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冲天炉微机控制系统: 1; 作者王庆方朱学澜谷路宁《河北工业大学学报》 CAS 1993年第4期97-105,共9页; 用拉格朗日乘子法求解冲天炉熔炼过程的数学模型——非线性规划,获得最优控制量,以此作为定值P.I.D调节,从而实现最优控制。炉前热分析快速检测的结果传输给上位机,然后它自动进行最优化配料计算。因此,控制了炉后配料。冲天炉过桥测温... 展开更多; 关键词冲天炉控制系统数学模型热分析快速检测上位机下位机测温系统微型计算机熔炼过程; 在线阅读下载PDF 职称材料

热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC　GaAs的均匀性被引量：2: 2; 作者杨瑞霞李光平 +2 位作者汝琼娜李静罗晋生《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期68-74,共7页; 对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００～１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。结果表明，６５０℃以上温度的热处理可以改善ＥＬ２分布... 展开更多; 关键词 EL2 热处理淬火位错砷沉淀砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究被引量：1: 3; 作者杨瑞霞付濬李光平《电子科学学刊》 CSCD 1995年第1期92-97,共6页; 测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。; 关键词 EL2 分布特性结构模型半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷: 4; 作者刘玉岭王桂珍 +2 位作者徐晓辉李湘都张志花《电子科学学刊》 CSCD 1996年第1期109-112,共4页; 本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。; 关键词硅 CVD 外延金属杂质微缺陷反向补偿; 在线阅读下载PDF 职称材料

提高硅CVD外延参数的新技术研究: 5; 作者刘玉岭单富洲 +2 位作者徐晓辉庄天张德臣《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期32-34,共3页; 分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。; 关键词硅 CVD 外延优化工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究: 6; 作者李和委陈诺夫刘文杰《河北工学院学报》 1993年第1期35-39,共5页; 采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一... 展开更多; 关键词载流子分布液相外延砷化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响: 7; 作者杨瑞霞李光平《河北工学院学报》 1993年第1期40-44,共5页; 通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。; 关键词碳补偿率浓度砷化镓红外吸收法; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波辐射计在航空遥感海冰中的应用研究: 8; 作者刘锡安胡永珍谭世祥《河北工学院学报》 1992年第3期41-52,共12页; 本文建立了海冰的微波幅射理论模型,并分析和处理了航空遥感测试数据。本文以L·Tsang和J·A·Kong的单层模型为基础,将其模型进一步推广,给出了一般多层随机介质的非相干波幅射模型,指出可用一组线性方程组来描述层状介质... 展开更多; 关键词航空遥感海冰微波辐射计; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于细胞显微图像处理的动态封闭窗: 9; 作者张总成王春平《河北工学院学报》 1993年第1期45-49,共5页; 文章提出了用于细胞显微图像分割中的一种开窗方法。根据图像灰度及灰度梯度特征,在设定区域内,用80条射线及4个分区,以图像识别的方法,自动形成动态封闭窗口。提高了分割的准确度及处理速度。临床实验表明,对泌尿系统脱落细胞的分割是... 展开更多; 关键词细胞显微图象图象处理计算机; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名冲天炉微机控制系统: 1; 作者王庆方朱学澜谷路宁; 机构河北工学院材料系河北工学院研究生部河北工学院电子系; 出处《河北工业大学学报》 CAS 1993年第4期97-105,共9页; 文摘用拉格朗日乘子法求解冲天炉熔炼过程的数学模型——非线性规划,获得最优控制量,以此作为定值P.I.D调节,从而实现最优控制。炉前热分析快速检测的结果传输给上位机,然后它自动进行最优化配料计算。因此,控制了炉后配料。冲天炉过桥测温系统连续运行24小时是接触式铁水测温的一个突破。; 关键词冲天炉控制系统数学模型热分析快速检测上位机下位机测温系统微型计算机熔炼过程; Keywords Cupola Controlled system Mathematical model High-speed heat analysis test Upper-computer Down-computer Temperature measuring system Microcomputer Moltenprocess; 分类号 T-55 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC　GaAs的均匀性被引量：2: 2; 作者杨瑞霞李光平汝琼娜李静罗晋生; 机构河北工学院电子系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期68-74,共7页; 文摘对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００～１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。结果表明，６５０℃以上温度的热处理可以改善ＥＬ２分布均匀性，且在６５０～９５０℃温度范围的热处理中，ＥＬ２均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外，两步或三步热处理的样品中ＥＬ２分布甚至比单步热处理样品中更优。９５０℃以下的热处理和淬火对位错和Ａｓ沉淀无明显影响。但是１１７０℃热处理井淬火后位错密度增加大约３０％，Ａｓ沉淀消失。对经１１７０℃淬火的样品再进行８０Ｏ℃或９５０℃的热处理，Ａｓ沉淀重新出现。ＥＬ２分布的变化可能与点缺陷、位错和Ａｓ沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型，利用该模型可解释不同条件热处理后ＥＬ２分布的变化。; 关键词 EL2 热处理淬火位错砷沉淀砷化镓; Keywords EL2 Annealing Quenching Dislocation As Precipitates; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.053 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究被引量：1: 3; 作者杨瑞霞付濬李光平; 机构河北工学院电子工程系天津电子材料研究所; 出处《电子科学学刊》 CSCD 1995年第1期92-97,共6页; 文摘测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。