检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

一种纳秒级半导体激光器集成微模块: 1; 作者李军建赵永瑞 +4 位作者师翔贾东东高业腾赵光璞贾凯烨《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期635-641,共7页; 为提升半导体激光器在高重频下工作的稳定性,并满足模块高集成度的需求,研制了一款纳秒级半导体激光器集成微模块。该微模块包括半导体激光器芯片、装载激光器芯片的基板以及驱动电路。在基板侧面设计金属化过孔,将半导体激光器芯片的... 展开更多; 关键词半导体激光器集成封装垂直发射 GaN驱动器窄脉冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于GaN功率开关的低损耗高频全GaN栅极驱动器被引量：1: 2; 作者赵永瑞贾东东 +4 位作者史亚盼吴志国李俊敏赵光璞师翔《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期863-866,共4页; 介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器。使用两个6 W的GaN HEMT搭建该驱动器,并将其输... 展开更多; 关键词全GaN栅极驱动器 GaN HEMT 脉冲宽度调制 DC/DC升压转换器高工作频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路被引量：3: 3; 作者师翔张在涌 +3 位作者赵永瑞谭小燕邓嘉霖史亚盼《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期349-353,共5页; 设计了一种应用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路。提出了一种新的动态斜坡补偿方法,使斜坡补偿电流的斜率随着占空比的增大而增大,在消除了次谐波振荡的同时,也避免了斜坡补偿对DC-DC变换器带载能力的影响。该斜坡补偿电路结构简单,易于... 展开更多; 关键词 DC-DC变换器斜坡补偿电路次谐波振荡带载能力双极型CMOS DMOS(BCD)工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路被引量：2: 4; 作者师翔崔玉旺 +3 位作者赵永瑞谭小燕张浩贾东东《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期198-202,222,共6页; 通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为... 展开更多; 关键词 PMOSFET驱动器栅源电压电压跟随电路多环路负反馈低温度漂移; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于DC-DC转换器的电流采样电路被引量：2: 5; 作者张在涌师翔 +3 位作者赵永瑞谭小燕邓嘉霖史亚盼《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第10期765-768,818,共5页; 设计了一种应用于DC-DC转换器的电流采样电路。提出了一种新型的电感等效直流电阻(DCR)采样方法,利用电感自身的DCR实现电流的采样与限流功能,节省了采样电阻,提高了DC-DC转换器的转换效率。同时电路将传统结构中的电流采样电路与脉冲... 展开更多; 关键词 DC-DC 电流采样直流电阻(DCR)采样脉冲宽度调制(PWM)比较器双极CMOS DMOS(BCD)工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于36V、500W GaN功率放大器的电源调制器被引量：3: 6; 作者倪涛赵永瑞 +3 位作者高业腾赵光璞谭小燕师翔《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期504-507,共4页; 随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片... 展开更多; 关键词电源调制器 GaN功率放大器调制驱动器线性稳压器负压线性稳压器; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于车载激光雷达的高速窄脉冲栅极驱动器被引量：3: 7; 作者贾东东赵永瑞 +3 位作者师翔李军建贾凯烨史亚盼《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期699-705,共7页; 针对车载激光雷达高频率、高精度的探测需求,提出了一种高速窄脉冲栅极驱动器,用于驱动激光雷达发射系统中的GaN HEMT开关管。基于0.18μm CMOS工艺进行驱动器的电路与版图设计,采用新型施密特触发器结构,并集成欠压锁存和过温保护功能... 展开更多; 关键词窄脉冲高速栅极驱动器 GaN HEMT 晶圆级芯片封装(WLCSP) 车载激光雷达; 在线阅读下载PDF 职称材料

电源调制驱动器的失效分析: 8; 作者赵永瑞张浩 +2 位作者师翔倪涛张在涌《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期388-392,共5页; 电源调制驱动器是保障电路系统脉冲式供电的常用IC产品,通过输出脉冲信号控制MOSFET的开关为电路系统供电。讨论了某电子设备中出现的电源调制驱动器失效现象。通过二极管导通测试和加电测试确定故障位置和失效情况,并对失效产品进行开... 展开更多; 关键词电源调制驱动器静电损伤电压冲击电流冲击高工作频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种纳秒级半导体激光器集成微模块: 1; 作者李军建赵永瑞师翔贾东东高业腾赵光璞贾凯烨; 机构河北新华北集成电路有限公司河北省移动通信用射频集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期635-641,共7页; 文摘为提升半导体激光器在高重频下工作的稳定性,并满足模块高集成度的需求,研制了一款纳秒级半导体激光器集成微模块。该微模块包括半导体激光器芯片、装载激光器芯片的基板以及驱动电路。