4N电子级二乙氧基甲基硅烷的纯化技术研究

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作者 时任泽 丁秋燕 +6 位作者 袁振军 那健 刘见华 郭树虎 赵雄 李洪 高鑫 《化工学报》 北大核心 2025年第5期2186-2197,F0003,共13页

在集成电路的薄膜沉积工艺中,电子级二乙氧基甲基硅烷(DEMS)是制造低介电常数硅基半导体薄膜的关键前体,要求其有机纯度达到99.990%(质量分数,4N),总金属离子杂质含量≤5.000μg/L,单个金属杂质含量≤0.500μg/L。目前工艺难以达到纯度... 在集成电路的薄膜沉积工艺中,电子级二乙氧基甲基硅烷(DEMS)是制造低介电常数硅基半导体薄膜的关键前体,要求其有机纯度达到99.990%(质量分数,4N),总金属离子杂质含量≤5.000μg/L,单个金属杂质含量≤0.500μg/L。目前工艺难以达到纯度要求,因此提出了完整的电子级DEMS纯化的减压共沸精馏工艺技术路线,主要工作包括:(1)通过常规精馏实验分析了DEMS的纯化难点,进行减压共沸精馏实验,将关键组分杂质乙醇提纯至0.010%(质量分数)以下,降低了DEMS的纯化难度,有机纯度达到4N;(2)通过常规减压精馏实验探究,实现总金属离子杂质含量≤5.000μg/L和单个杂质含量≤0.500μg/L的目标;(3)建立了减压共沸精馏模型,利用实验结果进行模型验证,进一步建立了减压共沸精馏工艺,利用模型对新工艺进行优化设计。研究结果得到的DEMS产品指标达到了电子级标准,满足集成电路制造工艺要求,为规模化、低成本生产电子级DEMS奠定了理论基础。 展开更多

关键词 精馏 共沸 纯化 分离 模拟

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CVD法制备锂离子电池硅碳负极研究进展

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作者 李雪荣 曹轲 +4 位作者 赵喜哲 王彦君 顾广安 刘见华 万烨 《材料工程》 北大核心 2025年第7期83-93,共11页

锂离子电池已成为能源领域不可或缺的重要储能体系。开发具有高能量密度、长寿命、低成本的锂离子电池是当今电池科研领域的一项核心挑战。硅材料有着4200 mAh·g^(-1)的理论容量及低廉的成本,使其成为最有潜力的负极候选材料之一,... 锂离子电池已成为能源领域不可或缺的重要储能体系。开发具有高能量密度、长寿命、低成本的锂离子电池是当今电池科研领域的一项核心挑战。硅材料有着4200 mAh·g^(-1)的理论容量及低廉的成本,使其成为最有潜力的负极候选材料之一,然而硅在充放电循环中高达近300%的体积膨胀严重阻碍了其商业化进程。迄今为止,硅碳负极材料的制备技术已经历3次迭代。本综述介绍了CVD法在三代硅碳负极材料制备中的应用,并从材料结构设计、实验方法、反应过程机理、材料性能等方面展开讨论。最后,总结了三代硅碳负极材料制备技术的优势及劣势,并对未来高能量密度锂离子电池中硅碳负极的发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 硅碳复合材料 硅负极 化学气相沉积法 负极材料 锂离子电池

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晶硅太阳能在“双碳”经济中的作用与影响 被引量：13

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作者 严大洲 刘艳敏 +6 位作者 万烨 杨永亮 杨涛 孙强 赵雄 张升学 张志刚 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第5期1-6,共6页

