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在片S参数计量比对结果浅析: 1; 作者刘晨高岭 +7 位作者栾鹏陈婷黄英龙李艳奎金诚邹喜跃陆景陈科元《计量学报》 CSCD 北大核心 2024年第9期1401-1406,共6页; 中国电子科技集团公司第十三研究所作为主导实验室开展了在片S参数计量比对工作,对参比实验室提交的在片S参数测量结果进行了汇总分析,并用E_n值对各参比实验室测量结果进行了评价。通过在片S参数计量比对,确保了量值传递的准确、可靠,... 展开更多; 关键词无线电计量在片S参数计量比对矢量网络分析仪; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计: 2; 作者何锐聪王亚冰 +1 位作者何美林胡志富《半导体技术》北大核心 2024年第2期151-157,共7页; 基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号... 展开更多; 关键词 INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路分谐波混频器带通滤波器 Marchand巴伦; 在线阅读下载PDF 职称材料

6~27 GHz GaAs宽带功率放大器MMIC: 3; 作者冯晓冬何美林 +2 位作者柳林冯彬刘亚男《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期54-58,共5页; 基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款6~27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用预匹配电路降低带内低频段的增益,将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络,将GaAs PHEMT的栅极等效电... 展开更多; 关键词 GAAS 单片微波集成电路(MMIC) 宽带功率放大器预匹配; 在线阅读下载PDF 职称材料

DC~70 GHz GaAs超宽带放大器MMIC: 4; 作者冯晓冬何美林 +2 位作者冯彬柳林刘亚男《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期318-323,共6页; 基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款DC~70 GHz超宽带放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用6级共源共栅结构,拓展了超宽带放大器MMIC的带宽,提高了其增益。在共源共栅PHEMT之间引入一条调谐微带线作为调谐电感,... 展开更多; 关键词 GAAS 单片微波集成电路(MMIC) 超宽带(UWB) 放大器共源共栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在片S参数计量比对结果浅析: 1; 作者刘晨高岭栾鹏陈婷黄英龙李艳奎金诚邹喜跃陆景陈科元; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所北京无线电计量测试研究所中国电子技术标准化研究院中国科学院微电子研究所中国电子科技集团公司第十四研究所湖南时变通讯科技有限公司华美博科技(北京)有限公司河北雄安太芯电子科技有限公司; 出处《计量学报》 CSCD 北大核心 2024年第9期1401-1406,共6页; 文摘中国电子科技集团公司第十三研究所作为主导实验室开展了在片S参数计量比对工作,对参比实验室提交的在片S参数测量结果进行了汇总分析,并用E_n值对各参比实验室测量结果进行了评价。通过在片S参数计量比对,确保了量值传递的准确、可靠,特别是对在片S参数测量不确定度的主要来源统一了认识。同时也为业内提供了在片S参数测量一致性的比较平台。; 关键词无线电计量在片S参数计量比对矢量网络分析仪; Keywords radio metrology wafer S-parameters measurement comparison vector network analyzer; 分类号 TB973 [机械工程—测试计量技术及仪器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计: 2; 作者何锐聪王亚冰何美林胡志富; 机构河北雄安太芯电子科技有限公司; 出处《半导体技术》北大核心 2024年第2期151-157,共7页; 文摘基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号低损耗带通传输的同时缩小了芯片尺寸。测试结果表明混频器在175~205 GHz频率范围内,单边带(SSB)变频损耗小于15 dB,典型值14 dB。混频器中频频带为DC~25 GHz,射频端口对本振二次谐波信号的隔离度大于20 dB。芯片尺寸为1.40 mm×0.97 mm,能够与相同工艺的功率放大器、低噪声放大器实现片上集成,从而满足太赫兹通信等不同领域的应用需求。; 关键词 INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路分谐波混频器带通滤波器 Marchand巴伦; Keywords InP high electron mobility transistor(HEMT) terahertz monolithic integrated circuit sub-harmonic mixer bandpass filter Marchand balun; 分类号 TN773.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名6~27 GHz GaAs宽带功率放大器MMIC: 3; 作者冯晓冬何美林柳林冯彬刘亚男; 机构河北雄安太芯电子科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期54-58,共5页; 文摘基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款6~27 GHz宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用预匹配电路降低带内低频段的增益,将宽带电路设计简化为窄带电路设计。采用滤波器匹配网络,将GaAs PHEMT的栅极等效电容和漏极等效电容加入匹配电路中,缩小了宽带功率放大器MMIC的尺寸。在片测试结果表明,该放大器MMIC在6~27 GHz内,增益大于23 dB,增益平坦度约为±0.8 dB,饱和输出功率大于20.9 dBm。放大器MMIC的工作电压为4 V,电流为125 mA,芯片尺寸为1.69 mm×0.96 mm。该宽带功率放大器MMIC有利于降低宽带系统的复杂度和成本。; 关键词 GAAS 单片微波集成电路(MMIC) 宽带功率放大器预匹配; Keywords GaAs monolithic microwave integrated circuit(MMIC) broadband power amplifier pre-matching; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.16 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DC~70 GHz GaAs超宽带放大器MMIC: 4; 作者冯晓冬何美林冯彬柳林刘亚男; 机构河北雄安太芯电子科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期318-323,共6页; 文摘基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款DC~70 GHz超宽带放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用6级共源共栅结构,拓展了超宽带放大器MMIC的带宽,提高了其增益。在共源共栅PHEMT之间引入一条调谐微带线作为调谐电感,改善了超宽带放大器MMIC的增益平坦度。在片测试结果表明,该放大器MMIC在DC~70 GHz内,小信号增益大于8.3 dB,增益平坦度典型值为±1 dB,饱和输出功率大于13 dBm。在50 GHz以下噪声系数小于5 dB,在70 GHz的噪声系数为8.5 dB。该放大器MMIC的工作电压为8 V,电流为70 mA,包含射频压点与直流压点的芯片尺寸为1.39 mm×1.11 mm。; 关键词 GAAS 单片微波集成电路(MMIC) 超宽带(UWB) 放大器共源共栅; Keywords GaAs monolithic microwave integrated circuit(MMIC) ultra-wideband(UWB) amplifier cascode; 分类号 TN722.16 [电子电信—电路与系统] TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	在片S参数计量比对结果浅析	刘晨高岭栾鹏陈婷黄英龙李艳奎金诚邹喜跃陆景陈科元	《计量学报》 CSCD 北大核心	2024	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计	何锐聪王亚冰何美林胡志富	《半导体技术》北大核心	2024	在线阅读下载PDF 职称材料
3	6~27 GHz GaAs宽带功率放大器MMIC	冯晓冬何美林柳林冯彬刘亚男	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	在线阅读下载PDF 职称材料
4	DC~70 GHz GaAs超宽带放大器MMIC	冯晓冬何美林冯彬柳林刘亚男	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	在线阅读下载PDF 职称材料