在基板侧面设计金属化过孔,将半导体激光器芯片的电极从基板侧面引出,实现了激光的垂直发射;采用球栅阵列(BGA)封装GaN HEMT和GaN驱动器,优化电路布局和半导体激光器的回流路径,减小寄生电感,实现了1 ns的发光脉冲宽度,工作重频达到了1 MHz;同时,发光脉冲信号的前沿抖动度小于60 ps,脉冲宽度抖动度小于200 ps,表明其具有较高的稳定性。最后,采用高透明、耐高温的灌封胶对该微模块实现集成化封装,整体尺寸仅为6mm×5mm×2.6mm。; 关键词半导体激光器集成封装垂直发射 GaN驱动器窄脉冲; Keywords semiconductor laser integrated packaging vertical emission GaN driver narrow pulse; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于GaN功率开关的低损耗高频全GaN栅极驱动器被引量：1: 2; 作者赵永瑞贾东东史亚盼吴志国李俊敏赵光璞师翔; 机构河北新华北集成电路有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期863-866,共4页; 基金河北省2019新一代信息技术研发及产业化专项资助项目(冀工信明传[2018]135号)。; 文摘介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器。使用两个6 W的GaN HEMT搭建该驱动器,并将其输出连接到一个45 W GaN功率开关的栅极,形成一个DC/DC升压转换器的低侧开关,并进行实验验证。实验结果表明,在20%~80%占空比下,电路具有低损耗(约1 W)和高达60 MHz的开关工作频率,测得的方波开关时间达到了纳秒级。该研究结果为GaN功率开关及驱动器进一步使用微波单片集成电路(MMIC)工艺进行全集成提供了理论依据和实测数据。; 关键词全GaN栅极驱动器 GaN HEMT 脉冲宽度调制 DC/DC升压转换器高工作频率; Keywords full GaN gate driver GaN HEMT pulse width modulation DC/DC boost converter high operation frequency; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路被引量：3: 3; 作者师翔张在涌赵永瑞谭小燕邓嘉霖史亚盼; 机构河北新华北集成电路有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期349-353,共5页; 文摘设计了一种应用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路。提出了一种新的动态斜坡补偿方法,使斜坡补偿电流的斜率随着占空比的增大而增大,在消除了次谐波振荡的同时,也避免了斜坡补偿对DC-DC变换器带载能力的影响。该斜坡补偿电路结构简单,易于实现,已在基于0.5μm双极型CMOS DMOS (BCD)工艺设计的电流模降压型DC-DC变换器中得到了验证。测试结果表明,该DC-DC变换器在不同占空比下可稳定工作,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC变换器面积为2.2 mm×2.2 mm,其中斜坡补偿电路面积仅为0.2 mm×0.3 mm。; 关键词 DC-DC变换器斜坡补偿电路次谐波振荡带载能力双极型CMOS DMOS(BCD)工艺; Keywords DC-DC converter slope compensation circuit sub-harmonic oscillation load capacity bipolar CMOS DMOS(BCD)process; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路被引量：2: 4; 作者师翔崔玉旺赵永瑞谭小燕张浩贾东东; 机构河北新华北集成电路有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期198-202,222,共6页; 文摘通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。; 关键词 PMOSFET驱动器栅源电压电压跟随电路多环路负反馈低温度漂移; Keywords PMOSFET driver gate-source voltage voltage following circuit multi-loop negative feedback low temperature drift; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于DC-DC转换器的电流采样电路被引量：2: 5; 作者张在涌师翔赵永瑞谭小燕邓嘉霖史亚盼; 机构河北新华北集成电路有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第10期765-768,818,共5页; 文摘设计了一种应用于DC-DC转换器的电流采样电路。提出了一种新型的电感等效直流电阻(DCR)采样方法,利用电感自身的DCR实现电流的采样与限流功能,节省了采样电阻,提高了DC-DC转换器的转换效率。同时电路将传统结构中的电流采样电路与脉冲宽度调制(PWM)比较器进行了合并,使系统结构更加简单。在基于0.35μm双极CMOS DMOS(BCD)工艺设计的DC-DC转换器中进行了验证,测试结果表明该DC-DC转换器输入电源电压为4.5~38 V,输出电压为0.6~12 V,负载电流最大可达5 A,转换效率可达95%,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC转换器面积为2.30 mm×2.30 mm,其中电流采样电路部分面积仅为0.30 mm×0.40 mm。