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沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)
被引量：
1
1
作者
焦洋
张新安
+3 位作者
翟俊霞
喻先坤
丁玲红
张伟风
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期324-328,共5页
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型...
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。
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关键词
In2O3薄膜
薄膜晶体管
沟道层厚度
电学特性
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职称材料
PLD法制备透明ZnO薄膜的主要点缺陷研究
2
作者
赵志娟
丁玲红
张伟风
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2014年第2期260-262,265,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO...
采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO薄膜结晶良好,具有沿c轴高度择优取向。同时,ZnO薄膜衍射峰相对于单晶向大角度方向发生了漂移。透射谱表明,ZnO薄膜在可见光区透过率为75%,吸收带边相对于单晶发生蓝移。各种表征手段证明PLD法制备的ZnO薄膜主要点缺陷为Zn填隙(Zni)。
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关键词
脉冲激光沉积(PLD)
点缺陷
ZNO薄膜
ZNO单晶
Zni
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职称材料
题名
沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)
被引量：
1
1
作者
焦洋
张新安
翟俊霞
喻先坤
丁玲红
张伟风
机构
河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期324-328,共5页
基金
中国博士后科学基金(20110490995)资助项目
文摘
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。
关键词
In2O3薄膜
薄膜晶体管
沟道层厚度
电学特性
Keywords
In2O3 films
thin film transistor
channel thickness
electrical performance
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
PLD法制备透明ZnO薄膜的主要点缺陷研究
2
作者
赵志娟
丁玲红
张伟风
机构
河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2014年第2期260-262,265,共4页
基金
河南省高校科技创新人才支持计划基金资助项目(No.2002006)
河南省教育厅自然科学基金资助项目(No.2009B48003)
文摘
采用脉冲激光沉积(PLD)法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷,我们用(002)ZnO单晶与ZnO薄膜作对比,并进行了霍尔测试、X线衍射(XRD)和光学透射谱等基本表征。霍尔测量得到的高的霍尔迁移率及XRD图表明,制备的ZnO薄膜结晶良好,具有沿c轴高度择优取向。同时,ZnO薄膜衍射峰相对于单晶向大角度方向发生了漂移。透射谱表明,ZnO薄膜在可见光区透过率为75%,吸收带边相对于单晶发生蓝移。各种表征手段证明PLD法制备的ZnO薄膜主要点缺陷为Zn填隙(Zni)。
关键词
脉冲激光沉积(PLD)
点缺陷
ZNO薄膜
ZNO单晶
Zni
Keywords
pulsed laser deposition （PLD）
point defects
ZnO thin film
ZnO single crystal
Zni
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)
焦洋
张新安
翟俊霞
喻先坤
丁玲红
张伟风
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
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职称材料
2
PLD法制备透明ZnO薄膜的主要点缺陷研究
赵志娟
丁玲红
张伟风
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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