我国的碳排放居世界首位,2020年碳排放量为115亿t。在我国一次能源消费中,化石能源尤其是煤炭仍占据主导地位,2019年消费比例达到57.7%。近年来,虽然我国单位GDP碳排放已明显下降,但仍高于世界平均水平,而多晶硅及晶硅光伏产业是近年来... 我国的碳排放居世界首位,2020年碳排放量为115亿t。在我国一次能源消费中,化石能源尤其是煤炭仍占据主导地位,2019年消费比例达到57.7%。近年来,虽然我国单位GDP碳排放已明显下降,但仍高于世界平均水平,而多晶硅及晶硅光伏产业是近年来发展起来的清洁能源,有望成为实现“碳中和”目标的重要支撑。2019年中国光伏总发电量2243亿kW·h,占全国总发电量的3.1%,中国发展改革委规划2050年达到39%,发电量6万亿kW·h,减少CO_(2)排放约71亿t,光伏发电将成为碳中和的绝对主力。近年来多晶硅生产能耗及成本大幅降低,单晶硅技术和金刚线切割技术的发展使得物料消耗也大幅下降,预计未来晶硅太阳能发电将在所有发电方式中成本最低,达到0.13元/kW·h,这为光伏发电规划目标的实现提供了保障。 展开更多

关键词 碳排放 碳中和 光伏发电 晶硅太阳能 多晶硅 单晶硅 发电成本 能源回报率

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屏蔽泵在多晶硅生产中的故障分析及改进措施

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作者 曾晓国 张晓伟 万烨 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第2期64-67,共4页

多晶硅生产过程中的氯硅烷属于危险化学品,为保证物料输送过程中不出现任何泄漏,一般选用屏蔽泵。本文介绍了屏蔽泵的结构,简述了屏蔽泵在多晶硅行业的使用情况,分析了屏蔽泵的常见故障,对故障的表现形式和原因进行了统计和分析,指出了... 多晶硅生产过程中的氯硅烷属于危险化学品,为保证物料输送过程中不出现任何泄漏,一般选用屏蔽泵。本文介绍了屏蔽泵的结构,简述了屏蔽泵在多晶硅行业的使用情况,分析了屏蔽泵的常见故障,对故障的表现形式和原因进行了统计和分析,指出了屏蔽泵故障与物料及生产操作的关系,最后提出了在设备布置、设计选型和生产使用等方面的一些改进措施,以保证屏蔽泵的安全稳定运行。 展开更多

关键词 多晶硅 氯硅烷 屏蔽泵 故障分析 改进措施

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S31608不锈钢弯头在四氯化硅冷氢化工艺中的失效分析 被引量：4

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作者 李爱民 曾晓国 万烨 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第6期56-61,共6页

本文主要对S31608不锈钢弯头在四氯化硅冷氢化工艺中失效形式及原因进行研究,采用金相分析、ESD和SEM等方法对弯头失效部位的化学组成、显微结构和腐蚀产物成分等进行分析。结果表明:弯头的失效形式主要为应力腐蚀开裂,内壁向外壁扩展... 本文主要对S31608不锈钢弯头在四氯化硅冷氢化工艺中失效形式及原因进行研究,采用金相分析、ESD和SEM等方法对弯头失效部位的化学组成、显微结构和腐蚀产物成分等进行分析。结果表明:弯头的失效形式主要为应力腐蚀开裂,内壁向外壁扩展。开裂的外因是弯头内壁接触的含Cl^(-)腐蚀性介质和加工产生的残余应力以及内压作用下的应力叠加;内因是弯头晶界上有析出和形变组织。S31608不锈钢失效的主要原因是介质中存在Cl^(-)、P^(-)等引起腐蚀的成分和应力。弯头晶界上有析出和形变组织导致其耐腐蚀性能下降,弯头断口上存在含Cl^(-)腐蚀性介质,氯离子对奥氏体不锈钢表面膜有极强的穿透、侵蚀作用,能够溶解覆盖在表面的保护膜,在加工产生的残余应力以及工作应力等作用下,从而产生应力腐蚀而失效。 展开更多

关键词 S31608不锈钢 弯头 四氯化硅 冷氢化 失效 应力腐蚀 奥氏体

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多晶硅中甲基氯硅烷转化研究 被引量：2

6

作者 王芳 杨典 +3 位作者 孙强 万烨 张晓伟 付强 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2022年第1期49-53,共5页