; 关键词 DC-DC 电流采样直流电阻(DCR)采样脉冲宽度调制(PWM)比较器双极CMOS DMOS(BCD)工艺; Keywords DC-DC current sensing DC resistance(DCR)sensing pulse width modulation(PWM)comparator bipolar CMOS DMOS(BCD)process; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于36V、500W GaN功率放大器的电源调制器被引量：3: 6; 作者倪涛赵永瑞高业腾赵光璞谭小燕师翔; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所河北新华北集成电路有限公司河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期504-507,共4页; 文摘随着GaN功率放大器的发展,其工作电压和输出功率越来越大,对电源调制器的要求也越来越高。介绍了一种用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器模块。该模块基于自主研发的芯片组合设计而成,使用了一款50 V调制驱动器作为核心控制芯片,一款60 V高压PMOSFET作为调制开关,一款固定输出电压的线性稳压器,一款负压线性稳压器为功率放大器提供栅极偏置电压。经实验验证,该模块电路可以为36 V、500 W的GaN功率放大器提供稳定可靠的漏极控制电压及栅极偏置电压。此外,栅、漏电压上电时序受控,输出信号的上升、下降时间分别为16.3 ns和79.4 ns,能够很好地满足应用要求。; 关键词电源调制器 GaN功率放大器调制驱动器线性稳压器负压线性稳压器; Keywords power modulator GaN power amplifier modulation driver linear regulator negative voltage linear regulator; 分类号 TN761 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于车载激光雷达的高速窄脉冲栅极驱动器被引量：3: 7; 作者贾东东赵永瑞师翔李军建贾凯烨史亚盼; 机构河北新华北集成电路有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期699-705,共7页; 文摘针对车载激光雷达高频率、高精度的探测需求,提出了一种高速窄脉冲栅极驱动器,用于驱动激光雷达发射系统中的GaN HEMT开关管。基于0.18μm CMOS工艺进行驱动器的电路与版图设计,采用新型施密特触发器结构,并集成欠压锁存和过温保护功能。该驱动器选用晶圆级芯片封装(WLCSP)技术,最大程度上降低栅极路径上的寄生电感。对芯片进行测试,结果表明:驱动器最小输出脉冲宽度为1.06 ns,其上升时间为480 ps,下降时间为380 ps,输入信号到输出信号的延迟时间为3 ns,脉冲频率最高可达60 MHz。该驱动器具有脉宽窄、延时短、频率高、体积小等特点,可应用于车载激光雷达系统。; 关键词窄脉冲高速栅极驱动器 GaN HEMT 晶圆级芯片封装(WLCSP) 车载激光雷达; Keywords narrow pulse high speed gate driver GaN HEMT wafer level chip scale packaging(WLCSP) automotivelidar; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN784.1 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电源调制驱动器的失效分析: 8; 作者赵永瑞张浩师翔倪涛张在涌; 机构河北新华北集成电路有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所河北省移动通信用射频集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期388-392,共5页; 文摘电源调制驱动器是保障电路系统脉冲式供电的常用IC产品,通过输出脉冲信号控制MOSFET的开关为电路系统供电。讨论了某电子设备中出现的电源调制驱动器失效现象。通过二极管导通测试和加电测试确定故障位置和失效情况,并对失效产品进行开帽和去层,更精准地定位故障位置。通过建立故障树并使用排除法对失效驱动器进行分析,确定其失效的主要原因。通过机理分析和故障复现,证明了之前故障定位的准确性和分析的正确性。最后,为防止类似失效情况的再次发生制定了相应的改进措施。经用户使用验证,故障问题得以解决。; 关键词电源调制驱动器静电损伤电压冲击电流冲击高工作频率; Keywords power modulation driver electrostatic damage voltage shock current shock high operating frequency; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种纳秒级半导体激光器集成微模块	李军建赵永瑞师翔贾东东高业腾赵光璞贾凯烨	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用于GaN功率开关的低损耗高频全GaN栅极驱动器	赵永瑞贾东东史亚盼吴志国李俊敏赵光璞师翔	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路	师翔张在涌赵永瑞谭小燕邓嘉霖史亚盼	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路	师翔崔玉旺赵永瑞谭小燕张浩贾东东	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	应用于DC-DC转换器的电流采样电路	张在涌师翔赵永瑞谭小燕邓嘉霖史亚盼	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用于36V、500W GaN功率放大器的电源调制器	倪涛赵永瑞高业腾赵光璞谭小燕师翔	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	用于车载激光雷达的高速窄脉冲栅极驱动器	贾东东赵永瑞师翔李军建贾凯烨史亚盼	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	电源调制驱动器的失效分析	赵永瑞张浩师翔倪涛张在涌	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料