本文以电沉积的金属钴薄膜作为原材料,通过简单的氧化技术获得了薄膜前驱体材料,并进一步在35℃热处理条件下获得了超薄Co_3O_4纳米片薄膜材料.通过扫描电镜、X-射线衍射、透射电镜、等手段对材料的物理结构进行了深入分析,并通过循环...本文以电沉积的金属钴薄膜作为原材料,通过简单的氧化技术获得了薄膜前驱体材料,并进一步在35℃热处理条件下获得了超薄Co_3O_4纳米片薄膜材料.通过扫描电镜、X-射线衍射、透射电镜、等手段对材料的物理结构进行了深入分析,并通过循环伏安法(CV)表征了该薄膜材料的电化学活性.作为电化学传感器件的活性材料,该薄膜材料对H_2O_2的检测表现出较宽的线性浓度检测范围(0~4 mmol·L^(-1))和较高的电流响应(~1.15 m A·cm^(-2)),在该领域具有较高的应用价值.展开更多
文摘本文以电沉积的金属钴薄膜作为原材料,通过简单的氧化技术获得了薄膜前驱体材料,并进一步在35℃热处理条件下获得了超薄Co_3O_4纳米片薄膜材料.通过扫描电镜、X-射线衍射、透射电镜、等手段对材料的物理结构进行了深入分析,并通过循环伏安法(CV)表征了该薄膜材料的电化学活性.作为电化学传感器件的活性材料,该薄膜材料对H_2O_2的检测表现出较宽的线性浓度检测范围(0~4 mmol·L^(-1))和较高的电流响应(~1.15 m A·cm^(-2)),在该领域具有较高的应用价值.
