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TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应: 1; 作者贺斌高宝红 +3 位作者霍金向李雯浩宇贺越王建树《半导体技术》北大核心 2025年第5期473-480,共8页; 极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过... 展开更多; 关键词化学机械抛光(CMP) 铜缓蚀剂表面活性剂复配; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展: 2; 作者武峥牛新环 +4 位作者何潮董常鑫李鑫杰胡槟李佳辉《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页; 在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了... 展开更多; 关键词缓蚀剂表面活性剂化学机械抛光(CMP) 协同作用金属腐蚀抑制; 在线阅读下载PDF 职称材料

pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展被引量：2: 3; 作者董常鑫牛新环 +4 位作者刘江皓占妮邹毅达何潮李鑫杰《半导体技术》北大核心 2024年第1期30-38,共9页; pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM... 展开更多; 关键词 PH调节剂化学机械抛光(CMP) 抛光液稳定性平坦化; 在线阅读下载PDF 职称材料

IC互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展被引量：1: 4; 作者李雯浩宇高宝红 +3 位作者霍金向贺斌梁斌刘鸣瑜《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期228-235,共8页; 集成电路的产业发展作为衡量一个国家经济实力的重要指标,反映该国的整体实力。在集成电路的众多制备工艺中,化学机械抛光(Chemical mechanical planarization,CMP)是关键制造技术之一,也是目前应用最广且能够实现全局和局部平坦化的技... 展开更多; 关键词铜互连钴互连钌互连钽/氮化钽阻挡层钴阻挡层钌阻挡层化学机械抛光; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学机械抛光中摩擦润滑与化学行为研究进展: 5; 作者霍金向高宝红 +4 位作者李雯浩宇贺斌梁斌刘鸣瑜陈旭华《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1416-1420,共5页; 从三个方面对化学机械抛光(CMP)过程中摩擦与化学行为的研究进行了综述,其主要分为:关于抛光液中化学组分影响晶圆摩擦润滑状态的实验研究、CMP过程中抛光液组分与晶圆表面材料反应的分子动力学和反应力场分子动力学模拟研究、同时考虑... 展开更多; 关键词化学机械抛光化学机械协同摩擦化学摩擦系数分子动力学; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应: 1; 作者贺斌高宝红霍金向李雯浩宇贺越王建树; 机构河北工业大学电子信息工程学院河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心河北省微电子专用材料与器件工程研究中心; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第5期473-480,共8页; 基金国家自然科学基金(61704046) 河北省自然科学基金(F2022202072)。; 文摘极大规模集成电路(GLSI)中多层铜互连的化学机械抛光(CMP)是推动微电子技术发展的关键工艺之一。抑制剂是实现铜晶圆表面平坦化的重要因素,而表面活性剂可以改善铜晶圆的表面质量,因此抑制剂和表面活性剂的复配使用是研究的热点。通过抛光实验、电化学实验、接触角实验和表面表征测试,深入分析了LS-97和TAZ复配使用对铜表面的影响。研究结果表明,500 mg/L LS-97和2 mmol/L TAZ复配使用可以降低铜的抛光速率、改善润湿性、减少表面缺陷和降低表面粗糙度。LS-97和TAZ复配使用时,吸附层更致密、更稳定,铜晶圆表面质量更好。; 关键词化学机械抛光(CMP) 铜缓蚀剂表面活性剂复配; Keywords chemical mechanical polishing(CMP) Cu inhibitor surfactant compound; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展: 2; 作者武峥牛新环何潮董常鑫李鑫杰胡槟李佳辉; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心河北省微电子专用材料与器件工程中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页; 基金国家重点研发计划(2023YFB3507100) 国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007) +2 种基金国家自然科学基金(62074049) 河北省专业学位精品案例库建设项目(KCJPZ2023007)。; 文摘在化学机械抛光(CMP)过程中,集成电路金属多层布线因受抛光液中化学试剂的腐蚀而经常导致表面缺陷的出现。将两种及以上能够产生协同缓蚀效果的化学试剂复配可以得到较单一试剂更强的缓蚀性能。介绍了多试剂协同腐蚀抑制的机理,总结了国内外多试剂协同中两种缓蚀剂、表面活性剂与缓蚀剂、两种表面活性剂的复配协同在集成电路CMP金属腐蚀抑制应用中的研究进展,并延伸到碳钢金属等防腐领域,最后对CMP领域中多试剂协同抑制的发展进行了展望。; 关键词缓蚀剂表面活性剂化学机械抛光(CMP) 协同作用金属腐蚀抑制; Keywords corrosion inhibitor surfactant chemical mechanical polishing(CMP) collaborative effect metal corrosion inhibition; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展被引量：2: 3; 作者董常鑫牛新环刘江皓占妮邹毅达何潮李鑫杰; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心河北省微电子专用材料与器件工程研究中心; 出处《半导体技术》北大核心 2024年第1期30-38,共9页; 基金国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007) 国家自然科学基金(62074049) 河北省自然科学基金(F2021202009)。