三氯氢硅中的甲基氯硅烷是造成多晶硅碳杂质超标的重要原因,为了深度去除氯硅烷中的甲基氯硅烷,本文通过对三氯氢硅氢还原法各工序中的甲基氯硅烷含量进行检测和分析,研究甲基氯硅烷杂质的转化规律,得出以下结论:在氢化系统中,甲基二氯... 三氯氢硅中的甲基氯硅烷是造成多晶硅碳杂质超标的重要原因,为了深度去除氯硅烷中的甲基氯硅烷,本文通过对三氯氢硅氢还原法各工序中的甲基氯硅烷含量进行检测和分析,研究甲基氯硅烷杂质的转化规律,得出以下结论:在氢化系统中,甲基二氯硅烷和甲基三氯硅烷存在转化平衡关系,甲基二氯硅烷经氢化系统后出口平衡浓度在7μg/g附近;在还原系统中,甲基二氯硅烷会转化成甲基三氯硅烷,根据进出物流甲基二氯硅烷含量对比相对转化量基本一致;在反歧化系统,甲基氯硅烷不会发生转化,可以推断甲基氯硅烷需要在适当的温度和压力下才会发生转化;提纯系统是甲基氯硅烷组分的转移分离过程,适当组织提纯塔对甲基氯硅烷分布提纯,有利于三氯氢硅中甲基二氯硅烷的净化。 展开更多

关键词 高纯多晶硅 氢还原法 碳杂质含量 三氯氢硅(TCS) 甲基二氯硅烷(MDCS) 甲基三氯硅烷(MTCS) 转化规律 三氯氢硅回收率

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电子级多晶硅制备过程中质量影响因素分析 被引量：6

7

作者 陈辉 张征 +5 位作者 万烨 孙强 张晓伟 张邦洁 王浩 裴蕾 《中国有色冶金》 CAS 2019年第6期49-51,70,共4页

电子级多晶硅是微电子行业、信息产业和新能源产业的基础性材料,目前,全球电子级高纯多晶硅总产能约31000 t,我国高品质多晶硅仍然需要大量进口。电子级多晶硅产品质量控制要求非常严格,目前生产工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分... 电子级多晶硅是微电子行业、信息产业和新能源产业的基础性材料,目前,全球电子级高纯多晶硅总产能约31000 t,我国高品质多晶硅仍然需要大量进口。电子级多晶硅产品质量控制要求非常严格,目前生产工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分解法两种,全球90%以上的多晶硅企业采用三氯氢硅氢还原工艺生产,国内也多采用此工艺生产电子级多晶硅。本文针对三氯氢硅氢还原工艺对影响多晶硅质量的因素进行了阐述,包括三氯氢硅、氢气纯度,物料管线纯度,CVD炉材质,备品备件选取,硅棒后处理装置,设备维护保养等,以期为电子级高纯多晶硅的生产和后处理过程提供参考。 展开更多

关键词 电子级多晶硅 制备 三氯氢硅氢还原法 影响因素

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光氯化反应脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷 被引量：7

8

作者 万烨 肖劲 +1 位作者 严大洲 刘见华 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期201-206,216,共7页

以三氯氢硅和氯气为原料,采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察了各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。结果表明,光氯化反应的最优条件为:n(Cl2)∶n(CH4Cl2Si)=5∶1,反应温度50℃,紫外光波长为... 以三氯氢硅和氯气为原料,采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察了各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。结果表明,光氯化反应的最优条件为:n(Cl2)∶n(CH4Cl2Si)=5∶1,反应温度50℃,紫外光波长为365 nm,光强为15 W,反应时间为20 s。在最优条件下,产品中甲基二氯硅烷含量小于5×10–8 g/g,去除率达到99.67%;反应产物中出现少量四氯化硅,是聚氯硅烷和三氯氢硅发生氯化反应生成的。以最优条件制备的三氯氢硅为原料,使用评价炉制备的多晶硅中碳原子浓度小于3×1015 atoms/cm3,达到电子一级品指标。 展开更多

