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强电场对NiO电子结构性质的影响
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作者 李凡生 余小英 +3 位作者 彭金云 房慧 张飞鹏 张忻 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期106-112,共7页
基于平面波密度泛函理论研究了电场强度为10 V.nm^(-1)下立方结构氧化镍的电子结构性质。结果表明:立方相氧化镍在电场强度10 V.nm^(-1)下呈现导体的能带结构,价带上移到导带,态密度谱图在多个能量取得最值,局域化效应增强,费米能级附... 基于平面波密度泛函理论研究了电场强度为10 V.nm^(-1)下立方结构氧化镍的电子结构性质。结果表明:立方相氧化镍在电场强度10 V.nm^(-1)下呈现导体的能带结构,价带上移到导带,态密度谱图在多个能量取得最值,局域化效应增强,费米能级附近的态密度增大为原系统的2倍多。费米能级上的载流子浓度由4 e/eV增大到15 e/eV,这源于Op、Nis、Nid态对费米面的贡献。强电场下的电子在不同量子状态之间显示了明显的转移,介电函数计算表明强电场下体系在0.32 eV附近具有最大的吸收,吸收峰峰值66.89。强电场明显调控了NiO的电学、光学和场致光吸收性能。 展开更多
关键词 光电子学 立方氧化镍 强电场 电子结构
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应力下MnGa合金体电子性质及磁性质的研究
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作者 路清梅 张飞鹏 +4 位作者 房慧 李虹霏 刘卫强 张东涛 岳明 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第1期128-136,共9页
采用密度泛函理论方法系统研究分析了四方结构MnGa合金体在a轴1GPa应力下的结构、形成、电子性质和磁性质.结果表明,应力下MnGa合金a,b轴晶格参数增大,c轴晶格参数减小,三轴夹角有偏离90°的趋势,晶胞体积增大.Mn-Ga不成键,Mn-Mn之... 采用密度泛函理论方法系统研究分析了四方结构MnGa合金体在a轴1GPa应力下的结构、形成、电子性质和磁性质.结果表明,应力下MnGa合金a,b轴晶格参数增大,c轴晶格参数减小,三轴夹角有偏离90°的趋势,晶胞体积增大.Mn-Ga不成键,Mn-Mn之间的强键作用进一步增强,Ga-Ga之间的强键作用消失.Mn-Mn结合键长和Ga-Ga结合键长均减小,而Mn-Ga间距增大,排斥作用减弱.应力下MnGa合金形成焓由-4.85 eV减小到-5.4 eV,其更容易生成.应力下其能带整体向下移动,导带和浅能级价带分布较宽,有效质量较小;深能级价带分布较窄,有效质量较大.自旋向下的电子能带没有带隙,自旋向上的电子能带有0.26 eV的间接带隙.s电子和p电子主要形成导带和浅能级价带,自旋极化较弱,d电子主要形成深能级价带,定域性和自旋极化最强.两种占位的Ga具有近乎相同的电子形态,Ga的s电子和Ga的p电子产生较明显的自旋极化,形成弱的磁性,Ga的d电子主要贡献深能级处的态密度,基本不贡献磁性质.两种占位的Mn主要贡献费米能处的态密度,Mn的d电子自旋极化最强,在费米能级下方Mn1自旋向下的电子态密度远高于Mn2的;在费米能级上方Mn1自旋向下的电子态密度远低于Mn2的.应力下MnGa产生了较明显的磁相变. 展开更多
关键词 MnGa合金 应力 电子性质 磁性质
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Ba置换对钙钛矿型氧化物CaMnO_3稳定性及电子结构的影响
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作者 张飞鹏 张光磊 +4 位作者 秦国强 李凡生 房慧 杨新宇 张久兴 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第6期1020-1028,共9页
采用赝势法近似密度泛函理论的方法研究了重元素Ba置换钙钛矿型氧化物CaMnO_3的稳定性及电子结构.结果表明,Ba置换引入晶格畸变,且具有各向异性.Ba置换钙钛矿型氧化物CaMnO_3呈现明显的半导体特性,且其稳定性降低.Ba置换Ca位之后,钙钛... 采用赝势法近似密度泛函理论的方法研究了重元素Ba置换钙钛矿型氧化物CaMnO_3的稳定性及电子结构.结果表明,Ba置换引入晶格畸变,且具有各向异性.Ba置换钙钛矿型氧化物CaMnO_3呈现明显的半导体特性,且其稳定性降低.Ba置换Ca位之后,钙钛矿型氧化物CaMnO_3仍然呈间接带隙型能带结构,自旋向上和自旋向下的电子能带带隙宽度分别减小到0.659 eV和0.655 eV,且经过Ba置换之后向导体转变.Ba置换CaMnO_3晶体中的电子主要在-37.5 eV,-18 eV,-16 eV,-5 eV~0 eV,1 eV附近形成能带,能级数量在-18 eV,-16 eV,-0.7 eV三个极值点依次降低.Ba置换钙钛矿型氧化物CaMnO_3价带中和导带中的电子能级弥散性不同,表明它们具有不同的有效质量.Mn p,O p和Mn d电子对钙钛矿型氧化物CaMnO_3费米面态密度具有较大的贡献,它们决定CaMnO_3材料的导电过程. 展开更多
关键词 钙钛矿型CaMnO3 Ba置换 电子结构
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