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基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控被引量：25: 1; 作者曾正邵伟华 +6 位作者陈昊胡博容陈文锁李辉冉立张瑜洁秋琪《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期1165-1176,共12页; 碳化硅（silicon carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感... 展开更多; 关键词 SIC MOSFET 开关行为调控栅极电阻栅–源电容驱动电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计被引量：9: 2; 作者邵天骢郑琼林 +2 位作者李志君李虹刘建强《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第20期4204-4214,共11页; 目前碳化硅(SiC)MOSFET大多沿用Si MOSFET和IGBT的驱动设计方法。然而,由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度,因而栅极内阻、驱动回路电感和功率回路电感导致的栅源电压干扰情况也值得探索。该文分析栅源电压干扰产生的过程,进... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 驱动设计栅源电压干扰动态响应; 在线阅读下载PDF 职称材料

全碳化硅大功率直流电源关键技术研究被引量：3: 3; 作者李志君黄波 +3 位作者黄小羽郑琼林李虹邵天骢《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期215-222,共8页; 碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战... 展开更多; 关键词碳化硅功率半导体器件电力电子变换装置嵌入式保护电磁兼容功率密度效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路被引量：3: 4; 作者邵天骢郑琼林 +2 位作者李志君黄波刘建强《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第4期6-15,共10页; 高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构... 展开更多; 关键词碳化硅 MOSFET 高开关速率栅极驱动短路保护; 在线阅读下载PDF 职称材料

3300 V-10 A SiC肖特基二极管被引量：1: 5; 作者倪炜江《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期822-825,866,共5页; 利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试... 展开更多; 关键词 4H-SIC 肖特基二极管高压电流密度击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控被引量：25: 1; 作者曾正邵伟华陈昊胡博容陈文锁李辉冉立张瑜洁秋琪; 机构输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 泰科天润半导体科技(北京)有限公司; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期1165-1176,共12页; 基金国家自然科学基金项目(51607016) 国家重点研发计划专项项目(2017YFB0102303) 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室自主研究项目(2007DA10512716301)~~; 文摘碳化硅（silicon carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。; 关键词 SIC MOSFET 开关行为调控栅极电阻栅–源电容驱动电压; Keywords SiC MOSFET on-off behavior control gate resistor gate-source capacitor gate voltage; 分类号 TM131.2 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计被引量：9: 2; 作者邵天骢郑琼林李志君李虹刘建强; 机构北京交通大学电气工程学院泰科天润半导体科技(北京)有限公司; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第20期4204-4214,共11页; 文摘目前碳化硅(SiC)MOSFET大多沿用Si MOSFET和IGBT的驱动设计方法。然而,由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度,因而栅极内阻、驱动回路电感和功率回路电感导致的栅源电压干扰情况也值得探索。该文分析栅源电压干扰产生的过程,进而归纳提炼出一种基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动参数标幺化设计方法。从开关结电容的等效电路出发,推导出功率回路和驱动回路的传递函数,基于驱动和功率双回路传递函数,研究揭示栅源电压的干扰动态响应机理。进而,引入标幺化的参数表达形式,以标准量化驱动参数对于栅源电压干扰传导路径的影响,提出基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计原则。最后,搭建双脉冲实验平台,验证该驱动设计原则的合理性。; 关键词 SiC MOSFET 驱动设计栅源电压干扰动态响应; Keywords SiC MOSFET gate driver design gate-source voltage interference dynamic response; 分类号 TM402 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全碳化硅大功率直流电源关键技术研究被引量：3: 3; 作者李志君黄波黄小羽郑琼林李虹邵天骢; 机构北京交通大学电气工程学院泰科天润半导体科技(北京)有限公司国网北京市电力公司电缆分公司; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期215-222,共8页; 基金国家自然科学基金优秀青年基金资助项目(51822701) 国家自然科学基金重点资助项目(U1866211)。; 文摘碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战。首先针对SiC器件抗冲击能力差的问题,引入嵌入式保护策略,应对直流电源外部冲击扰动和短路故障。其次,针对电磁干扰大的问题,设计了电磁干扰滤波器抑制传导干扰。最后,比较全Si C电源和传统全Si电源,以实验研究的方式验证功率器件使用SiC器件的技术优势。对全SiC大功率直流电源的关键技术进行全面研究和实验验证,为SiC半导体器件在大功率电能变换中的应用提供了有益参考,并为其优异性能提供坚实依据。; 关键词碳化硅功率半导体器件电力电子变换装置嵌入式保护电磁兼容功率密度效率; Keywords silicon carbide(SiC)power semiconductor device power electronic converter embedded protection electromagnetic compatibility power density efficiency; 分类号 TM461 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路被引量：3: 4; 作者邵天骢郑琼林李志君黄波刘建强; 机构北京交通大学电气工程学院泰科天润半导体科技(北京)有限公司; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第4期6-15,共10页; 文摘高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路,提出一种SiC MOSFET栅极驱动,进而研究揭示该驱动的短路保护策略。首先,基于跨导增益负反馈构造栅极驱动电路并分析其工作原理;其次,研究该驱动的串扰抑制能力与短路保护特性;最后,通过实验证明基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的可行性,及其在串扰抑制和短路保护中的有效性。; 关键词碳化硅 MOSFET 高开关速率栅极驱动短路保护; Keywords silicon carbide(SiC) MOSFET high switching rate gate drive short-circuit protection; 分类号 TM461 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3300 V-10 A SiC肖特基二极管被引量：1: 5; 作者倪炜江; 机构泰科天润半导体科技(北京)有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期822-825,866,共5页; 文摘利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95%。分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流。设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键。; 关键词 4H-SIC 肖特基二极管高压电流密度击穿电压; Keywords 4H-SiC Schottky diode high voltage current density breakdown voltage; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控	曾正邵伟华陈昊胡博容陈文锁李辉冉立张瑜洁秋琪	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2018	25	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计	邵天骢郑琼林李志君李虹刘建强	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2021	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	全碳化硅大功率直流电源关键技术研究	李志君黄波黄小羽郑琼林李虹邵天骢	《电源学报》 CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路	邵天骢郑琼林李志君黄波刘建强	《电源学报》 CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	3300 V-10 A SiC肖特基二极管	倪炜江	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料