构
防化
研究院第二研究所
济南军区装备部防化技术室
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期849-851,共3页
文摘
采用MCNP4B仿真了能量为1-100keV的单能X射线与硅半导体探测器发生相互作用的过程。仿真结果表明,当X射线能量较低时,在探测器的硅半导体上沉积能量较低,随着X射线光子能量升高,沉积能量增大,但是在探测器的整个能量段,沉积能量并非线性增加,而是有一定的涨落,经检验,5个探测器在其工作能段范围内探测效率呈正态分布。
关键词
X射线光子
MCNP4B
硅半导体探测器
光电效应
康普顿散射
Keywords
X-ray photon
MCNP4B
silicon semiconductor detector
photoelectricity effect
Compton scatter
分类号
TP319.9 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
X射线与半导体探测器相互作用过程的仿真研究
谢利平
何江华
王良厚
邹士亚
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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