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题名封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响
被引量：3
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作者
袁凤坡
白欣娇
李帅
崔素杭
李晓波
王静辉
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
同辉电子科技股份有限公司
河北省半导体照明产业技术研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第9期712-716,734,共6页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)
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文摘
SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研究了模块封装工艺与模块热电特性的关系,包括焊层厚度、空洞率及键合参数对模块热特性和寄生参数的影响。结合仿真结果和实测数据得出焊层厚度0.18 mm、键合线直径15 mil(1 mil=25.4μm)、线间距0.3 mm时模块热阻和电特性较理想。其热阻为0.266℃/W,寄生电感为18.159 nH,模块阈值电压小于1.9 V,导通电阻约为6.5 mΩ。
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关键词
SIC
功率模块
热电特性
有限元分析
空洞率
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Keywords
SiC
power module
thermoelectric property
finite element analysis
voidage
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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