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磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究
1
作者
卞铁荣
卢正欣
井晓天
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期56-59,共4页
优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明,经650℃、0.5h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆...
优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明,经650℃、0.5h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆效应。室温下基体组织为立方结构的B2相。溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化;而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高,但溅射功率再增大则沉积速率降低;薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致,不存在成分离散问题。
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关键词
Ti—Ni—Cu
薄膜
磁控溅射
非晶
形状记忆
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职称材料
题名
磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究
1
作者
卞铁荣
卢正欣
井晓天
机构
泸州医学院附院医学分子生物学中心
西安理工大学材料科学与工程
学院
出处
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期56-59,共4页
文摘
优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明,经650℃、0.5h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆效应。室温下基体组织为立方结构的B2相。溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化;而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高,但溅射功率再增大则沉积速率降低;薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致,不存在成分离散问题。
关键词
Ti—Ni—Cu
薄膜
磁控溅射
非晶
形状记忆
Keywords
Ti-Ni-Cu
thin film
magnetron sputtering
amorphous
shape memory
分类号
TG512 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究
卞铁荣
卢正欣
井晓天
《兵器材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2007
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