关键词 微通道 光氯化 三氯氢硅 甲基二氯硅烷 精细化工中间体

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高纯四甲基硅烷合成工艺及提纯技术 被引量：5

9

作者 贺玉刚 万烨 +3 位作者 常欣 王芳 袁振军 赵喜哲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期262-264,共3页

随着四甲基硅烷市场需求的膨胀,供求关系得到改善,行业盈利能力稳步提升,带动了四甲基硅烷精制技术的迅速发展。介绍了高纯四甲基硅烷的应用市场,综述了高纯四甲基硅烷的制备工艺,分析各自的优点及不足,并展望了未来的发展趋势。分析指... 随着四甲基硅烷市场需求的膨胀,供求关系得到改善,行业盈利能力稳步提升,带动了四甲基硅烷精制技术的迅速发展。介绍了高纯四甲基硅烷的应用市场,综述了高纯四甲基硅烷的制备工艺,分析各自的优点及不足,并展望了未来的发展趋势。分析指出,应加强校企联合力度,增强研发力量,优化合成工艺和提纯技术,同时建立痕量杂质检测方法和质量管理体系,保障产品质量的稳定。 展开更多

关键词 高纯四甲基硅烷 合成工艺 提纯技术

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分离三氯氢硅中甲基二氯硅烷的研究进展 被引量：1

10

作者 杨典 王芳 +3 位作者 万烨 孙强 张征 时庆合 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期30-33,72,共5页

三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了... 三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量会严重影响多晶硅的品质,控制三氯氢硅中的甲基二氯硅烷含量对多晶硅的品质具有重要意义。重点介绍了三氯氢硅中甲基二氯硅烷的深度去除方法,包括常规精馏法、吸附法、反应精馏法和萃取精馏法。对比分析了上述方法的优缺点,其中吸附法、反应精馏法是分离甲基二氯硅烷行之有效的方法,萃取精馏法也是分离甲基二氯硅烷的重要研究方向,并对这些工艺的发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 三氯氢硅 甲基二氯硅烷 吸附 反应精馏 萃取精馏

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光纤用四氯化硅制备研究进展 被引量：4

11

作者 郭树虎 赵雄 +2 位作者 万烨 严大洲 杨典 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1370-1373,共4页

重点介绍了光纤用四氯化硅的制备工艺,包括精馏法、吸附法、部分水解法、光氯化法、等离子法以及这些方法的组合。对比分析了上述方法的优缺点,展望了光纤四氯化硅制备工艺的发展方向。此外,还简要介绍了光纤用四氯化硅的应用及经济概况。

关键词 四氯化硅 光纤预制棒 红外透过率 未知高沸

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PLC和组态软件在矩形花键专用机床中的应用

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作者 康博 赵亚东 +1 位作者 崔宣 张弘 《液压与气动》 北大核心 2012年第7期62-64,共3页

在保证矩形花键加工精度和加工效率的前提下,为了降低矩形花键的加工成本,将原有的卧式铣床改造成矩形花键专用机床。在该机床的控制系统中应用了PLC和组态软件。该文着重对其液压控制系统、PLC控制系统以及上位机的组态进行了分析和设... 在保证矩形花键加工精度和加工效率的前提下,为了降低矩形花键的加工成本,将原有的卧式铣床改造成矩形花键专用机床。在该机床的控制系统中应用了PLC和组态软件。该文着重对其液压控制系统、PLC控制系统以及上位机的组态进行了分析和设计,特别是组态的应用使得该机床实现了全加工过程的实时监控,提高了机床的可控性和稳定性。通过联机调试验证了该控制系统的可行性,对于相关机床控制系统的改造和设计具有一定的工程借鉴价值。 展开更多

关键词 矩形花键 铣床 可编程逻辑控制器 组态软件

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先进硅基前驱体的应用研究与技术进展 被引量：6

13

作者 常欣 万烨 +3 位作者 赵雄 严大洲 袁振军 郭树虎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期409-418,共10页

