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高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计
被引量：
1
1
作者
高献坤
雷君召
+3 位作者
丁赪璐
周西军
李遂亮
余泳昌
《河南农业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期442-444,451,共4页
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃...
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃-1;电源电压在2.7~3.6 V范围内波动时,电源电压调整率为72μV.V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比.
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关键词
带隙基准电压源
温度系数
电源抑制比
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职称材料
题名
高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计
被引量：
1
1
作者
高献坤
雷君召
丁赪璐
周西军
李遂亮
余泳昌
机构
河南
农业大学机电工程学院
洛阳供电公司
河南省广播电视发射台
广东交通职业技术学院
出处
《河南农业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期442-444,451,共4页
基金
河南省科技创新人才计划项目(104100510008)
文摘
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃-1;电源电压在2.7~3.6 V范围内波动时,电源电压调整率为72μV.V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比.
关键词
带隙基准电压源
温度系数
电源抑制比
Keywords
band gap voltage reference
temperature coefficient
power supply rejection ratio
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计
高献坤
雷君召
丁赪璐
周西军
李遂亮
余泳昌
《河南农业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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