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碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响
被引量：
1
1
作者
蒋玉荣
秦瑞平
+5 位作者
边长贤
黄静
胡晓峰
杨海刚
马恒
常方高
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期996-1000,共5页
采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反...
采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低;光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象。最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制。
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关键词
碱液修饰
量子效率
光谱响应
表面复合
红移
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职称材料
题名
碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响
被引量：
1
1
作者
蒋玉荣
秦瑞平
边长贤
黄静
胡晓峰
杨海刚
马恒
常方高
机构
河南
师范大学物理与信息工程学院
河南省
光伏材料重点实验室
河南省新乡市第五职业中专
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第9期996-1000,共5页
基金
国家自然科学基金(11074066)
河南省重点科技攻关计划(102102210184)
河南师范大学校青年基金(521)资助项目
文摘
采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低;光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象。最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制。
关键词
碱液修饰
量子效率
光谱响应
表面复合
红移
Keywords
alkali liquor modified； quantum efficiency； spectral response； surface recombination； red shift
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响
蒋玉荣
秦瑞平
边长贤
黄静
胡晓峰
杨海刚
马恒
常方高
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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