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砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析
被引量：
1
1
作者
陈贵灿
K.L.Wang
+1 位作者
刘之行
邵志标
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期79-86,共8页
本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解...
本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.
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关键词
场效应晶体管
肖特基势垒栅
砷化镓
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职称材料
题名
砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析
被引量：
1
1
作者
陈贵灿
K.L.Wang
刘之行
邵志标
机构
西安交通
大学
电子
系
洛杉矶加州大学电气系
西安交通
大学
数学
系
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期79-86,共8页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.
关键词
场效应晶体管
肖特基势垒栅
砷化镓
Keywords
gallium arseide
schottky barrier gate fied effect transistors
numerical analysis
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析
陈贵灿
K.L.Wang
刘之行
邵志标
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
1
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