; 关键词 EL2 分布特性结构模型半导体材料; Keywords EL2, Dislocation, Precipitation of As, GaAs concentration distribution; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷: 4; 作者刘玉岭王桂珍徐晓辉李湘都张志花; 机构河北工学院电子系; 出处《电子科学学刊》 CSCD 1996年第1期109-112,共4页; 文摘本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。; 关键词硅 CVD 外延金属杂质微缺陷反向补偿; Keywords Silicon, CVD, Epitaxy, Metallic impurity, Microdefect, Contrary compensation; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名提高硅CVD外延参数的新技术研究: 5; 作者刘玉岭单富洲徐晓辉庄天张德臣; 机构河北工学院电子系半导体技术研究室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期32-34,共3页; 文摘分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。; 关键词硅 CVD 外延优化工艺; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学] TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究: 6; 作者李和委陈诺夫刘文杰; 机构河北工学院电子工程系; 出处《河北工学院学报》 1993年第1期35-39,共5页; 文摘采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采用了脱氧15h,熔源8h以上,再同一源重复使用、多次生长的液相外延工艺。同时,为了满足实验的需要,设计了一种新型推拉式石墨舟。实验结果表明此方法是可取的。; 关键词载流子分布液相外延砷化镓; Keywords Uniformity Carrier distribution Liquid phase epitaxy Gallium arsenic Isoelectronic doping Using the same source Growing repeatedly Graphite boat; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响: 7; 作者杨瑞霞李光平; 机构河北工学院电子工程系天津电子材料研究所; 出处《河北工学院学报》 1993年第1期40-44,共5页; 文摘通过直接测量GaAs中碳(C)的局域振动模(LVM)红外吸收带随其荷电态的变化,研究了GaAs中碳的LVM红外吸收与其荷电态的关系。结果表明,该吸收带对C的荷电态是不敏感的,红外吸收测定GaAs中碳浓度的方法对不同C补偿率的样品都是适用的。; 关键词碳补偿率浓度砷化镓红外吸收法; Keywords Local vibrational mode(LVM) Charge state GaAs Carbon Infrared absorption Compensation Concentration measurement effect; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波辐射计在航空遥感海冰中的应用研究: 8; 作者刘锡安胡永珍谭世祥; 机构河北工学院电子工程系国家海洋局海洋技术研究所; 出处《河北工学院学报》 1992年第3期41-52,共12页; 文摘本文建立了海冰的微波幅射理论模型,并分析和处理了航空遥感测试数据。本文以L·Tsang和J·A·Kong的单层模型为基础,将其模型进一步推广,给出了一般多层随机介质的非相干波幅射模型,指出可用一组线性方程组来描述层状介质的微波辐射,并用稀疏矩阵求得了方程组的解。在此基础上,对某些特定情况下的模型进行了分析,研究了微波辐射计探测冰厚的能力与穿透深度的定量关系。指出最大探测厚度正比于穿透深度,比例系数在1～1.5之间。同时从能量传输的角度出发,给出了相应的物理意义。还利用优化技术对实验结果进行回归分析,给出了不同波段的处理结果,同时与模型的计算结果进行了比较和解释。; 关键词航空遥感海冰微波辐射计; Keywords Sandwich media, Cohere, Rough-surface media, Even-surface media, Homogeneous media, Stochastic media, Theoretical model of microwave radiation, Microwave radiation, Penetration depth, Blackbody radiation, Sparse matrix,; 分类号 P731.15 [天文地球—海洋科学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于细胞显微图像处理的动态封闭窗: 9; 作者张总成王春平; 机构河北工学院电子工程系军械工程学院; 出处《河北工学院学报》 1993年第1期45-49,共5页; 文摘文章提出了用于细胞显微图像分割中的一种开窗方法。根据图像灰度及灰度梯度特征,在设定区域内,用80条射线及4个分区,以图像识别的方法,自动形成动态封闭窗口。提高了分割的准确度及处理速度。临床实验表明,对泌尿系统脱落细胞的分割是很有效的。; 关键词细胞显微图象图象处理计算机; Keywords Microscopic image Dynamic close window Gray gradient Dividing of image Cast-off cells; 分类号 R319 [医药卫生—基础医学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	冲天炉微机控制系统	王庆方朱学澜谷路宁	《河北工业大学学报》 CAS	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC　GaAs的均匀性	杨瑞霞李光平汝琼娜李静罗晋生	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1996	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究	杨瑞霞付濬李光平	《电子科学学刊》 CSCD	1995	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷	刘玉岭王桂珍徐晓辉李湘都张志花	《电子科学学刊》 CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	提高硅CVD外延参数的新技术研究	刘玉岭单富洲徐晓辉庄天张德臣	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs大面积液相外延载流子均匀性的研究	李和委陈诺夫刘文杰	《河北工学院学报》	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	GaAs中碳的补偿率对红外吸收方法测定其浓度的影响	杨瑞霞李光平	《河北工学院学报》	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	微波辐射计在航空遥感海冰中的应用研究	刘锡安胡永珍谭世祥	《河北工学院学报》	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	用于细胞显微图像处理的动态封闭窗	张总成王春平	《河北工学院学报》	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料