前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础... 前驱体材料广泛应用于集成电路的关键工艺中,如外延、光刻、化学气相沉积以及原子层沉积。其中硅基前驱体是重要且用量较大的一个分支,近年来一直是先进集成电路材料领域研究的热点之一。以集成电路制造工艺和器件结构的技术发展为基础,综述了业界几种较为流行的硅基前驱体材料的结构与性能,其中包括二氯硅烷(DCS)、乙硅烷(DS)、八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、四甲基硅烷(4MS)、六氯乙硅烷(HCDS)、双(叔丁氨基)硅烷(BTBAS)、双(二乙氨基)硅烷(BDEAS)、三(二甲胺基)硅烷(3DMAS)和三甲硅烷基胺(TSA)。系统介绍了硅基前驱体的应用现状和研究进展,并对其合成和提纯工艺进行了探讨。 展开更多

关键词 集成电路(IC) 硅基前驱体 化学气相沉积(CVD) 原子层沉积 提纯工艺

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金属烧结滤芯用于多晶硅氯硅烷净化放大研究 被引量：2

14

作者 刘见华 万烨 +3 位作者 赵雄 赵宇 周勇毅 严大洲 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期231-233,共3页

采用金属粉末烧结滤芯对多晶硅制备干法回收工序的氯硅烷进行中试净化研究,在相同过滤精度和面积下,对比处理量对初始过滤压降和不同滤饼剥离方式对剥离率的影响。结果表明,当原料颗粒浓度为235 g/m^(3)、采用液相反冲滤饼剥离方式时,... 采用金属粉末烧结滤芯对多晶硅制备干法回收工序的氯硅烷进行中试净化研究,在相同过滤精度和面积下,对比处理量对初始过滤压降和不同滤饼剥离方式对剥离率的影响。结果表明,当原料颗粒浓度为235 g/m^(3)、采用液相反冲滤饼剥离方式时,出口颗粒平均浓度为2.1 g/m^(3),过滤效率为99.1%。 展开更多

关键词 金属烧结滤芯 氯硅烷 过滤 多晶硅

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高纯及超高纯四氯化钛制备技术研究进展 被引量：1

15

作者 张兴毅 赵雄 +3 位作者 万烨 郭树虎 袁振军 刘见华 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期244-247,266,共5页

四氯化钛是钛及其化合物生产中的重要中间产品,钛工业的重要原料,有着极其广泛的应用。综述了通过除钒、蒸馏、精馏、多级精馏等方法以及这些方法的组合来制备高纯四氯化钛;阐述了在高纯四氯化钛的基础上,通过吸附、汽提、蒸馏、亚沸蒸... 四氯化钛是钛及其化合物生产中的重要中间产品,钛工业的重要原料,有着极其广泛的应用。综述了通过除钒、蒸馏、精馏、多级精馏等方法以及这些方法的组合来制备高纯四氯化钛;阐述了在高纯四氯化钛的基础上,通过吸附、汽提、蒸馏、亚沸蒸馏、多级精馏等方法以及此类方法的组合,来制备可应用于半导体行业的超高纯四氯化钛。对超高纯四氯化钛的制备工艺进行探讨,并展望超高纯四氯化钛制备工艺的发展趋势和方向。 展开更多

关键词 四氯化钛 除钒 蒸馏 复合提纯

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区熔用多晶硅棒制备技术浅析 被引量：1

16

作者 陈辉 严大洲 +2 位作者 万烨 孙强 张邦洁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S02期152-156,共5页

区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重... 区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 区熔 多晶硅 CVD反应器

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多晶硅生产冷却循环水系统及水质控制技术 被引量：2

17

作者 段超 王会林 +4 位作者 裴蕾 孙强 张晓伟 张征 杨栋 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第1期45-48,共4页

