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一种可控硅调光器和LED驱动电源的兼容性方法
被引量：
4
1
作者
王慧
王臻卓
李治中
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第4期958-961,共4页
LED光源具有绿色,节能,减排的特点,其使用寿命较长,采用数字化调节的特点受到大众的欢迎。但现有的LED电源其驱动电源模块和调光装置经常产生不匹配现象,使得调光的过程中,状态不连续,频闪状况时有发生。针对现有的不兼容状况,本文解析...
LED光源具有绿色,节能,减排的特点,其使用寿命较长,采用数字化调节的特点受到大众的欢迎。但现有的LED电源其驱动电源模块和调光装置经常产生不匹配现象,使得调光的过程中,状态不连续,频闪状况时有发生。针对现有的不兼容状况,本文解析了TRIAC的调光译码状况,分析了外接无源泄放以及有源阻尼的硬件模块。实验结果表明,本文设计的调光电路能够有效处理调光过程中发生的频闪状况。本文方法能够提升可控硅调光装置和LED驱动电源之间的兼容性。
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关键词
LED
数字化
调光装置
频闪
TRIAC
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职称材料
双馈风电变流器IGBT模块损耗及结温的计算分析及变化规律研究
被引量：
2
2
作者
王臻卓
王慧
郝春玲
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第2期296-300,共5页
针对双馈风电机组变流器由于IGBT模块失效造成高故障率的问题,提出了在不同工况下其IGBT模块结温的准确计算方法及其变化规律分析。首先,建立了机侧及网侧变流器IGBT模块基于开关周期的损耗及结温计算模型;其次,在全工况运行下对机侧及...
针对双馈风电机组变流器由于IGBT模块失效造成高故障率的问题,提出了在不同工况下其IGBT模块结温的准确计算方法及其变化规律分析。首先,建立了机侧及网侧变流器IGBT模块基于开关周期的损耗及结温计算模型;其次,在全工况运行下对机侧及网侧变流器IGBT模块损耗和稳态结温的变化规律进行了分析。结果表明,随着风速的不断增加,机侧及网侧变流器IGBT模块的损耗总体呈增大趋势,二者变化趋势局部不同;机侧变流器IGBT模块结温变化要比网侧的更为剧烈。
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关键词
双馈风电变流器
IGBT
模块损耗
计算分析
变化规律
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职称材料
考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究
被引量：
2
3
作者
王臻卓
任婷婷
《电子器件》
CAS
北大核心
2023年第1期74-78,共5页
碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以...
碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以确定阈值电压漂移的上下限,并以其平均值定义为阈值电压。然后设计实验测量电路,对某型号SiC MOSFET器件在不同预偏置条件下进行实验测量,分析预偏置电压和脉冲持续时间对测量结果的影响,结果表明合理选择预偏置阶段的实验条件可以确保弛豫效应达到饱和,并可得到重复性的阈值电压测量结果。
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关键词
SiC
MOSFET
阈值电压测量
弛豫效应
预偏置条件
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职称材料
题名
一种可控硅调光器和LED驱动电源的兼容性方法
被引量：
4
1
作者
王慧
王臻卓
李治中
机构
河南
工业
职业
技术
学院
机电自动化
学院
河南工业职业技术学院教务处
内蒙古锡林郭勒
职业
学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第4期958-961,共4页
文摘
LED光源具有绿色,节能,减排的特点,其使用寿命较长,采用数字化调节的特点受到大众的欢迎。但现有的LED电源其驱动电源模块和调光装置经常产生不匹配现象,使得调光的过程中,状态不连续,频闪状况时有发生。针对现有的不兼容状况,本文解析了TRIAC的调光译码状况,分析了外接无源泄放以及有源阻尼的硬件模块。实验结果表明,本文设计的调光电路能够有效处理调光过程中发生的频闪状况。本文方法能够提升可控硅调光装置和LED驱动电源之间的兼容性。
关键词
LED
数字化
调光装置
频闪
TRIAC
Keywords
LED
digital dimming device
stroboscopic
TRIAC
分类号
TP23 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
双馈风电变流器IGBT模块损耗及结温的计算分析及变化规律研究
被引量：
2
2
作者
王臻卓
王慧
郝春玲
机构
河南工业职业技术学院教务处
河南
工业
职业
技术
学院
机电自动化
学院
渤海船舶
职业
学院
机电工程系
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2017年第2期296-300,共5页
文摘
针对双馈风电机组变流器由于IGBT模块失效造成高故障率的问题,提出了在不同工况下其IGBT模块结温的准确计算方法及其变化规律分析。首先,建立了机侧及网侧变流器IGBT模块基于开关周期的损耗及结温计算模型;其次,在全工况运行下对机侧及网侧变流器IGBT模块损耗和稳态结温的变化规律进行了分析。结果表明,随着风速的不断增加,机侧及网侧变流器IGBT模块的损耗总体呈增大趋势,二者变化趋势局部不同;机侧变流器IGBT模块结温变化要比网侧的更为剧烈。
关键词
双馈风电变流器
IGBT
模块损耗
计算分析
变化规律
Keywords
doubly fed wind converter
IGBT
module loss
calculation analysis
variation law
分类号
TM464 [电气工程—电器]
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究
被引量：
2
3
作者
王臻卓
任婷婷
机构
河南工业职业技术学院教务处
山西大学电力与建筑
学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2023年第1期74-78,共5页
基金
河南省科技攻关项目(212102310086)。
文摘
碳化硅(SiC)MOSFET栅极氧化层中的陷阱造就了其独特的阈值电压弛豫效应的特性,使得SiC MOSFET的阈值电压定义和测量成为一个棘手的问题。首先基于弛豫效应的饱和现象,提出了“预偏置+测量”组合的测量方法,一共需要测量两次阈值电压,以确定阈值电压漂移的上下限,并以其平均值定义为阈值电压。然后设计实验测量电路,对某型号SiC MOSFET器件在不同预偏置条件下进行实验测量,分析预偏置电压和脉冲持续时间对测量结果的影响,结果表明合理选择预偏置阶段的实验条件可以确保弛豫效应达到饱和,并可得到重复性的阈值电压测量结果。
关键词
SiC
MOSFET
阈值电压测量
弛豫效应
预偏置条件
Keywords
SiC MOSFET
threshold voltage measurement
hysteresis effect
pre-bias conditions
分类号
TM464 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种可控硅调光器和LED驱动电源的兼容性方法
王慧
王臻卓
李治中
《电子器件》
CAS
北大核心
2017
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
双馈风电变流器IGBT模块损耗及结温的计算分析及变化规律研究
王臻卓
王慧
郝春玲
《电子器件》
CAS
北大核心
2017
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
考虑弛豫效应的SiC MOSFET阈值电压测量方法研究
王臻卓
任婷婷
《电子器件》
CAS
北大核心
2023
2
在线阅读
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职称材料
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