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题名半导体桥换能元结构设计与制备
被引量：1
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作者
刘宇韬
左玉晨
刘黎
刘兆伦
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机构
燕山大学信息科学与工程学院
河北擎越电子科技有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期351-357,共7页
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基金
国家自然科学基金(62405263)
驻冀高效重点研发专项(241130181A)。
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文摘
换能元作为电火工品的核心部件,直接影响着电火工品的安全性和可靠性。以发火性能最佳的双V形桥形为基础,推导出双V形半导体桥(SCB)换能元电阻的计算公式。通过TCAD工具构建了双V形半导体桥换能元三维结构模型,并对桥区电流密度进行了仿真。依据SCB桥区电阻计算理论和建模仿真结果,制备出相应尺寸的SCB换能元芯片并进行阻值测量。仿真结果表明,在1 V直流电压激励下,双V形SCB桥区尖角处的电流密度最大,约为2.2×10^(5)A/cm^(2),中心处的电流密度约为1.67×10^(5)A/cm^(2)。实验结果表明,在双V形夹角为90°、桥区尺寸为380μm×80μm×2μm、方阻为4.2Ω的情况下,封装后的SCB换能元芯片阻值均在(1±0.05)Ω范围内,与理论计算及仿真分析结果一致。
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关键词
电火工品
半导体桥(SCB)
换能元
TCAD
电流密度分析
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Keywords
electrical initiator
semiconductor bridge(SCB)
transducer
TCAD
current densityanalysis
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分类号
TN389
[电子电信—物理电子学]
TJ450.2
[兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
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