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包裹SiO_2薄层的Fe_3O_4纳米颗粒体系中增强的隧穿磁电阻效应
1
作者
宋朋云
王峻峰
严慧娟
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期338-342,共5页
Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858 K),因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。通过在直径大约200 nm的单分散Fe3O4微球外包裹一层绝缘的SiO2壳层而人工引入晶界,再冷压烧结成块状制成样品。与包膜前相...
Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858 K),因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。通过在直径大约200 nm的单分散Fe3O4微球外包裹一层绝缘的SiO2壳层而人工引入晶界,再冷压烧结成块状制成样品。与包膜前相比,样品的磁电阻效应大为增强,而且两者磁电阻的行为明显不同,后者在高场下出现一个线性关系,这是由SiO2晶界引起的,相关的探索给出了一条新的提高磁电阻效应的途径。
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关键词
FE3O4纳米颗粒
半金属
非本征磁电阻效应
自旋极化隧穿
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职称材料
题名
包裹SiO_2薄层的Fe_3O_4纳米颗粒体系中增强的隧穿磁电阻效应
1
作者
宋朋云
王峻峰
严慧娟
机构
北京
大学
物
理学院
清华
大学
化学系
河南科技大学数理学院
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期338-342,共5页
文摘
Fe3O4是一种半金属材料,在金属磁性氧化物当中有着较高的居里温度(858 K),因此在自旋电子应用当中有广阔的前景。通过在直径大约200 nm的单分散Fe3O4微球外包裹一层绝缘的SiO2壳层而人工引入晶界,再冷压烧结成块状制成样品。与包膜前相比,样品的磁电阻效应大为增强,而且两者磁电阻的行为明显不同,后者在高场下出现一个线性关系,这是由SiO2晶界引起的,相关的探索给出了一条新的提高磁电阻效应的途径。
关键词
FE3O4纳米颗粒
半金属
非本征磁电阻效应
自旋极化隧穿
Keywords
magnetite nanoparticles
half metal
extrinsic magnetoresistance
spin-polarized tunneling
分类号
O484.43 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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1
包裹SiO_2薄层的Fe_3O_4纳米颗粒体系中增强的隧穿磁电阻效应
宋朋云
王峻峰
严慧娟
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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