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发射极掺杂工艺对产业化IBC太阳电池性能的影响 被引量:5
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作者 张治 邹鹏辉 +2 位作者 刘志锋 赵影文 包杰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期158-162,共5页
主要对n型IBC太阳电池结构的发射极硼掺杂工艺进行优化设计,并通过ENDA2模拟软件对实验结果进行验证分析,通过复合损失分析,研究不同发射极硼扩工艺对产业化IBC太阳电池电性能的影响。实验结果表明,采用较高推进温度的硼扩散工艺,获得... 主要对n型IBC太阳电池结构的发射极硼掺杂工艺进行优化设计,并通过ENDA2模拟软件对实验结果进行验证分析,通过复合损失分析,研究不同发射极硼扩工艺对产业化IBC太阳电池电性能的影响。实验结果表明,采用较高推进温度的硼扩散工艺,获得发射极方阻98Ω/sq,该发射极具有最低的表面浓度1.68×10^(19) cm^(-3)和最深结深0.88μm,使得电池具有最低的复合损失(J_(0,pass)=24 fA/cm^(2))。在25℃下,AM 1.5的标准I-V测试条件下,采用最优硼扩散条件制作的IBC太阳电池,其最高电池转化效率为23.4%(V_(oc)=688.4 mV,J_(sc)=41.99 mA/cm^(2),FF=80.9%)。进一步地,通过数值模拟的方法对该电池各部分功率损失进行分析,可为下一步电池效率的提升提供优化方向。 展开更多
关键词 太阳电池 热扩散 数值模拟 IBC 转换效率 产业化
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