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电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性
被引量：
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作者
孙以材
范兆书
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孙新宇
宁秋凤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期38-41,共4页
根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性，论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性。通过实验予以证明，并可将这一结论应用于非圆心点测试。
关键词
电阻率测量
几何效应修正
半导体材料
测试
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职称材料
题名
电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性
被引量：
10
1
作者
孙以材
范兆书
孙新宇
宁秋凤
机构
河北工业大学电气信息学院电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期38-41,共4页
文摘
根据有限厚度样品体电阻率和薄层电阻两种测试方法间的厚度修正系数的相关性，论证了其边缘效应修正系数具有一一对应的严格的相等性。通过实验予以证明，并可将这一结论应用于非圆心点测试。
关键词
电阻率测量
几何效应修正
半导体材料
测试
Keywords
Resistivity measurement Four-point probe Geometric effect correction
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
电阻率两种测试方法间几何效应修正的相关性
孙以材
范兆书
孙新宇
宁秋凤
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000
10
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