; 文摘 pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CMP中的应用及其作用机理进行综述。无机酸pH调节剂的主要作用机理是快速腐蚀材料表面,但其主要缺点是会将多余的金属离子引入抛光液中污染金属表面。有机酸pH调节剂的主要作用机理是螯合金属离子形成大分子络合物,但其主要缺点是稳定性差,难以保存。无机碱pH调节剂的主要作用机理是在基底表面生成一层软化层,使其在机械作用下更容易被去除,但其主要缺点是仍会引入金属离子污染材料表面。有机碱pH调节剂的主要作用机理是加速钝化膜的形成,但其主要缺点是制备困难、成本高。最后对pH调节剂在CMP中的应用前景进行了展望。; 关键词 PH调节剂化学机械抛光(CMP) 抛光液稳定性平坦化; Keywords pH regulator chemical mechanical polishing(CMP) slurry stability planarization; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名IC互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展被引量：1: 4; 作者李雯浩宇高宝红霍金向贺斌梁斌刘鸣瑜; 机构河北工业大学电子信息工程学院河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心河北省微电子专用材料与器件工程研究中心; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期228-235,共8页; 基金河北省自然科学基金(F2022202072) 青年科学基金项目(61704046)。; 文摘集成电路的产业发展作为衡量一个国家经济实力的重要指标,反映该国的整体实力。在集成电路的众多制备工艺中,化学机械抛光(Chemical mechanical planarization,CMP)是关键制造技术之一,也是目前应用最广且能够实现全局和局部平坦化的技术。互连技术与CMP紧密相关,芯片互连属于后段制程,目前的互连技术主要包括铜互连、钴互连,在使用这些互连技术时不可避免地会影响芯片的性能,包括金属离子扩散速率快、薄膜与衬底的结合强度差等,学者们通过加入阻挡层来解决这些问题。互连金属和阻挡层都要进行CMP工序,它直接决定芯片良率和可靠性。本文总结了互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展,以技术节点出发介绍了三种典型的互连金属以及它们常用的阻挡层材料,分析总结了各种材料的抛光机理、抛光液组分、抛光效果及其材料的应用优势与缺陷,简述了在CMP互连与阻挡层的研究中存在的局限性,最后对新的材料、新型互连技术的研发及应用进行了展望。; 关键词铜互连钴互连钌互连钽/氮化钽阻挡层钴阻挡层钌阻挡层化学机械抛光; Keywords copper interconnection cobalt interconnection ruthenium interconnection tantalum/tantalum nitride barrier cobalt barrier ruthenium barrier chemical-mechanical polishing; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学] TN304.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学机械抛光中摩擦润滑与化学行为研究进展: 5; 作者霍金向高宝红李雯浩宇贺斌梁斌刘鸣瑜陈旭华; 机构河北工业大学电子信息工程学院河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心河北省微电子专用材料与器件工程研究中心; 出处《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1416-1420,共5页; 基金国家自然科学基金青年科学基金项目(61704046) 河北省自然科学基金(F2022202072)。; 文摘从三个方面对化学机械抛光(CMP)过程中摩擦与化学行为的研究进行了综述,其主要分为:关于抛光液中化学组分影响晶圆摩擦润滑状态的实验研究、CMP过程中抛光液组分与晶圆表面材料反应的分子动力学和反应力场分子动力学模拟研究、同时考虑摩擦润滑与化学反应的CMP材料去除速率模型。针对CMP过程中机械与化学协同作用的机理研究尚不明确,考虑机械摩擦与化学反应协同作用是未来完善CMP理论框架的重要研究方向之一。; 关键词化学机械抛光化学机械协同摩擦化学摩擦系数分子动力学; Keywords chemical mechanical polishing mechanochemical synergy tribochemistry coefficient of friction molecular dynamics; 分类号 TQ021 [化学工程] TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	TAZ与LS-97对铜CMP协同缓蚀效应	贺斌高宝红霍金向李雯浩宇贺越王建树	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	集成电路CMP中金属腐蚀复配缓蚀剂的研究进展	武峥牛新环何潮董常鑫李鑫杰胡槟李佳辉	《半导体技术》 CAS 北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展	董常鑫牛新环刘江皓占妮邹毅达何潮李鑫杰	《半导体技术》北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	IC互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展	李雯浩宇高宝红霍金向贺斌梁斌刘鸣瑜	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	化学机械抛光中摩擦润滑与化学行为研究进展	霍金向高宝红李雯浩宇贺斌梁斌刘鸣瑜陈旭华	《应用化工》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料