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题名用于高压快恢复二极管的200mm硅外延材料的生长
被引量：7
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作者
张志勤
吴会旺
袁肇耿
赵丽霞
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第2期129-133,159,共6页
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文摘
1 200 V快恢复二极管(FRD)器件用200 mm外延片由于直径较大、外延层较厚(约130μm)以及电阻率较高(约60Ω·cm),外延层滑移线、电阻率不均匀性和缓冲层过渡区不易控制。通过在水平板式炉上进行工艺优化实验,采用900℃恒温工艺,外延层滑移线总长由原来的约90 mm降低至约15 mm。采用氢气变流量赶气工艺,外延层电阻率不均匀性由原来的约5%提升至小于3%。缓冲层结构生长之前,预生长本征覆盖层(帽层)可以降低缓冲层的过渡区宽度,由10μm降低至5μm,改善了缓冲层的有效厚度,同时也可以降低缓冲层的电阻率不均匀性,由2.5%降低至1.1%。以上措施的实施,满足了1 200 V FRD器件的材料指标要求,外延片出货量大幅度增加,提升了产业化水平。
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关键词
快恢复二极管(FRD)
外延
滑移线
电阻率
不均匀性
缓冲层
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Keywords
fast recovery diode（FRD）
epitaxy
slip line
resistivity
non-uniformity
buffer layer
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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题名8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法
被引量：9
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作者
张志勤
袁肇耿
薛宏伟
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机构
河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第7期531-535,560,共6页
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文摘
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。
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关键词
8英寸硅外延片
薄层外延
外延层厚度
电阻率
不均匀性
“碗状”分布
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Keywords
8-inch silicon epitaxial wafer
thin layer epitaxy
epitaxial layer thickness
resistivi- ty
nonuniformity
bowl-shape distribution
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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