多晶硅生产过程的冷却循环水系统主要用来为物料降温,一般分为开式循环水系统和闭式循环水系统。开式循环水系统主要工艺部件是开放式的,补水来源一般为工业软化水,循环水在运行过程中会发生CO2含量降低、碱度增加、pH值升高、浊度增加... 多晶硅生产过程的冷却循环水系统主要用来为物料降温,一般分为开式循环水系统和闭式循环水系统。开式循环水系统主要工艺部件是开放式的,补水来源一般为工业软化水,循环水在运行过程中会发生CO2含量降低、碱度增加、pH值升高、浊度增加等情况,需要对冷却水的指标进行监测和控制,并选择适合的水处理药剂进行投加。闭式循环水系统为密闭系统,循环用水要求较严,相较于开式循环水系统,组成部件更加复杂,但水质控制较为容易。目前较新的水质控制技术包括无磷配方除垢剂、电子除垢仪和新型防垢防腐蚀合金材料,这些新技术的使用可以减少后期成本投入,并且能减少甚至消除冷却塔及设备的清洗频次,在新厂建设及技改项目中,应尽量选用。 展开更多

关键词 多晶硅生产 冷却循环水系统 水质控制 无磷配方除垢剂 电子除垢仪 新型防垢防腐蚀合金材料

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探究吸附装置安装位置对多晶硅除硼磷的影响 被引量：2

18

作者 贺玉刚 王芳 +3 位作者 孙强 张晓伟 时庆合 付强 《无机盐工业》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期72-74,共3页

多晶硅生产中最难去除的杂质是硼、磷。为提高吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果,降低多晶硅原料氯硅烷中的杂质含量,提升多晶硅的品质,对吸附装置在提纯系统中安装位置的合理性进行了分析研究。对提纯系统中部分物料输送管道进行改造,使... 多晶硅生产中最难去除的杂质是硼、磷。为提高吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果,降低多晶硅原料氯硅烷中的杂质含量,提升多晶硅的品质,对吸附装置在提纯系统中安装位置的合理性进行了分析研究。对提纯系统中部分物料输送管道进行改造,使不同组分的物料进入相同结构的吸附装置进行吸附。调试吸附装置处于最佳工作状态后,对吸附后物料中硼、磷杂质含量的总和、吸附率以及吸附装置反冲洗频率进行对比分析。实验结果表明,当吸附装置安装在回收塔产品进入精馏塔的中间管道处时,吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果最佳,且系统运行稳定。吸附装置在提纯系统中最佳安装位置的确定,提高了吸附装置对硼、磷杂质的吸附效果以及系统运行的稳定性,为多晶硅品质的提升奠定了基础。 展开更多

关键词 多晶硅 氯硅烷 硼、磷杂质 吸附 稳定性

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结合多晶硅国家标准浅析电子级多晶硅生产控制要点 被引量：6

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作者 张鹏远 杜俊平 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第2期59-63,共5页

国内多晶硅生产线大部分是按照太阳能级标准设计建造的,产品质量与电子级多晶硅差距较大。本文通过分析电子级多晶硅国家标准,逐项分析施/受主杂质浓度、少子寿命、碳浓度、氧浓度、基体金属杂质、表面金属杂质、外在品质要求等参数,并... 国内多晶硅生产线大部分是按照太阳能级标准设计建造的,产品质量与电子级多晶硅差距较大。本文通过分析电子级多晶硅国家标准,逐项分析施/受主杂质浓度、少子寿命、碳浓度、氧浓度、基体金属杂质、表面金属杂质、外在品质要求等参数,并将以上参数的影响原因归结到生产工艺的具体环节,探究生产电子级多晶硅的技术要点,达到指导技术研发和工艺改进的目的。 展开更多

关键词 多晶硅 电子级多晶硅 多晶硅国家标准

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多晶硅生产系统热量转换工艺分析

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作者 裴蕾 段超 +3 位作者 孙强 张征 张晓伟 陈辉 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期257-259,共3页

综述了多晶硅生产从还原系统到原料系统几种常见的热量转换工艺,包括导热油热量回收利用系统、高温水热量回收利用系统、高温水回收闪蒸低压蒸汽系统.介绍了热量转化工艺流程及其生产中的一些关键参数,并对比了每种工艺的优缺点.

关键词 热量转换 导热油系统 热水系统 闪蒸蒸汽 工艺对比

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