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SrBPO5:Dy^3+荧光粉的制备及光谱性能研究 被引量:3
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作者 杨勇 韩越 +3 位作者 关丽 王皓岩 李旭 滕枫 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期723-727,共5页
通过高温固相法制备了用于紫外激发的系列SrBPO_5:Dy^(3+)荧光粉,并对样品进行了XRD分析和发光性能测试。结果表明,合成样品为单一相的SrBPO_5材料;在388 nm紫外光激发下,样品的发射光谱包括485和575 nm两个发射峰。研究了Dy^(3+)浓度,M... 通过高温固相法制备了用于紫外激发的系列SrBPO_5:Dy^(3+)荧光粉,并对样品进行了XRD分析和发光性能测试。结果表明,合成样品为单一相的SrBPO_5材料;在388 nm紫外光激发下,样品的发射光谱包括485和575 nm两个发射峰。研究了Dy^(3+)浓度,Mg^(2+)加入量,烧结温度以及电荷补偿剂对发射光谱的影响。当Dy^(3+)掺杂摩尔浓度为4 mol%时发光强度最强;随着Mg^(2+)的加入量的增加B/Y峰的强度比不断增加;最佳烧结温度为1 100℃;Na^+作为电荷补偿剂效果最佳。该荧光粉有较强的黄色发射峰,可以增强UV激发的白光LED的黄光成分从而提高其穿透雾霾的能力。 展开更多
关键词 SrBPO5:Dy3+ 激发光谱 发射光谱 掺杂浓度 电荷补偿剂
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脉冲激光烧蚀单晶硅羽辉中粒子荷电特性
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作者 邓泽超 胡自强 +2 位作者 丁学成 褚立志 王英龙 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2013年第6期583-586,共4页
在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射谱和X线衍射(XRD)谱检测结果均表明,随着电压和衬底位置的变化,均无纳米... 在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射谱和X线衍射(XRD)谱检测结果均表明,随着电压和衬底位置的变化,均无纳米晶粒形成.结合晶粒成核生长动力学,分析得出烧蚀羽辉中只包含硅原子、带正电硅离子和带负电的电子. 展开更多
关键词 脉冲激光烧蚀 电场 成核生长动力学
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氩气含量对介质阻挡放电中单丝等离子体温度的影响 被引量:2
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作者 付宏艳 董丽芳 赵杨 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期591-594,共4页
在空气与氩气组成的混合气体放电中,首次研究了由中心点和外层晕组成的单丝。从照片中观察单丝结构,发现混合气体中氩气所占的比例越重,单丝的直径随之越小,同时中心点和外层晕的亮度有明显的差异,说明中心点和外层晕可能处于不同的等... 在空气与氩气组成的混合气体放电中,首次研究了由中心点和外层晕组成的单丝。从照片中观察单丝结构,发现混合气体中氩气所占的比例越重,单丝的直径随之越小,同时中心点和外层晕的亮度有明显的差异,说明中心点和外层晕可能处于不同的等离子体状态。实验对单丝结构进行了光学时空分辨测量,研究了中心点和外层晕两层结构的微观特性。利用发射光谱法,详细地研究了该单丝结构的中心点和外层晕的等离子体参数随氩气含量的变化关系。实验根据氮分子第二正带系(C^3Ⅱ_u→B^3Ⅱ_g)谱线计算了中心点和外层晕的分子振动温度;通过氮分子离子N_2^+(391.4 nm)第一负带系谱线与氮分子N_2(394.1nm)谱线强度比,反映中心点和外层晕的电子平均能量随氩气含量的变化关系;利用氩原子763.2 nm(2P_6→1 S_5)和772.077nm(2P_2→1S)两条谱线的相对强度比法,估算了中心点和外层晕的电子激发温度。结果表明:中心点的光信号对应着第一个电流脉冲,且其光信号较弱;而外层晕的光信号同时对应着第一个和第二个电流脉冲,且其光信号较强。在相同的氩气含量条件下,外层晕比中心点的分子振动温度、电子平均能量以及电子激发温度均要高。随着氩气含量从30%逐渐增大到50%,中心点和外层晕的分子振动温度是逐渐减小的,而电子平均能量和电子激发温度均是逐渐增大的。 展开更多
关键词 介质阻挡放电 单丝 分子振动温度 电子平均能量 电子激发温度
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表面处理与p层电导率对HIT电池性能的影响 被引量:1
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作者 杨静 陈剑辉 +3 位作者 沈艳娇 陈静伟 许颖 麦耀华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期201-205,共5页
考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过优化清洗工艺使得a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)异质结构有效少子寿命达到2 ms。研究不同沉积温度对p型非晶硅薄膜电导率的影响,结合后退火发现中温(150℃)生... 考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过优化清洗工艺使得a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)异质结构有效少子寿命达到2 ms。研究不同沉积温度对p型非晶硅薄膜电导率的影响,结合后退火发现中温(150℃)生长高温后退火的方式优于直接高温(200℃)沉积,电导率和钝化效果都有明显改善。采用优化后的p层,a-Si∶H(p^+)/a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)/a-Si∶H(n^+)(inip)结构少子寿命可达3.70 ms。制备的HIT电池具有优良的性能:开路电压V_(oc)=700 mV,潜在的填充因子pFF=82%,短路电流密度Jsc=32.10 mA/m^2,填充因子FF=72.35%,转换效率η=16.26%,对比Suns-V_(oc)I-V曲线和标准条件下测试的I-V曲线计算得串联电阻,分析FF与pFF差异的原因。 展开更多
关键词 表面处理 非晶硅 钝化 HIT电池 串联电阻
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