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掺杂稀土元素对Ni(OH)_2晶格的影响 被引量:1
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作者 杨书廷 陈改荣 +3 位作者 尹艳红 贾俊华 陈红军 赵培正 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期278-280,共3页
首次研究了掺杂稀土元素La、Nd对Ni(OH) 2 晶格的影响 ,通过掺入异种高价离子 ,改变了Ni(OH ) 2 的晶格常数 ,特别是c轴的增加 ,改善了材料的质子扩散性能 ,减少了电化学反应的阻力。另外 ,掺杂异价离子降低了Ni2 + 的局域能级 ,引入了... 首次研究了掺杂稀土元素La、Nd对Ni(OH) 2 晶格的影响 ,通过掺入异种高价离子 ,改变了Ni(OH ) 2 的晶格常数 ,特别是c轴的增加 ,改善了材料的质子扩散性能 ,减少了电化学反应的阻力。另外 ,掺杂异价离子降低了Ni2 + 的局域能级 ,引入了大量的正缺陷。相对于未掺杂晶体 ,其OH-的数量增多 ,增大了质子扩散的几率 ,因而提高了材料的电化学性能。 展开更多
关键词 掺杂 稀土元素 Ni(OH)2晶格 均匀络合共沉淀法 电极可逆性 比容量 MH-NI电池 电化学性能
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