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题名钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究
被引量：2
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作者
曾凡光
刘兴辉
朱长纯
王文卫
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机构
西安交通大学真空微电子与微电子机械研究所
洛阳麦斯克电子材料有限公司
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期604-605,609,共3页
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基金
国家自然科学基金重点资助项目(60036010)
国家自然科学基金资助项目(60276037)
教育部博士点基金资助项目(20020698014)
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文摘
采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。
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关键词
钴
多孔硅
场发射
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Keywords
cobalt
porous silicon
field emission
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名电去离子替代混床的超纯水制备技术
被引量：3
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作者
黄宝能
王飞
张波
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机构
国家海洋局杭州水处理技术研究开发中心
洛阳麦斯克电子材料有限公司
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出处
《水处理技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期77-79,共3页
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文摘
介绍了国产电去离子装置代替混床制备电子工业超纯水的工艺流程、运行参数、经济效益、运行管理经验。长达14个月的连续运行表明,该系统的产水量为32m3/h时,产水水质达到16MΩ.cm以上。该工艺系统运行可靠,产水水质稳定,无污水排放,运行费用明显降低,同时工人的劳动强度和生产环境得到改善。
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关键词
电去离子
EDI
混床
超纯水
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Keywords
electrodeionization
mixed bed
ultra pure water
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分类号
TQ028.8
[化学工程]
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