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具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料
1
作者
王波
高楠
+5 位作者
郭艳敏
尹甲运
张志荣
袁凤坡
房玉龙
冯志红
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第9期704-708,719,共6页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲...
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲度都较为接近于常规的高阻GaN背势垒结构的HEMT材料。由于AlN晶格常数较小,具有AlN背势垒的HEMT材料受到了更大的压应力。通过对比分析两种HEMT材料所制备的器件发现,受益于AlN背势垒层更高的禁带宽度和临界电场,由AlN背势垒HEMT材料所制备的器件三端关态击穿电压为常规高阻GaN背势垒HEMT器件的1.5倍,缓冲层漏电流则较常规高阻GaN背势垒HEMT器件低2~3个数量级。
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关键词
氮化镓(GaN)
铝镓氮(AlGaN)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
背势垒
高电子迁移率晶体管(HEMT)
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职称材料
题名
具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料
1
作者
王波
高楠
郭艳敏
尹甲运
张志荣
袁凤坡
房玉龙
冯志红
机构
中国
电子
科技集团公司第十三研究所
专用集成电路
重点
实验室
河北省新型半导体光电子器件重点实验室
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第9期704-708,719,共6页
基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目（61804139）
国家重点研发计划资助项目（2016YFB0400203)
文摘
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲度都较为接近于常规的高阻GaN背势垒结构的HEMT材料。由于AlN晶格常数较小,具有AlN背势垒的HEMT材料受到了更大的压应力。通过对比分析两种HEMT材料所制备的器件发现,受益于AlN背势垒层更高的禁带宽度和临界电场,由AlN背势垒HEMT材料所制备的器件三端关态击穿电压为常规高阻GaN背势垒HEMT器件的1.5倍,缓冲层漏电流则较常规高阻GaN背势垒HEMT器件低2~3个数量级。
关键词
氮化镓(GaN)
铝镓氮(AlGaN)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
背势垒
高电子迁移率晶体管(HEMT)
Keywords
GaN
AlGaN
metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
back barrier
high electron mobility transistor(HEMT)
分类号
O475 [理学—半导体物理]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料
王波
高楠
郭艳敏
尹甲运
张志荣
袁凤坡
房玉龙
冯志红
《微纳电子技术》
北大核心
2019
0
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