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Al掺杂ZnO薄膜的结构研究 被引量:4
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作者 岂云开 顾建军 +3 位作者 李志文 杨淑敏 王振文 孙会元 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第2期115-119,共5页
采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜。系统研究了不同氩氧体积比、不同退火温度和氛围、不同Al掺杂浓度对薄膜结构的影响。结果显示,Al掺杂ZnO薄膜为多晶薄膜,呈六角纤锌矿结构,制备条件和后期处理以及掺杂浓度... 采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO薄膜。系统研究了不同氩氧体积比、不同退火温度和氛围、不同Al掺杂浓度对薄膜结构的影响。结果显示,Al掺杂ZnO薄膜为多晶薄膜,呈六角纤锌矿结构,制备条件和后期处理以及掺杂浓度对薄膜的微结构有着很大的影响。在氩氧体积比6∶1条件下制备的薄膜,经真空500℃退火后具有较好的结晶和明显的(002)择优取向。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 结构特性 磁控溅射 退火
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旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性
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作者 岂云开 顾建军 +1 位作者 贾莲芝 孙会元 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期61-63,共3页
实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的V... 实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的VBL.实验首次验证了正、负布洛赫线模型是合理的. 展开更多
关键词 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴长 缩灭场
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