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题名退火条件对Sn量子点生长和红外光学性质的影响
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作者
赵希磊
梁勇
张忠锁
黄高鹏
王科范
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机构
河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第14期19-21,36,共4页
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基金
教育部"博士生创新计划"同步辐射研究生创新基金资助项目(20090655S)
河南大学省部共建项目(SBGJ090514)
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文摘
首次采用固相外延生长技术在Si(001)表面直接生长Sn量子点,并应用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和同步辐射傅里叶红外光谱(FTIR)研究了退火条件对量子点样品的表面形貌、结晶性和红外光学性质的影响。AFM结果表明,随着退火温度的升高和退火时间的延长,量子点的平均尺寸变大,面密度减小。XRD结果显示,外延得到的Sn量子点为四方结构的β-Sn,与衬底的相对取向为Sn(110)//Si(001)。由于β-Sn量子点的尺寸仍较大,同步辐射FTIR谱中没有观察到量子点的特征吸收峰。
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关键词
Sn量子点
固相外延
同步辐射红外光谱
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Keywords
Sn quantum dot, solid phase epitaxy, synchrotron FTIR
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分类号
O782.8
[理学—晶体学]
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